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ROHM开发出8V栅极耐压150V GaN HEMT
2021-06-10
功率半导体制造商ROHM宣布开发出8V栅极耐压（栅极-源极间额定电压）技术，并应用于150V 氮化镓高电子迁移率晶体管 （150V GaN HEMT）器件，以适应工业设备和通信设备为首的各种电源电路。除了量产碳化硅（SiC）器件和各种功能丰富的硅器件外，ROHM还开发了在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件，并且ROHM在其...
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Sivers Photonics、Imec和ASM AMICRA合作实现了InP DFB激光器的晶圆级集成
2021-06-09
瑞典Sivers Semiconductors AB 表示，其子公司 Sivers Photonics与合作伙伴比利时纳米电子研究中心Imec和德国AMICRA Microtechnologies GmbH 一起完成了一项联合硅光子学项目。在该项目中，研究人员实现了从 Sivers 的 InP100 平台到 Imec的硅光子学平台 （SiPP） 的磷化铟 （InP）分布式反馈（DFB）激光器的晶圆级集成...
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物理所等提出高能量密度锂电池新策略
2021-06-08
高能量密度是储能器件未来的重要发展方向，锂离子电池作为性能优异的储能器件在过去几十年被广泛使用。理论上电池器件的能量密度在材料层面由其理论能量密度决定，但是在电极层面由于需要引入大量非活性成分（电解质，导电添加剂和粘合剂）用于保障电极材料离子和电子输运能力从而使得电极材料层面的能量密度通常小于材...
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深圳先进院开发出高性能柔性液态金属复合屏蔽材料
2021-06-08
近日，中国科学院深圳先进技术研究院、深圳先进电子材料国际创新研究院孙蓉团队在Chemical Engineering Journal上。发表了题为Flexible liquid metal/cellulose nanofiber composites film with excellent thermal reliability for highly efficient and broadband EMI shielding的研究成果，硕士生廖思远为论文第一作者...
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理论物理所提出近阈奇特强子态的统一解释及新预言
2021-06-07
近年来，世界各地的高能物理实验涌现出较多的奇特强子态的信号，对其内部结构的研究成为强子物理领域的焦点之一。奇特强子态，是其内部结构不同于传统夸克模型中夸克-反夸克构成的介子或三个夸克构成的重子的强子。科研人员构造模型无关的非相对论有效场论，探究对强子之间的低能散射，发现阈值附近散射振幅的一般性行为...
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大连化物所制备出高性能二维钙钛矿太阳电池
2021-06-04
近日，中国科学院大连化学物理研究所太阳能研究部薄膜太阳能电池研究组研究员刘生忠团队与陕西师范大学教授赵奎合作，在二维Dion-Jacobson （ DJ ）钙钛矿成膜控制研究中取得新进展，制备出高效率芳香族二维DJ钙钛矿太阳电池。因此，通过提升薄膜质量、优化量子阱的厚度分布，有利于提高二维钙钛矿太阳电池的电荷传输效...
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翻转90°的电子世界，微电子所新型GAA结构研究获进展
2021-06-04
中科院微电子所近期发表了先导工艺研发中心团队在垂直纳米环栅器件领域获得的最新进展，该类型器件通过在垂直方向构建晶体管结构，大大减少了器件占用面积，在3nm以下先进集成电路制造工艺领域极具应用潜力。针对器件样品，研究了VSAFET的特性，以及金属硅化物工艺、 Si-Cap 、沟道Ge含量和热处理过程等器件性能影响因素...
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GaN击穿电压超过10kV
2021-05-31
来自美国弗吉尼亚理工学院和州立大学以及中国苏州晶湛半导体有限公司的研究团队宣布，制造了具有 p-GaN 降低表面场（RESURF）结构的多通道肖特基势垒二极管（(SBD），旨在降低峰值电场，扩展击穿能力，同时多通道结构还降低了导通电阻，研究人员声称，该氮化镓（GaN）功率器件的测量得到了最高击穿电压值，超过10 kV。器...
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西安光机所等在集成光频梳研究中取得进展
2021-05-28
近期，中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室研究员张文富、赵卫课题组与北京大学物理学院、纳光电子前沿科学中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室教授肖云峰、龚旗煌院士课题组合作，在集成微腔光频梳领域取得进展。为此，研究人员引入外部控制光场，通过其与泵浦光拍频形成的腔内光...
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大连化物所研发出铌基异质结构纳米片
2021-05-27
近日，中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组研究员吴忠帅团队设计并制备出一种氮化铌-氧化铌异质结构纳米片，可同时作为锂硫电池的正极与负极载体，有效抑制了多硫化物的穿梭效应和金属锂负极枝晶的生长，应用该异质结构的锂硫电池在贫电解液、低负正极容量比、高硫载量条件...
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半导体所等在Kagome量子自旋液体分数化自旋激发研究中获进展
2021-05-27
量子自旋液体是一种新的物质形态，可用拓扑序的长程多体纠缠来描述。研究发现， Cu3Zn ( OH ) 6FBr的晶格在4 K-300 K下没有发生畸变，且存在E2g的磁激发连续谱，可分解为自旋子-反自旋子对（ 1P ）和双自旋子-反自旋子对（ 2P ）的激发，与Kagome量子自旋液体的相关理论计算结果相吻合，其中1P的磁激发是自旋子激发的指...
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铋材料电极有望延续摩尔定律
2021-05-27
目前，半导体主流制程主要采用硅作为主流材料。然而，由于金属诱导隙态（ MIG ）金属-半导体界面上的能量势垒从根本上导致高接触电阻和低电流传输能力，迄今为止限制了二维半导体晶体管的改进。台湾大学、台积电与美国麻省理工学院使用半金属铋（ Bi ）材料制作二维材料的接触电极，可大幅降低电阻并提高电流，促进更小...
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新加坡与日本研究人员开发出收集Wi-Fi信号的小型电子设备供电技术
2021-05-27
多年来，科学家们一直在努力寻找高效收集环境中的无线电波，以便为小型设备供电的新方法。不过迄今为止，这些信号的来源，始终没能向无线网络（Wi-Fi）那样普及。近日，来自新加坡国立大学（NUS）的一支研究团队，就介绍了他们新开发的一款能够为 LED 和其它小型电子设备/ 传感器供电的新型芯片。多年来，收集环境中的无...
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渐变AlGaN沟道HEMT的线性功率
2021-05-25
美国HRL实验室和圣母大学（ University of Notre Dame ）声称，在30GHz时，镓极性氮化镓高电子迁移率晶体管（ HEMT ）的截止频率（ fT ）功率密度乘积为858GHzW / mm 。碳化硅（ SiC ）上的外延材料结构具有沟道结构，该沟道结构由GaN上方的渐变AlGaN层组成，该阻挡层具有25 ％的Al含量。为了降低接触电阻，制造的晶体管...
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物理所基于软模板的原子层组装技术实现多重纳米结构的精准调控加工
2021-05-25
利用各种纳米加工技术制备的纳米结构和器件在微纳光子学、微纳电子学、生物学及纳米能源等领域发挥了重要作用，但同时也对纳米加工的尺寸、形状、空间排列和组装等工艺控制提出了越来越高的要求。这种原子层组装纳米加工方法赋予了传统的曝光和组装技术以更强大的加工能力和潜能，在多重纳米结构的可控加工中展现出较好...
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化学所等在高稳定性聚合物FET研究中取得进展
2021-05-25
有机场效应晶体管（ OFET ）作为有机电子电路的基本构筑单元，已在柔性显示驱动、电子皮肤以及电子标签等领域展现出应用潜力。在国家自然科学基金委员会、科技部和中国科学院的支持下，中科院化学研究所有机固体实验室研究员郭云龙和中科院院士、研究员刘云圻与天津大学教授胡文平教授合作，基于优异的分子结构设计，利...
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物理所等证实磁性拓扑半金属EuB6
2021-05-24
2020年，中国科学院院士、中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员方忠和物理所T03组博士生聂思敏（现为斯坦福大学博士后） 、特聘研究员王志俊、研究员翁红明、香港科技大学教授戴希等（ Phys . Rev . Lett . ？ 124 , 076403.物理所EX7组博士生高顺业和研究员钱天、研究员丁洪， EX10组博士后伊长江和研究...
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微电子所在全线性神经元SOT磁性存储器件研究中取得新进展
2021-05-21
近期，微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组与中科院半导体所王开友研究员课题组合作研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合（ SOT ）磁性存储器件，并实现了低能耗、可编辑的突触功能，对基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。当前，存算一体和人工智能神经网络芯片领域亟需...
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过程工程所等开发出“一步机械化学法”制备钠电池正极材料
2021-05-20
储能技术是可再生能源发电并网和智能电网应用普及的核心技术，也是实现我国碳中和及碳达峰目标的关键技术之一，尤以电化学储能为突出形式。近日，中国科学院过程工程研究所和中科院物理研究所清洁能源团队合作，在钠电池正极材料的规模化制备研究中取得进展，开发出“一步机械化学法”快速制备钠电池聚阴离子正极材料氟...
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上海光机所提出同步调控ENZ材料饱和与反饱和吸收的原理及方法
2021-05-18
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室揭示了Epsilon-Near-Zero （ ENZ ）材料在超快激光作用下束缚电子和自由电子的竞争行为，提出了同步调控ENZ材料饱和吸收（ SA ）与反饱和吸收（ RSA ）的原理及方法，拓宽了其在ENZ波段的非线性光学响应调控能力。该研究中，研究人员探究了典型ENZ材料（氧化铟锡）...
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