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大连化物所制备出高性能碱性锌铁液流电池离子传导膜
2021-06-11
近日，中国科学院大连化学物理研究所储能技术研究部研究员李先锋、副研究员袁治章团队在碱性锌铁液流电池离子传导膜方面取得进展，制备出高性能碱性锌铁液流电池离子传导膜。近年来，该团队通过离子传导膜的结构设计，通过调控离子传导膜的荷电特性（ Nat . Commun . ， 、导热特性( Angew . Chem . Int . Ed . , 、机械...
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上海光机所计算光刻技术研究取得进展
2021-06-10
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边（ Virtual Edge ）与双采样率像素化掩模图形（ Mask pixelation with two-phase sampling ）的快速光学邻近效应修正技术（ Optical proximity correction , OPC ） 。借助修正策略和修正约束，实现高效的局部修正和全局轮廓保真度控...
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科学家发现超快电荷存储原理
2021-06-10
近日，复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对主流电荷存储器技术，发现了硅基闪存技术的原理瓶颈，提供了可以应用于硅材料的器件模型，实现了超快速度，为统一存储器的发展提供了技术途径。相关成果在线发表于《自然—纳米技术》。闪存自从实现商业化技术后，在量子隧穿机制下工作的硅基闪存编程时间一直在百微秒量级，无...
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节省空间：将电容器嵌入中介层以加强小型化
2021-06-10
东京工业大学的科学家们开发了一种3D功能中介层，即芯片和封装基板之间的接口，在此可嵌入电容器。该团队将在《 2021年IEEE电子元件和技术会议论文集》上发表的最新的研究成果显示，利用硅中介层（将集成芯片与电路封装或其他芯片保持并垂直连接的平面接口，可以制成功能电容器，省了大量空间，带来了巨大的效益。来源机...
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ROHM开发出8V栅极耐压150V GaN HEMT
2021-06-10
功率半导体制造商ROHM宣布开发出8V栅极耐压（栅极-源极间额定电压）技术，并应用于150V 氮化镓高电子迁移率晶体管 （150V GaN HEMT）器件，以适应工业设备和通信设备为首的各种电源电路。除了量产碳化硅（SiC）器件和各种功能丰富的硅器件外，ROHM还开发了在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件，并且ROHM在其...
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Sivers Photonics、Imec和ASM AMICRA合作实现了InP DFB激光器的晶圆级集成
2021-06-09
瑞典Sivers Semiconductors AB 表示，其子公司 Sivers Photonics与合作伙伴比利时纳米电子研究中心Imec和德国AMICRA Microtechnologies GmbH 一起完成了一项联合硅光子学项目。在该项目中，研究人员实现了从 Sivers 的 InP100 平台到 Imec的硅光子学平台 （SiPP） 的磷化铟 （InP）分布式反馈（DFB）激光器的晶圆级集成...
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物理所等提出高能量密度锂电池新策略
2021-06-08
高能量密度是储能器件未来的重要发展方向，锂离子电池作为性能优异的储能器件在过去几十年被广泛使用。理论上电池器件的能量密度在材料层面由其理论能量密度决定，但是在电极层面由于需要引入大量非活性成分（电解质，导电添加剂和粘合剂）用于保障电极材料离子和电子输运能力从而使得电极材料层面的能量密度通常小于材...
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深圳先进院开发出高性能柔性液态金属复合屏蔽材料
2021-06-08
近日，中国科学院深圳先进技术研究院、深圳先进电子材料国际创新研究院孙蓉团队在Chemical Engineering Journal上。发表了题为Flexible liquid metal/cellulose nanofiber composites film with excellent thermal reliability for highly efficient and broadband EMI shielding的研究成果，硕士生廖思远为论文第一作者...
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理论物理所提出近阈奇特强子态的统一解释及新预言
2021-06-07
近年来，世界各地的高能物理实验涌现出较多的奇特强子态的信号，对其内部结构的研究成为强子物理领域的焦点之一。奇特强子态，是其内部结构不同于传统夸克模型中夸克-反夸克构成的介子或三个夸克构成的重子的强子。科研人员构造模型无关的非相对论有效场论，探究对强子之间的低能散射，发现阈值附近散射振幅的一般性行为...
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大连化物所制备出高性能二维钙钛矿太阳电池
2021-06-04
近日，中国科学院大连化学物理研究所太阳能研究部薄膜太阳能电池研究组研究员刘生忠团队与陕西师范大学教授赵奎合作，在二维Dion-Jacobson （ DJ ）钙钛矿成膜控制研究中取得新进展，制备出高效率芳香族二维DJ钙钛矿太阳电池。因此，通过提升薄膜质量、优化量子阱的厚度分布，有利于提高二维钙钛矿太阳电池的电荷传输效...
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翻转90°的电子世界，微电子所新型GAA结构研究获进展
2021-06-04
中科院微电子所近期发表了先导工艺研发中心团队在垂直纳米环栅器件领域获得的最新进展，该类型器件通过在垂直方向构建晶体管结构，大大减少了器件占用面积，在3nm以下先进集成电路制造工艺领域极具应用潜力。针对器件样品，研究了VSAFET的特性，以及金属硅化物工艺、 Si-Cap 、沟道Ge含量和热处理过程等器件性能影响因素...
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GaN击穿电压超过10kV
2021-05-31
来自美国弗吉尼亚理工学院和州立大学以及中国苏州晶湛半导体有限公司的研究团队宣布，制造了具有 p-GaN 降低表面场（RESURF）结构的多通道肖特基势垒二极管（(SBD），旨在降低峰值电场，扩展击穿能力，同时多通道结构还降低了导通电阻，研究人员声称，该氮化镓（GaN）功率器件的测量得到了最高击穿电压值，超过10 kV。器...
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西安光机所等在集成光频梳研究中取得进展
2021-05-28
近期，中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室研究员张文富、赵卫课题组与北京大学物理学院、纳光电子前沿科学中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室教授肖云峰、龚旗煌院士课题组合作，在集成微腔光频梳领域取得进展。为此，研究人员引入外部控制光场，通过其与泵浦光拍频形成的腔内光...
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大连化物所研发出铌基异质结构纳米片
2021-05-27
近日，中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组研究员吴忠帅团队设计并制备出一种氮化铌-氧化铌异质结构纳米片，可同时作为锂硫电池的正极与负极载体，有效抑制了多硫化物的穿梭效应和金属锂负极枝晶的生长，应用该异质结构的锂硫电池在贫电解液、低负正极容量比、高硫载量条件...
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半导体所等在Kagome量子自旋液体分数化自旋激发研究中获进展
2021-05-27
量子自旋液体是一种新的物质形态，可用拓扑序的长程多体纠缠来描述。研究发现， Cu3Zn ( OH ) 6FBr的晶格在4 K-300 K下没有发生畸变，且存在E2g的磁激发连续谱，可分解为自旋子-反自旋子对（ 1P ）和双自旋子-反自旋子对（ 2P ）的激发，与Kagome量子自旋液体的相关理论计算结果相吻合，其中1P的磁激发是自旋子激发的指...
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铋材料电极有望延续摩尔定律
2021-05-27
目前，半导体主流制程主要采用硅作为主流材料。然而，由于金属诱导隙态（ MIG ）金属-半导体界面上的能量势垒从根本上导致高接触电阻和低电流传输能力，迄今为止限制了二维半导体晶体管的改进。台湾大学、台积电与美国麻省理工学院使用半金属铋（ Bi ）材料制作二维材料的接触电极，可大幅降低电阻并提高电流，促进更小...
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新加坡与日本研究人员开发出收集Wi-Fi信号的小型电子设备供电技术
2021-05-27
多年来，科学家们一直在努力寻找高效收集环境中的无线电波，以便为小型设备供电的新方法。不过迄今为止，这些信号的来源，始终没能向无线网络（Wi-Fi）那样普及。近日，来自新加坡国立大学（NUS）的一支研究团队，就介绍了他们新开发的一款能够为 LED 和其它小型电子设备/ 传感器供电的新型芯片。多年来，收集环境中的无...
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渐变AlGaN沟道HEMT的线性功率
2021-05-25
美国HRL实验室和圣母大学（ University of Notre Dame ）声称，在30GHz时，镓极性氮化镓高电子迁移率晶体管（ HEMT ）的截止频率（ fT ）功率密度乘积为858GHzW / mm 。碳化硅（ SiC ）上的外延材料结构具有沟道结构，该沟道结构由GaN上方的渐变AlGaN层组成，该阻挡层具有25 ％的Al含量。为了降低接触电阻，制造的晶体管...
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物理所基于软模板的原子层组装技术实现多重纳米结构的精准调控加工
2021-05-25
利用各种纳米加工技术制备的纳米结构和器件在微纳光子学、微纳电子学、生物学及纳米能源等领域发挥了重要作用，但同时也对纳米加工的尺寸、形状、空间排列和组装等工艺控制提出了越来越高的要求。这种原子层组装纳米加工方法赋予了传统的曝光和组装技术以更强大的加工能力和潜能，在多重纳米结构的可控加工中展现出较好...
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化学所等在高稳定性聚合物FET研究中取得进展
2021-05-25
有机场效应晶体管（ OFET ）作为有机电子电路的基本构筑单元，已在柔性显示驱动、电子皮肤以及电子标签等领域展现出应用潜力。在国家自然科学基金委员会、科技部和中国科学院的支持下，中科院化学研究所有机固体实验室研究员郭云龙和中科院院士、研究员刘云圻与天津大学教授胡文平教授合作，基于优异的分子结构设计，利...
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