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沈阳自动化所发表纳米机器人及其生物医学应用研究综述文章
2021-01-07
近日， IEEE ransactions on Biomedical Engineering （ 2021 , 68。: 130 - 147 )以封面文章形式发表了中国科学院沈阳自动化研究所微纳米课题组关于纳米机器人及其生物医学应用的研究综述文章Progress in nanorobotics for advancing biomedicine。该论文基于课题组在纳米操作机器人单细胞单分子探测方面的研究成果，系...
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理化所等在锂离子筛分研究中获进展
2021-01-05
2020年12月30日， Matter在线发表了中国科学院理化技术研究所研究员闻利平和北京航空航天大学副教授张千帆团队关于锂离子筛分的最新研究成果。锂离子作为一种重要的资源，其筛分与富集业已成为研究热点。该工作在材料合成过程中引入仿生概念，利用二维复合材料成功构筑了一种具有类似贝壳的层状异质结构的仿生纳米限域孔...
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微电子所在新型安全芯片领域取得进展
2020-12-31
近日，刘明院士科研团队基于新型存储器的硬件安全芯片领域的两篇研究论文成功入选2020年第66届国际电子器件大会（ IEDM ） 。云端训练好的模型经简化后转到边缘芯片的非易失存储器上或者实现为专用芯片（ ASIC ） ，在边缘处理器或者ASIC中加入PUF ，可有效防止训练好的数据被破解或被复制。基于阻变存储器随机短期记忆...
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物理所在一体化构型的锌离子电池研究方面获进展
2020-12-28
传统的电化学储能器件构型主要是通过将隔膜夹在两个电极之间并注入电解液来构造的，即隔膜位于两个电极之间，但三者之间是处于相互分离的状态。一体化构型，是指将储能器件的主要构件（正、负极、隔膜）通过较强的相互作用集成为一个整体，使得相邻组件之间实现连续无缝连接，保证了弯曲状态下离子和电子的稳定传输。因...
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Extreme-k和Ga2O3功率移动
2020-12-28
美国俄亥俄州立大学声称氧化镓（ β - Ga2O3 ）横向晶体管的功率品质因数最高，为376MW / cm2 。研究人员使用了由钛酸钡（ BaTiO3 ）构成的绝缘体，该钙钛矿氧化物结合了极高的介电常数和高击穿场强（ > 8MV / cm ） 。研究人员在以极限k BaTiO3为绝缘体的β - Ga2O3上制造了横向金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（ MISFE...
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苏州纳米所在高性能锂金属电池研究中取得进展
2020-12-25
便携式智能器件与长续航电动汽车的发展，对可充电的二次电池的能量密度提出了更高的要求。当锂负极与硫正极相匹配时，组成锂硫电池的容量高达2600 Wh kg-1 ，这将适用于未来高能量密度需求的电动汽车。在前期的硫正极研究中，从纳米材料结构设计与表面功能化出发（ Journal of Power Sources .,制备出不同的活性纳米催化...
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利用二氧化硅阵列基板促进蓝光发射
2020-12-24
武汉大学报告称，与在图案化蓝宝石上生长的类似器件相比，在用图案化蓝宝石与二氧化硅阵列（ PSSA ）衬底上生长的氮化铟镓（ InGaN ）蓝色发光二极管（ LED ）的光输出功率提高了16.5 ％ 。这项工作表明，在高分辨率显示器的高性能LED的开发方面迈出了重要的一步。其他潜在的应用可能来自可见光通信（ VLC ） 、汽车前照...
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垂直功率三栅SiC MOSFET
2020-12-24
美国普渡大学和Sonrisa Research公司报告称其研究的4H多型碳化硅（ SiC ）垂直功率三栅金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET ）比沟道电阻显着降低，这种新型MOSFET集成了亚微米FinFET通道。三栅极MOSFET的制造顺序概述： （ a ）注入p型基极和n +源极区域，蚀刻沟槽,沉积栅极氧化物和多晶硅栅极,图案化多晶硅栅极,形...
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硅光子学工艺中的超致密光学互连
2020-12-15
作为多年技术和制造合作伙伴关系的一部分，美国加利福尼亚州的Ayar实验室已经在基于GlobalFoundries的45纳米CMOS制程工艺的下一代光子学解决方案上展示了其专利单片电子/光子解决方案。这是一个行业首创，为人工智能（ AI ） 、高性能计算（ HPC ） 、云、电信和航空航天等数据密集型应用提供大规模芯片到芯片光学连接，...
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大连化物所等利用超快时间分辨光谱揭示MXene氧化结构下的传热机制
2020-12-14
近日，中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室研究员袁开军团队，与北京航空航天大学教授李介博、燕鑫合作，在MXene （ Ti3C2Tx ）氧化界面热传递研究方面取得新进展。研究工作得到国家自然科学基金委动态化学前沿研究中心项目、中科院战略性先导专项（ B类） “能源化学转化的本质与调控” 、国家自...
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合肥研究院等在单层1T'-WTe2体系中删极电压调控超导电性机理研究中获进展
2020-12-14
近日，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心超导与关联电子材料研究团队、北京应用物理与计算数学研究所研究员张平，以及北京邮电大学博士杨巍等合作，在1T ' - WTe2体系中理论研究了删极电压调控超导电性的机理以及物性。相关研究成果发表在Physical Review Letters上。分析发现这些特定动量对应最优的费米面嵌...
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福建物构所钙钛矿太阳能电池研究取得进展
2020-12-04
近年来，有机无机杂化钙钛矿太阳能电池发展迅速，其光电转化效率从3.8%发展到目前25.5%的认证效率，被视为最具有应用潜力的新型高效率太阳能电池之一。虽然钙钛矿太阳能电池具有较高光电转换效率，可与多晶硅薄膜电池媲美，但电池的长期稳定性未达到商业化要求。产生的缺陷可捕获光生载流子，限制载流子的扩散，降低载流...
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苏州纳米所等在高性能柔性储能器件研究中取得进展
2020-12-02
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员邸江涛等与佐治亚理工学院教授Ching-ping Wong合作，设计并制备出锌掺杂氧化铜纳米线（ Zn-CuO ）三维阵列结构，为电化学活性物质MnO2提供导电支架，获得高负载的MnO2纳米片材料。将生长在铜线表面的Zn-CuO @ MnO2材料用于同轴非对称纤维型超级电容器正极材料，获得...
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提高p-GaN栅极HEMT的可靠性
2020-11-30
香港科技大学使用氮氧化镓（GaON）表面增强层（SRL）来提高p型栅极GaN沟道功率高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅极电压窗口和长期可靠性。与其他有关p-GaN HEMT的报告相比，该设备在10年的使用寿命中提供了最高的最大栅极电压。对于p-GaN栅极HEMT，研究人员使用了专为E模式p-GaN栅极功率HEMT设计的6英寸硅上GaN（GaN/Si）...
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到2025年，碳化硅器件市场将以30％的复合年增长率增长，超过25亿美元
2020-11-27
根据Yole预测，碳化硅（ SiC ）器件市场估计将以30 ％的复合年增长率（ CAGR ）增长，从2019年的2.25亿美元增长到2025年的超过25亿美元SiC技术正在赢得许多客户的青睐，并渗透到各种应用中。在电动汽车相关的应用的推动下，用于电力电子应用的SiC在未来五年会表现出强劲增长。由于COVID-19大流行， 2020年上半年电动汽车...
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上海微系统所制备出小扭转角度双层石墨烯
2020-11-26
近年随着扭转角在魔角范围（ ~ 1.1 ° ）的双层石墨烯中新奇量子现象的发现，扭转双层石墨烯的研究愈发受到关注。常规双层石墨烯是通过AB堆垛形成的稳定结构，而对于扭转双层石墨烯，其表面会展现出摩尔条纹超晶格，且该超晶格周期与双层石墨烯能带结构会随着扭转角度的变化而改变。目前，实验室小扭转角双层石墨烯多是...
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上海光机所提出对二维材料光谱学进行机器学习研究的方案
2020-11-24
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室在利用随机森林算法实现二维材料层数和缺陷识别研究中取得新进展，揭示了机器学习算法在二维材料光谱学研究领域的应用潜力。随着大数据技术的快速发展，以数据驱动的机器学习算法在材料研究领域蓬勃兴起。当有新的样本点进入模型进行预测和判断时，随机...
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上海光机所氧化铟锡薄膜光电特性调控技术研究获进展
2020-11-24
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在调控氧化铟锡（ ITO ）薄膜光电特性研究中取得进展，利用高效、可选择性的准连续（ QCW ）激光退火技术对ITO薄膜载流子进行调控，在基本不改变ITO薄膜导电特性的前提下，实现ITO薄膜近红外波段透过率的显著提升。高载流子浓度使ITO薄膜具有良好导电性的同时，也...
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物理所等提出一类基于铁基非常规配对的拓扑超导体
2020-11-24
近年来，铁基高温超导体作为自赋性拓扑超导体，引起了科研人员的兴趣。理论研究表明，铁基高温超导体是一个理想的实现Majorana零能模的体系。科研人员在多个铁基材料表面观测到Majorana零能模，揭开了在铁基超导体系中探寻Majorana零能模的序幕，这使铁基超导体可能成为拓扑计算的载体。最近，中国科学院物理研究所/北京...
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化学所等发展出曲面印刷微纳结构光子器件新策略
2020-11-23
微纳制造技术的快速发展为纳米光子器件、光学电路、光电探测器等提供了多样的设计和应用空间。作为光学接口的3D波导纳米结构是纳米光子应用的基本互连单元，光子元器件被集成在芯片的有限区域乃至复杂曲面上。因此，在曲面上实现具有精确形貌和组分微纳米结构的设计与制造，对于新型结构光电器件的发展具有重要意义。近...
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