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近锯齿型单一手性碳纳米管宏量分离研究取得进展
2021-05-10
单一手性碳纳米管的规模化制备是揭示碳纳米管新奇物理特性，发展其应用的前提和基础，被认为是碳纳米管研究领域的“圣杯” 。随着手性角的减小，碳纳米管光子发射能量逐渐红移，最终坍缩到单一的发射态，表明小手性角的锯齿型或近锯齿型碳纳米管在单光子发射器件方面可能具有较好的应用前景。目前，对于锯齿型和近锯齿型...
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用于Ga2O3热管理的金刚石
2021-05-10
美国的研究人员表示，多晶金刚石沉积工艺的发展，推动了β - Ga2O3电子器件的设备级热管理研究向前迈出重要的一步。研究人员发现，超声波种子不能用于后续的CVD工艺，因为种子沉积会产生裸露的Ga2O3斑块，而该部分会被CVD反应室中的氢等离子体分解，这会造成不连续的金刚石层。而且，由于通过降低金刚石和介电层之间的CT...
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IBM推出全球首个2纳米芯片制造技术
2021-05-10
在下一代制程竞争中， IBM宣布拔得头筹，成功推出世界上第一组2纳米芯片制程。IBM称介绍称，一个指甲大小的2纳米芯片就能容纳多达500亿个晶体管，每条晶体管的体积相等于两条DNA链。？ IBM以前也曾生产过芯片，但目前已把主要的芯片量产工作外包给三星电子，但有纽约州奥尔巴尼芯片制造研发中心用以试产，并与三星、英特...
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国家纳米中心自旋场效应晶体管研究获进展
2021-04-28
晶体管的发明对无线电科学技术产生了重要影响，使电子计算机发生了变革，人类由此进入信息时代。相关研究成果以A room-temperature four-terminal spin field effect transistor为题，发表在Nano Today上，国家纳米中心博士生刘佳和彭志盛为论文的共同第一作者。国家纳米科学中心研究员孙连峰、褚卫国、副研究员李勇军，...
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微电子所在氧化物栅控离子晶体管方面取得新进展
2021-04-28
随着人工智能、物联网等新兴信息技术的发展，信息处理已由计算密集型向数据密集型转移，亟需具有非结构化数据处理能力的低延时、低能耗边缘计算系统，满足终端设备对未来海量非结构化数据处理能力的需求。受生物启发的脉冲神经网络（ SNN ）因其使用稀疏、异步的脉冲序列作为输入/输出，并以存内计算的方式处理信息而具...
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化学所电催化反应的原位表征研究获进展
2021-04-27
在原子与分子水平上研究电催化剂的表面结构与电催化反应中的表面过程，有助于理解催化活性位点的作用机制，从而促进电催化剂的实际应用。原位调控CO2还原反应开启后，研究人员从STM图像中观察到高对比度的复合物转化为了低对比度的催化剂分子，且这一转化过程能够随电位调整可逆进行。该综述介绍了贵金属催化剂、非贵金...
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新型网状β-EuSn2As2高压晶体结构及其两步重构相变机制研究获进展
2021-04-27
近年来，拓扑绝缘体由于独特的能带结构和受拓扑保护的量子性质，是凝聚态物理领域中重要的研究方向。因为在这类磁性拓扑绝缘体中，磁性和拓扑表面态之间的相互作用会产生许多奇异的拓扑量子效应，如量子反常霍尔效应、手性马约拉纳费米子和轴子绝缘体等。近日，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员王...
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物理所在氧空位有序诱导的高温铁磁钴氧化物薄膜研究中获进展
2021-04-27
针对钴酸镧薄膜是否能够通过物理调控手段提高其铁磁居里温度并保持其绝缘特性成为该研究领域重点关注的问题。最近，副研究员张庆华、研究员谷林和郭尔佳等组成研究团队，利用原位真空退火压应力作用下的LaCoO3薄膜，诱导氧离子脱出并形成交叉排列的氧空位有序，实现了居里温度约为284 K的近室温绝缘铁磁特性的LaCoO2.5薄...
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上海硅酸盐所在机器学习辅助微波介质陶瓷研究中取得进展
2021-04-27
微波介质陶瓷作为微波集成电路基板、介质谐振器、介质天线等通信电子元器件的关键材料，近年来随着5G / 6G技术的蓬勃发展，受到越来越广泛的关注。近期，中国科学院上海硅酸盐研究所无源集成器件与材料研究团队采用机器学习方法，研究微波介质陶瓷的材料特征与介电性能之间的关系，提出了一种普适性强、准确性高的介电常...
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宁波材料所在复合固体电解质离子迁移机制研究中取得进展
2021-04-26
相对传统的液态电解质锂离子电池，采用固体材料作为电解质的全固态电池具有更高的能量密度和安全性。其中，以聚合物固态电解质为基体、无机固态电解质为填料所制备的复合固态电解质，具有良好的电极-电解质界面接触及较高的离子电导率，其是近年来的研究热点。理解复合固体电解质中电荷迁移及其结构演变是设计高性能固体...
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国家纳米中心在钙钛矿-氧化锌异质结的光电性能研究中获进展
2021-04-26
钙钛矿材料具有较高的光吸收系数、载流子迁移率、较低的缺陷态浓度等优异的光电性质，近年来引发关注。氧化锌可以钝化钙钛矿并消除其表面和晶界上的陷阱态，有利于载流子的传输，从而改善其光电性能。？近日，国家纳米科学中心研究员孙连峰课题组与研究员谢黎明课题组合作，设计制备出一种三维钙钛矿-一维氧化锌（ CsPbB...
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上海光机所在基频激光辐照下双离子溅射薄膜的激光损伤研究中取得进展
2021-04-26
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在基频激光辐照下双离子溅射薄膜的激光损伤研究中取得进展，结合损伤破坏机制和过程分析，对溅射致密薄膜出现的高低能量下不同的破坏做了较好的解释。薄膜的激光损伤是激光系统中的瓶颈，溅射空间薄膜的激光损伤关系到整个航天器任务的发射和运行的稳定性。针对常...
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纳米流体通道实现高效渗透能捕获
2021-04-26
海水和河水之间的渗透压差是一种具有前景的可再生能源，但当前的渗透能转换过程功率输出有限，主要是没有专门用于渗透能转换的高性能的离子选择性透过膜。从有无表面可离子化基团的角度，讲述了材料在水中的若干种典型带电机制，并进一步介绍了可以实现高性能渗透能量转换的若干先进膜结构，即离子二极管膜、具有三维界...
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福建物构所单晶异质结偏振光探测研究获进展
2021-04-20
偏振光电探测在近场成像、遥感、光学开关、高分辨探测和通信等领域具有广阔的应用前景。近年来，二维有机无机杂化钙钛矿材料因其独特的结构各向异性和优异的半导体性能，在偏振光电探测方面展现出潜力。然而，受其光学各项异性的限制，在二维有机无机杂化钙钛矿材料中实现高偏振特性的光探测仍具有挑战性。中国科学院福...
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硅片逻辑里的叠层III-V射频布线
2021-04-20
韩国的研究人员声称，针对栅长超过100nm的RF晶体管，采用硅电路的三维单片集成（M3D），可以实现最高截止频率和最大振荡频率。研究人员认为，III-V材料与硅电路的结合将促进毫米波范围内的混合信号射频模拟和数字逻辑功能的发展。III-V材料可通过分子束外延（MBE）在磷化铟（InP）衬底上生长。沟道区是砷化铟镓（InGaAs...
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用新方法观察高铟浓度InGaN LED中的成分波动
2021-04-20
来自新加坡麻省理工学院科技联合项目（SMART）的低能耗电子系统（LEES）跨学科研究小组（IRG）与麻省理工学院（MIT）和新加坡国立大学（NUS）共同找到了一种方法，以量化不同铟浓度下氮化铟镓（InGaN）量子阱（QWs）中成分波动的分布。InGaN发光二极管因其高效率、耐用性和低成本彻底改变了固态照明。可以通过改变InGaN...
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化学所在金属有机框架材料薄膜的可控生长研究中取得进展
2021-04-16
二维纳米材料制备技术的快速发展为高性能电子器件的设计与应用提供了重要基础。由于电子器件需要在介电层上进行组装与集成，因此，研究有机分子的自组装行为，在绝缘衬底表面上直接构筑均匀的二维纳米材料对于研究材料的基本物理性质、开发规模化应用具有重要意义。中国科学院化学研究所有机固体实验室科研人员在金属有...
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化学所在高稳定性n-型光伏材料研究中取得进展
2021-04-15
有机光伏具有质轻、柔性和可大面积加工等优点，受益于分子光伏受体材料的发展，其能量转换效率已达到18%。为实现商业化应用，材料和器件的长期光热稳定性仍面临挑战。传统D-A型电子受体材料普遍采用3-（二氰基亚甲基）靛酮（INCN）及其衍生物作为强拉电子末端，但INCN类受体材料在光、水氧、热和碱等作用下易发生降解，...
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新型“双高”混合型电化学储能器件问世
2021-04-15
锂离子电池和超级电容器是常用的电化学储能器件。传统锂离子电池受限于迟缓的体相反应，功率性能较差；超级电容器利用快速表面过程存储电荷，能量密度较低，这两个“种子选手”并不适用于对能量和功率密度都有较高要求的应用场景。近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴忠帅团队在混合型电化学储能器件研制方面取...
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宁波材料所在二硫化钼介电微波吸收领域研究中取得进展
2021-04-15
随着电子通讯技术的发展，各类小型化、智能化和高度集成化的电子设备层出不穷，给生活带来巨大便利的同时也产生了大量电磁辐射。这些电磁辐射不仅影响电子设备的正常运行，还会危害人类健康。因此，电磁波吸收材料（吸波材料）的研究尤为迫切。吸波材料能够将入射电磁波的电磁能量转换为热能或利用材料结构使入射微波产...
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