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青岛能源所提出实用型锂金属电池失效新机制及优化新思路
2021-02-18
在续航里程焦虑的不断刺激下，液态锂金属电池因其高能量密度而成为关注热点，但锂金属负极的严重失效制约了锂金属电池的商业化发展。目前，学界对锂金属负极失效和保护的机理认知尚存争议。传统观点认为，锂枝晶的生长是金属锂负极失效的主要原因。然而，实际上，尽管文献中报道了无枝晶生长的金属锂负极，但采用高面容...
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微电子所在基于先进FinFET工艺的硅量子器件研究中获进展
2021-02-09
量子计算是未来信息技术发展的重要方向，在一些特定领域具有较大应用潜力。基于硅量子点的量子比特是实现通用量子计算最有前景的方案之一，具有较长的退相干时间和出色的CMOS制造工艺兼容性。目前，硅量子点量子计算正处在采用集成电路先进制造工艺实现量子点规模集成并进行量子比特扩展验证的关键研究阶段。近期，中国...
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化学所光调控有机高分子半导体性能研究获进展
2021-02-09
基于有机高分子半导体的场效应晶体管具有柔性、价廉、质轻、可大面积制备等优势，可广泛应用于物联网智能电子器件及生物可穿戴器件等领域，近年来得到了研究与关注。为此，人们研究了一系列高性能的p -型、 n -型和双极性有机高分子半导体。同时，具有多种功能以及性能可调的有机半导体场效应器件也得到了越来越多的重视...
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新型FET截止频率为738GHz
2021-02-08
韩国和日本的一个研究小组研发了一款场效应晶体管（ FET ） ，截止频率为738GHz ，宣称不管在任何材料系统中，这是目前获得的最高截止频率。韩国庆北大学（ KNU ） ，蔚山大学和韩国量子半导体国际有限公司以及日本NTT器件技术实验室的研究成果在2020年底的国际电子器件会议（ IEDM ）上进行了在线展示。高截止频率和低...
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闪锌矿结构GaN的空穴浓度有望比纤锌矿结构GaN高四倍
2021-02-08
在氮化镓（ GaN ）材料中实现高n型和p型掺杂对于提高固态照明和RF /功率电子器件的效率和功率至关重要。GaN的可掺杂性是由掺杂剂的形成、活化和自补偿决定的，这取决于掺杂剂与GaN之间的键合性质。GaN具有纤锌矿（ wz - ）和闪锌矿（ zb - ）两种结构。然而由于纤锌矿结构GaN的稳定性，更加适应当前工业生产，因此对n型...
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福建物构所钙钛矿太阳能电池研究获进展
2021-02-07
近几年来，新兴的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池( PSCs )发展较快，在短短十年里其光电转化效率( PCE )从3.8%发展到目前25.5%的认证效率，被视为最具有应用潜力的新型高效率太阳能电池之一。尽管有机无机杂化钙钛矿太阳能电池的光电转换效率已与多晶硅薄膜电池相媲美，但是电池的长期稳定性远未达到商业化要求。众所周知...
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合肥研究院实现多角度偏振成像仪面阵探测器响应非均匀性多参量校正
2021-02-07
近日，中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所光学遥感研究中心研究员洪津团队在多角度偏振成像仪（ DPC ）面阵探测器非均匀性校正方法研究领域取得新进展，针对DPC探测器非均匀性特点，提出多参量的非均匀性校正方法，实现探测器响应非均匀性多参量校正。校正后的探测器响应亦呈现出良好线性。相关研究成...
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宁波材料所实现全光控忆阻器
2021-02-07
类脑计算直接在硬件上模拟人脑功能，有望实现速度更快、能耗更低、硬件消耗更少的新一代人工智能。忆阻器结构简单，易超高密度集成，是实现类脑计算较为理想的元器件。然而，目前报道的忆阻器，工作机制涉及的离子迁移会改变器件微结构，并需要较高电压或电流来调节电导变化，产生的大量焦耳热进一步加速微结构变化，导...
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福建物构所在非铅手-极性杂化半导体实现自驱动圆偏振光探测研究中获进展
2021-02-07
圆偏振光探测在量子通信、自旋光学信息等领域广泛应用。传统圆偏振光探测需非手性光电探测材料和外加光学元件（线偏振片和四分之一玻片等） ，难以满足日益增加的集成微型化应用需求。近年来发展的有机-无机杂化手性钙钛矿兼具手性和半导体光电特性，无需外加光学元件便可实现对圆偏振光的响应。中国科学院福建物质结构...
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兼容CMOS的III-V光电探测器
2021-01-26
瑞士和美国的研究人员一直努力在硅光子集成电路（PIC）上集成III-V光电探测器结构。IBM ResearchZürich，ETH Zürich和IBM T.J. Watson研究中心的团队开发了一种工艺，可与主流的互补金属氧化物半导体（CMOS）电子制造相兼容。这是大规模部署的关键考虑因素，例如，这意味着消除金基触点和过多的热预算。砷化铟镓铝（In...
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福建物构所高性能层状杂化钙钛矿铁电半导体研究获进展
2021-01-25
具有体光伏效应（ BPVE ）的铁电半导体作为光伏非易失性数据存储的有效介质已得到广泛研究。然而，传统的铁电材料在该领域的应用仍受到带隙大、内阻高、载流子输运差和易极化疲劳等问题的困扰。近年来，新兴的有机无机杂化钙钛矿铁电材料因结合了优异的铁电性与半导体特性，在开发适用于光伏非易失性存储领域的新型铁电...
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合肥研究院等在荧光碳量子点的太赫兹光电特性研究中获进展
2021-01-22
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员徐文课题组与西南大学合作，利用太赫兹时域光谱（ THz TDS ）技术，探究荧光碳量子点（ CQDs ）的光电特性，发现在80-280 K温度范围内。红光荧光量子点（ R-CQDs ）在0.2 - 1.2 THz频段为光绝缘体（即对THz光全透） ，而蓝光荧光量子点（ B-CQDs ）随THz频率、温...
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物理所等在电荷密度波导致的轴子绝缘体研究中获进展
2021-01-22
由于三维晶体中Weyl （外尔）准粒子是不需特殊对称性保护的拓扑结构，同时具有特别的表面费米弧和奇特的电输运行为，单粒子图像下的拓扑半金属材料的研究是凝聚态物理中的热点，科研人员逐步关注到外尔半金属材料中由电子-电子关联效应导致的新物理和新现象。2012年，清华大学高等研究院研究员汪忠和美国华裔物理学家张...
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原子尺度调节镓锌混合氮氧化物纳米线能带结构研究获进展
2021-01-22
近日，中国科学院国家纳米科学中心研究员宫建茹与南京航空航天大学教授宣益民、中科院高能物理研究所研究员张静合作，在原子尺度调节( Ga1 - xZnx ) ( N1 - xOx )固溶体纳米线能带结构研究方面取得新进展， 1月21日。相关研究成果以Atomic arrangement matters : band-gap variation in composition-tunable ( Ga1 - xZn...
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兰州化物所开发出氮掺杂多孔石墨烯制备新方法并用于稀土分离
2021-01-20
近日，中国科学院兰州化学物理研究所手性分离与微纳分析课题组开发出一种多重限域的一步可控合成掺杂方法，制备出对稀土离子具有高分离选择性的氮掺杂纳孔石墨烯膜（专利申请号： CN 202010861481.0 ） 。该研究在吸附了苯丙氨酸的氧化石墨烯膜的二维层间空间限域生长层状锌类水滑石，从而构建类水滑石/苯丙氨酸/氧化石...
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k-Space为现场计量工具增加了新的配件
2021-01-20
位于美国密苏里州德克斯特市的k-Space Associates公司为其计量工具增加了一个新的配件kSA Insight 。美国k-Space公司作为原位、在线和离线测试设备的主要制造商，主要为半导体、薄膜材料和光伏产业的研究机构和制造商提供专业的材料性能测试设备。成像系统采用高分辨率彩色摄像机，并与所有k-Space薄膜计量软件兼容，即...
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BluGlass完成了405nm激光器的光学涂层制造步骤
2021-01-20
澳大利亚Silverwater的BluGlass Ltd公司在其《激光二极管业务最新报告》的中表示，最近展示的标准405nm激光设计具有强大的输出功率。BluGlass已完成一些405nm激光器件制造工艺的光学涂层步骤，从而推动了其首款标准激光二极管产品的开发。该公司表示，其405nm激光器设计已证明其具有强大的初始性能符合目标规格。一种是...
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微电子所在有机无序体系的量子电子液体描述方面取得研究进展
2021-01-14
由于多种无序因素的影响，有机固体中电子传输的物理图像一直存在较多争议。最近十几年最受关注的一个话题是，导电高聚物是否可被描述为一维拉廷格液体，其在低温下的非线性输运是否由拉廷格液体机制所主导。此假设由诺贝尔化学奖得主导电高聚物之父阿兰·黑格在一项研究中[ Nat . Mater . 8 , 572。针对此假设，中科院微...
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微电子所在氮化镓界面态研究方面取得重要进展
2021-01-14
近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与先导中心工艺平台合作，在GaN界面态研究领域取得了重要进展，在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性，提出了适用于较宽能量范围的界面态U型分布函数，实现了离散能级与界面态的分离。另一方面，由于宽带隙半导体中缺陷电子捕获截面分布范围较...
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意法半导体扩展了MasterGaN系列
2021-01-12
瑞士日内瓦的意法半导体（STMicroelectronics）在其MasterGaN平台基础上推出了MasterGaN2，MasterGaN2是新系列中的首款产品，其中包含两个非对称氮化镓（GaN）晶体管，可提供适用于软开关和有源整流转换器拓扑的集成GaN解决方案。 650V常关型GaN晶体管具有150mΩ和225mΩ的导通电阻（RDS（on））。意法半导体表示与优化...
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