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上海光机所极紫外光刻光源掩模优化技术取得进展
2021-03-03
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室在极紫外光刻的计算光刻技术研究方面取得进展。研究人员针对极紫外光刻，提出了一种基于厚掩模模型和社会学习粒子群算法（ social learning particle swarm optimization , SL-PSO ）的光源掩模优化技术（ Source and mask optimization , SMO ） 。仿真...
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化学所利用电化学法制备出大面积二维导电MOF薄膜
2021-02-26
二维金属有机框架（ metal-organic framework ， MOF ）薄膜是金属离子与有机配体之间通过配位键形成的多孔晶体材料。由于其具有高的比表面积、稳定的化学结构和可调的物理化学性质，在催化、能源、气体分离、生物医药、化学传感等领域具有广阔的应用前景。目前，制备高质量大面积二维MOF薄膜仍存在挑战。,研究人员以六...
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基于Ⅱ型狄拉克精准调控的高性能太赫兹光电器件研究取得进展
2021-02-26
近日，中国科学院上海技术物理研究所科研人员与南京大学、复旦大学、东华大学、中国科学技术大学及上海科技大学的相关团队合作，提出了原子尺度上精细调控Ⅱ型狄拉克半金属的新方法。该研究成果以Colossal Terahertz Photoresponse at Room Temperature : A Signature of Type-II Dirac Fermiology （ DOI ： 10.1021 / ...
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使用MOCVD制造AlScN势垒高电子迁移率晶体管（HEMT）
2021-02-24
德国和荷兰的研究人员已经使用金属有机化学气相沉积（ MOCVD ）来创建AlScN势垒高电子迁移率晶体管（ HEMT ） 。该团队还使用氮化硅（ SiNx ）盖材料来代替更常见的氮化镓（ GaN ） ，据该团队所知该材料此前从未被研究过。AlScN的研究工作建立在一篇关于MOCVD增长报告的基础上，该报告由弗劳恩霍夫应用固体物理研究所（...
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硅基混合式IIII–V TFET和MOSFET
2021-02-24
瑞士的IBM Research Europe和洛桑联邦理工学院（ EPFL ）共同开发了一种工艺，用于硅衬底上的混合III-V隧道场效应晶体管（ TFET ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET ）制造。与MOSFET的62mV/decade相比，使用带间隧穿而不是热电子发射使TFET能够实现低得多的亚阈值摆幅（ SS ） ，低至42mV/decade 。该团队使用...
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国家纳米中心等在金属纳米颗粒晶体管研究中取得进展
2021-02-23
电荷输运机制的研究是设计与构筑新型纳米电子器件的基础。和半导体器件中的电子信号不同，生命体内信息的处理往往基于复杂的离子和电子同时参与的物质输运过程。因此，揭示离子电荷与电子电荷耦合输运的基本规律，通过人工操控两种电荷之间的相互作用与输运过程以构筑纳米电子器件具有重要的科学意义、创新性与应用价值...
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深圳先进院织物基底的压电压力传感器研究获进展
2021-02-23
近日，中国科学院深圳先进技术研究院微创中心研究员王磊团队设计出一种基于ZnO纳米棒结构的新型柔性织物基底压电压力传感器。相关研究成果以High-Performance Textile Piezoelectric Pressure Sensor with Novel Structural Hierarchy Based on ZnO Nanorods Array for Wearable Application为题，发表在Nano Research上...
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中国科大研制出新型隔离电源芯片
2021-02-23
近日，中国科学技术大学国家示范性微电子学院教授程林课题组在全集成隔离电源芯片设计领域取得重要成果。该研究提出了一种基于玻璃扇出型晶圆级封装（ FOWLP ）的全集成隔离电源芯片。所提出的架构通过在单个玻璃衬底上利用三层再布线层（ RDL ）实现了高性能微型变压器的绕制，并完成与发射和接收芯片的互联，有效地提...
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无需光刻胶也能实现MOF材料图案化，精度优于50nm
2021-02-22
金属-有机骨架材料（ MOF ）在电子学和光子学等领域具有广泛的应用前景，例如MOF的多孔性和低介电常数使其有望成为未来电子设备中高性能绝缘体的候选。不过，用于电子设备的前提是材料可以方便的进行图案化，而MOF材料的亚微米尺度图案化正是目前制约其发展的主要挑战之一。不过，一个问题是如何将这种方法推广到其他MOF...
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沈阳自动化所在人机融合智能领域研究中获进展
2021-02-18
表面肌电意图识别技术是人机融合智能技术发展的重要支撑技术，在智能假肢、康复机器人等领域具有重要应用价值，然而，该技术在实际应用中常受到电极偏移、个体性差异、肌肉疲劳、肢体姿态或其他综合性干扰等多种因素的影响，难以推广使用。如何克服上述因素的影响是目前急需解决的关键问题。针对电极偏移这一难点问题，...
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青岛能源所提出实用型锂金属电池失效新机制及优化新思路
2021-02-18
在续航里程焦虑的不断刺激下，液态锂金属电池因其高能量密度而成为关注热点，但锂金属负极的严重失效制约了锂金属电池的商业化发展。目前，学界对锂金属负极失效和保护的机理认知尚存争议。传统观点认为，锂枝晶的生长是金属锂负极失效的主要原因。然而，实际上，尽管文献中报道了无枝晶生长的金属锂负极，但采用高面容...
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微电子所在基于先进FinFET工艺的硅量子器件研究中获进展
2021-02-09
量子计算是未来信息技术发展的重要方向，在一些特定领域具有较大应用潜力。基于硅量子点的量子比特是实现通用量子计算最有前景的方案之一，具有较长的退相干时间和出色的CMOS制造工艺兼容性。目前，硅量子点量子计算正处在采用集成电路先进制造工艺实现量子点规模集成并进行量子比特扩展验证的关键研究阶段。近期，中国...
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化学所光调控有机高分子半导体性能研究获进展
2021-02-09
基于有机高分子半导体的场效应晶体管具有柔性、价廉、质轻、可大面积制备等优势，可广泛应用于物联网智能电子器件及生物可穿戴器件等领域，近年来得到了研究与关注。为此，人们研究了一系列高性能的p -型、 n -型和双极性有机高分子半导体。同时，具有多种功能以及性能可调的有机半导体场效应器件也得到了越来越多的重视...
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新型FET截止频率为738GHz
2021-02-08
韩国和日本的一个研究小组研发了一款场效应晶体管（ FET ） ，截止频率为738GHz ，宣称不管在任何材料系统中，这是目前获得的最高截止频率。韩国庆北大学（ KNU ） ，蔚山大学和韩国量子半导体国际有限公司以及日本NTT器件技术实验室的研究成果在2020年底的国际电子器件会议（ IEDM ）上进行了在线展示。高截止频率和低...
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闪锌矿结构GaN的空穴浓度有望比纤锌矿结构GaN高四倍
2021-02-08
在氮化镓（ GaN ）材料中实现高n型和p型掺杂对于提高固态照明和RF /功率电子器件的效率和功率至关重要。GaN的可掺杂性是由掺杂剂的形成、活化和自补偿决定的，这取决于掺杂剂与GaN之间的键合性质。GaN具有纤锌矿（ wz - ）和闪锌矿（ zb - ）两种结构。然而由于纤锌矿结构GaN的稳定性，更加适应当前工业生产，因此对n型...
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福建物构所钙钛矿太阳能电池研究获进展
2021-02-07
近几年来，新兴的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池( PSCs )发展较快，在短短十年里其光电转化效率( PCE )从3.8%发展到目前25.5%的认证效率，被视为最具有应用潜力的新型高效率太阳能电池之一。尽管有机无机杂化钙钛矿太阳能电池的光电转换效率已与多晶硅薄膜电池相媲美，但是电池的长期稳定性远未达到商业化要求。众所周知...
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合肥研究院实现多角度偏振成像仪面阵探测器响应非均匀性多参量校正
2021-02-07
近日，中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所光学遥感研究中心研究员洪津团队在多角度偏振成像仪（ DPC ）面阵探测器非均匀性校正方法研究领域取得新进展，针对DPC探测器非均匀性特点，提出多参量的非均匀性校正方法，实现探测器响应非均匀性多参量校正。校正后的探测器响应亦呈现出良好线性。相关研究成...
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宁波材料所实现全光控忆阻器
2021-02-07
类脑计算直接在硬件上模拟人脑功能，有望实现速度更快、能耗更低、硬件消耗更少的新一代人工智能。忆阻器结构简单，易超高密度集成，是实现类脑计算较为理想的元器件。然而，目前报道的忆阻器，工作机制涉及的离子迁移会改变器件微结构，并需要较高电压或电流来调节电导变化，产生的大量焦耳热进一步加速微结构变化，导...
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福建物构所在非铅手-极性杂化半导体实现自驱动圆偏振光探测研究中获进展
2021-02-07
圆偏振光探测在量子通信、自旋光学信息等领域广泛应用。传统圆偏振光探测需非手性光电探测材料和外加光学元件（线偏振片和四分之一玻片等） ，难以满足日益增加的集成微型化应用需求。近年来发展的有机-无机杂化手性钙钛矿兼具手性和半导体光电特性，无需外加光学元件便可实现对圆偏振光的响应。中国科学院福建物质结构...
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兼容CMOS的III-V光电探测器
2021-01-26
瑞士和美国的研究人员一直努力在硅光子集成电路（PIC）上集成III-V光电探测器结构。IBM ResearchZürich，ETH Zürich和IBM T.J. Watson研究中心的团队开发了一种工艺，可与主流的互补金属氧化物半导体（CMOS）电子制造相兼容。这是大规模部署的关键考虑因素，例如，这意味着消除金基触点和过多的热预算。砷化铟镓铝（In...
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