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苏州纳米所电致变色器件研究获进展
2021-03-18
电致变色是电致变色材料的光学属性（反射率、透过率等）在外加电场的作用下发生稳定、可逆的变化的现象，在外观上表现为颜色和透明度的可逆变化。氧化钨材料作为典型的无机电致变色材料，由于其良好的热稳定性和化学稳定性，使其具有较高的商业化前景。然而，单一颜色变化（无色-蓝色之间切换）难以满足一些场景对色彩绚...
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微电子所在纳米森林的微器件应用研究方面取得新进展
2021-03-16
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心在纳米森林的微机电系统（ MEMS ）传感器应用研究上取得重要进展。湿度的监测与控制在气象、农业、汽车、医药等行业具有重要意义。随着MEMS技术的发展，基于MEMS工艺的电容式湿度传感器因其在宽相对湿度范围内具有较好的灵敏度和较好的抗干扰能力而受到广泛关注。传统的电容式湿...
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用于N极GaN的HfO2栅极绝缘体
2021-03-16
美国密歇根大学和加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（ UCSB ）一直在研究二氧化铪（ HfO2 ）作为高功率和高频氮极氮化铝镓（ AlGaN ）晶体管栅极电介质的潜力。研究人员表示在这些异质结构中通常使用渐变的Si掺杂AlGaN背势垒来抑制由净负极化电荷的界面处的空穴陷阱引起的电流色散。还发现，改变HfO2的厚度会影响2DEG的载流...
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硅基单片集成UV LED/光电探测器
2021-03-15
光电探测器以类似于光电晶体管的方式工作，在一对欧姆接触之间使用6 μ mx100 μ m的p-GaN光学栅极。30 μ mx100 μ mLED通过p-GaN阳极提供的空穴的复合产生光子，并从在AlGaN / GaN界面附近形成的二维电子气（ 2DEG ）产生电子。在HEMT和HKUST光电探测器结构中， 2DEG构成了可以通过外部手段控制其电阻的通道。制造顺序...
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大连化物所揭示吸热电荷分离态介导的三线态能量转移新机制
2021-03-15
近日，中国科学院大连化学物理研究所光电材料动力学特区研究组研究员吴凯丰团队在无机/有机界面三线态能量转移动力学研究方面取得新进展，首次提出并在实验上论证了吸热电荷分离态介导的三线态能量转移新机制。吴凯丰团队在前期电荷转移介导TET的工作基础上，提出一个新机制— —吸热电荷转移介导的TET 。为此，该团队提...
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上海技物所等利用“香蕉球”效应实现太赫兹高频信号传递
2021-03-15
近日，中国科学院上海技术物理研究所副研究员王林与研究员陈效双、陆卫研究团队，联合东华大学、意大利拉奎拉大学，通过精确操控第二类狄拉克费米子态诱导布洛赫自旋电子单向散射，实现高频信号传递。相关研究成果以High-frequency rectifiers based on type-II Dirac fermions （ DOI : 10.1038 / s41467-021 - 21906 -...
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沈阳自动化所等研发出基于光遗传工程化细胞的类生命视觉感知成像器件
2021-03-15
近日，中国科学院沈阳自动化研究所类生命机器人研发团队联合清华大学、香港大学，在基于生命-机电系统深度融合的类生命机器人研究领域取得新进展，研发出一种以光遗传工程化细胞为生物光敏感元件、以单层石墨烯为生物电子界面的类生命光电晶体管。并将其作为核心光电传感单元构建了类生命视觉感知成像系统，为研发具有高...
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丰桥技术科学大学将ALLOS的GaN-on-Si外延片应用于体内神经应用
2021-03-12
日本丰桥技术科学大学的Hiroto Sekiguchi教授团队与ALLOS Semiconductors GmbH公司共同合作，研发了用于新型体内神经应用的高效氮化物基微型LED芯片。在丰桥技术科学大学， Hiroto Sekiguchi教授致力于氮化物半导体的开发已有十多年。研究小组将利用他们的硅工艺技术和ALLOS的GaN-on-Si技术，开发一种新型神经探针，该探...
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Fraunhofer IAF研究用于量子技术的紧凑型片上光子对源
2021-03-12
德国弗赖堡的弗劳恩霍夫应用固体物理研究所（ IAF ）已启动一个纠缠光子的紧凑型片上光源项目，这是实现工业量子技术应用的重要组成部分。在QuoAlA项目（ AlGaAs Bragg反射波导的电信波长量子纠缠光子对源）中，科学家们正在研究将砷化铝镓（ AlGaAs ）作为产生纠缠光子源的波导， AlGaAs可以实现特别紧凑的设计和芯片集...
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上海微系统所揭示氧化锌纳米线的纳米尺度效应
2021-03-11
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室研究员李昕欣课题组首次采用原位电镜（ TEM ）观测技术并结合热力学参数测量验证，从原子级层面揭示了氧化锌纳米线纳米尺度的构效关系机理。该研究采用原位TEM技术实时观察了两种不用尺度ZnO纳米线在SO2气氛下的形貌演变，表明小尺度ZnO纳米线在反应过...
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物理所实现高质量大面积外延石墨烯与Ru基底表面间的SiO2绝缘插层
2021-03-11
石墨烯独特的结构蕴含丰富且新奇的物理，不仅为基础科学提供了重要的研究平台，而且在电子、光电子、柔性器件等领域显现出广阔的应用前景。为了充分发挥石墨烯的优异性质并实现其工业生产与应用，须找到合适的材料制备方法，使制备出的石墨烯能够同时满足大面积、高质量、与现有的硅工艺兼容等条件。目前为止，大面积、...
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微电子所新型存储器亮相2021年第68届国际固态集成电路会议
2021-03-03
近日，微电子所刘明院士科研团队研究成果成功入选2021年第68届国际固态集成电路会议（ ISSCC。这是微电子所首次以第一作者单位在集成电路设计领域最高级别会议上发表论文。本研究主要通过电路设计手段解决先进工艺节点RRAM遇到的以下几个关键问题：第一，由于RRAM的工作电压大于标准电压以及写入路径上会产生一定的电压...
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柔性磷化铟DHBT频率提升
2021-03-03
东南大学和中国南京电子设备研究所要声称首次演示了将晶圆级制造的高频磷化铟（ InP ）双异质结构双极晶体管（ DHBT ）转移到柔性基板上。该团队报告，获得了截止频率fT = 337GHz和最大振荡频率fMAX = 485GHz ，这是迄今为止柔性电子领域报道的最高结果。研究人员将他们在晶圆规模上的成果与以前的报告进行了对比，以前...
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大连化物所利用原位电化学穆斯堡尔谱揭示Ni-Fe基羟基氧化物在电催化析氧反应中的作用机理
2021-03-03
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员王军虎团队与研究员黄延强团队合作，利用自主研发的原位电化学穆斯堡尔谱装置，对Ni-Fe基催化剂在电催化析氧反应（ OER ）中的作用机理开展深入探索。该合作团队通过实验，在OER起始电位附近观察到存在大量Fe4 + ，并进一步证实了OER的电流密度与原位产生的高价铁物种含量密切...
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上海光机所极紫外光刻光源掩模优化技术取得进展
2021-03-03
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室在极紫外光刻的计算光刻技术研究方面取得进展。研究人员针对极紫外光刻，提出了一种基于厚掩模模型和社会学习粒子群算法（ social learning particle swarm optimization , SL-PSO ）的光源掩模优化技术（ Source and mask optimization , SMO ） 。仿真...
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化学所利用电化学法制备出大面积二维导电MOF薄膜
2021-02-26
二维金属有机框架（ metal-organic framework ， MOF ）薄膜是金属离子与有机配体之间通过配位键形成的多孔晶体材料。由于其具有高的比表面积、稳定的化学结构和可调的物理化学性质，在催化、能源、气体分离、生物医药、化学传感等领域具有广阔的应用前景。目前，制备高质量大面积二维MOF薄膜仍存在挑战。,研究人员以六...
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基于Ⅱ型狄拉克精准调控的高性能太赫兹光电器件研究取得进展
2021-02-26
近日，中国科学院上海技术物理研究所科研人员与南京大学、复旦大学、东华大学、中国科学技术大学及上海科技大学的相关团队合作，提出了原子尺度上精细调控Ⅱ型狄拉克半金属的新方法。该研究成果以Colossal Terahertz Photoresponse at Room Temperature : A Signature of Type-II Dirac Fermiology （ DOI ： 10.1021 / ...
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使用MOCVD制造AlScN势垒高电子迁移率晶体管（HEMT）
2021-02-24
德国和荷兰的研究人员已经使用金属有机化学气相沉积（ MOCVD ）来创建AlScN势垒高电子迁移率晶体管（ HEMT ） 。该团队还使用氮化硅（ SiNx ）盖材料来代替更常见的氮化镓（ GaN ） ，据该团队所知该材料此前从未被研究过。AlScN的研究工作建立在一篇关于MOCVD增长报告的基础上，该报告由弗劳恩霍夫应用固体物理研究所（...
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硅基混合式IIII–V TFET和MOSFET
2021-02-24
瑞士的IBM Research Europe和洛桑联邦理工学院（ EPFL ）共同开发了一种工艺，用于硅衬底上的混合III-V隧道场效应晶体管（ TFET ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET ）制造。与MOSFET的62mV/decade相比，使用带间隧穿而不是热电子发射使TFET能够实现低得多的亚阈值摆幅（ SS ） ，低至42mV/decade 。该团队使用...
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国家纳米中心等在金属纳米颗粒晶体管研究中取得进展
2021-02-23
电荷输运机制的研究是设计与构筑新型纳米电子器件的基础。和半导体器件中的电子信号不同，生命体内信息的处理往往基于复杂的离子和电子同时参与的物质输运过程。因此，揭示离子电荷与电子电荷耦合输运的基本规律，通过人工操控两种电荷之间的相互作用与输运过程以构筑纳米电子器件具有重要的科学意义、创新性与应用价值...
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