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GaN 低压设计实现紧凑型三相电机逆变器IC
2021-06-21
在电池供电应用、汽车行业和IT基础设施中， 48V技术正在兴起。为了满足这一需求，弗劳恩霍夫应用固态物理研究所IAF正在研究用于电力电子应用的GaN集成电路，并且适用于48V的低电压条件。他们进一步将三个这样的半桥集成到电机逆变器GaN集成电路中，实现了一种先进的GaN集成电路封装技术几年来， GaN-on-Si高电子迁移率晶...
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科研人员解析出强磁场条件下不同类型磁性拓扑半金属的磁结构
2021-06-21
近日，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心副研究员朱文卡、研究员张蕾，与华中科技大学教授田召明、安徽大学博士刘威等合作，利用稳态强磁场实验装置，解析出不同类型磁性拓扑半金属的磁结构。同时，研究表明，磁结构和磁耦合对于各种拓扑非平庸量子态的形成和演化至关重要，磁性和拓扑非平庸态之间的联系已在...
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光学微纳操控研究取得进展
2021-06-21
光学微操控（光镊）技术作为微纳尺度下研究物体运动及其相互作用的关键技术，具有重要的应用价值，因其具有非接触、无损伤、精度高等优点，在物理、化学、微机械、生物大分子互作等领域应用广泛。当圆偏振高斯光束经过汇聚后其自旋角动量可转化为轨道角动量，进而使被物体产生轨道旋转。近日，中国科学院遗传与发育生物...
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温域变宽锂离子电池不再“娇贵”
2021-06-21
无人机可在江、浙、沪地区飞行1个小时左右，但在高原地区却只能飞行几十秒；在东北地区冬季或华南地区夏季，电动汽车耗电更快，行驶里程变短……这些现象的出现正是由于锂离子电池耐候性差所致。于是，科学家开始将研发重点聚焦在新一代宽温域锂离子电池有机电解质体系上。近日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究...
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上海光机所在可见光激光玻璃材料研究中取得进展
2021-06-18
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光单元技术实验室选择ZBLAN基质，通过Dy3 +共掺杂，显著提高了Tb3 +的发光。其中， Tb3 +离子因具有相对简单的能级结构，成为绿光发射潜在的激活离子，但其蓝紫光区域吸收截面较低，这限制了其高功率激光输出。但以往的研究都聚焦于氧化物玻璃基质，对于氟化物玻璃基质尚...
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上海光机所在光纤时频相同步研究中取得进展
2021-06-17
中国科学院上海光学精密机械研究所空间信息传输与探测技术重点实验室在光纤时频相同步研究中取得进展，提出了一种过零检测和优化控制策略的绝对相位标记技术，标记精度达到皮秒级，并成功应用于光纤远程站点间的时间、频率与相位的同时同步与相干传输。在25 km光纤链路下校准了传输延迟，本远地各信号间的相对延迟如下表...
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宁波材料所在宽温域锂离子有机电解质研究方面取得进展
2021-06-17
锂离子电池应用领域逐步扩大，从笔记本、手机电脑等便携产品迅速向电动工具、电动汽车以及光伏电站储能等领域扩展。当温度升高时， ADN分子参与溶剂化的数量基本保持不变， EC溶剂分子参与溶剂化的数量降低， TFSI -和ODFB -锂盐阴离子参与溶剂化的数量提高，即更多的锂盐阴离子能参与反应，实现在电极表面生成致密无机...
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上海高研院在柔性触觉传感研究中取得进展
2021-06-17
电子皮肤是通过电学信号的集成与反馈来模拟人体皮肤感受外界刺激（压力、温度、湿度）的新型电子器件。过去几十年，电子皮肤因在智能机器人、健康监测、可穿戴设备和人机交互方面具有广阔的应用前景而广受关注。在电子皮肤的各种感知功能中，触觉感知功能尤为重要。上海高研院科研人员通过模拟人体皮肤的结构和传感机制...
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自主路线超导二极磁体场强达到12特斯拉
2021-06-17
6月13日，中国科学院高能物理研究所高场超导磁体团队研制的全国产超导二极实验磁体，在新一轮性能测试实验中取得重要进展，该磁体在4.2K下两个孔径内实现超过12特斯拉（ T ， Tesla ）磁场强度，达到超导线材临界性能的85%以上。同时，性能大幅提升的下一代高场超导磁体技术，有望在高精度医疗、低损耗电力及交通系统等...
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金属所在晶界-表面截交线对强度的作用研究中获进展
2021-06-17
作为两种面缺陷间的几何交线，表面-晶界截交线（ surface triple junction或STJ ）是多晶体材料表面上的常见线缺陷。近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心研究员金海军团队在上述问题的研究中取得进展。由于晶界对电化学修饰不敏感，通过电化学控制表面状态并观察其对强度的影响，即可在纳米晶纳米多孔金...
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Cu2SnSe3材料体系热电性能调控研究获进展
2021-06-16
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体所能源材料与器件制造研究部研究员秦晓英课题组在Cu2SnSe3材料体系热电性能调控方面取得进展。研究人员利用能带结构综合调控与多维缺陷散射声子显著提升了Cu2SnSe3的热电性能，使得Cu2Sn0.82In0.18Se2.7S0.3的热电优值ZT在858K时高达1.51 ，为Cu2SnSe3基材料的热电性能调控提供了...
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大连化物所揭示锌基液流电池中浓度梯度诱导下的锌沉积过程
2021-06-16
中国科学院大连化学物理研究所储能技术研究部研究员李先锋团队针对锌基液流电池充电时电解液中锌离子浓度持续降低的特点，深入研究了不同浓度下的锌沉积过程，阐明了锌沉积形貌与电池性能的关系，为锌基液流电池高稳定性锌负极的构筑奠定了理论基础。因此，探究锌离子浓度与形貌演变规律，阐明其与电池性能的关系，对锌...
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物理所找到单层FeSe薄膜中存在高达83 K超导配对温度的谱学证据
2021-06-16
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心超导国家重点实验室周兴江研究组的博士生徐煜、戎洪涛、吴定松以及副研究员王庆艳和赵林等人利用高分辨角分辨光电子能谱技术，对制备的高质量单层FeSe/STO超导薄膜进行了系统的电子结构和超导电性的研究。研究人员利用自行研制的分子束外延系统（ MBE ） ，通过优化薄膜...
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深圳先进院开发出嵌入式表面金属化电磁屏蔽复合泡沫材料
2021-06-16
随着电子器件与通讯设备不断朝着轻薄化、高频化方向快速发展，电磁干扰（ electromagnetic interference ， EMI ）问题愈发严重，迫切需要高性能电磁屏蔽材料来解决这一问题。研究人员以苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物（ poly ( styrene-block-butadiene-block-st ， SBS ）为聚合物基体，碳纳米管（ carbon nanotubes ...
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用于电动汽车充电器的SiC MOSFET 模块
2021-06-15
安森美半导体为推出了一款1200V SiC MOSFET 2-PACK 模块，可用于电动汽车充电器。EC充电桩功率需要需要超过 350 kW，标准效率为95%。全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模块基于平面技术打造，适用于18-20 V范围内的驱动电压，易于使用负栅极电压驱动。与沟槽 MOSFET 相比，较大的芯片可降低热阻，可以在相同的工作温度...
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二硫化钼垂直晶体管——沟道长度低至一个原子层
2021-06-15
垂直晶体管的沟道长度取决于半导体厚度，该晶体管对于新一代电子设备的开发非常具有有价值。传统的平面晶体管是分层构建的，并且所有连接都在同一平面上，与传统的平面晶体管不同，垂直晶体管可能更便宜，且更容易制造。 到目前为止，创建具有短沟道长度的垂直器件仍然具有很高的挑战性，这主要是由于高能金属化工...
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大连化物所制备出高性能碱性锌铁液流电池离子传导膜
2021-06-11
近日，中国科学院大连化学物理研究所储能技术研究部研究员李先锋、副研究员袁治章团队在碱性锌铁液流电池离子传导膜方面取得进展，制备出高性能碱性锌铁液流电池离子传导膜。近年来，该团队通过离子传导膜的结构设计，通过调控离子传导膜的荷电特性（ Nat . Commun . ， 、导热特性( Angew . Chem . Int . Ed . , 、机械...
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上海光机所计算光刻技术研究取得进展
2021-06-10
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边（ Virtual Edge ）与双采样率像素化掩模图形（ Mask pixelation with two-phase sampling ）的快速光学邻近效应修正技术（ Optical proximity correction , OPC ） 。借助修正策略和修正约束，实现高效的局部修正和全局轮廓保真度控...
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科学家发现超快电荷存储原理
2021-06-10
近日，复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对主流电荷存储器技术，发现了硅基闪存技术的原理瓶颈，提供了可以应用于硅材料的器件模型，实现了超快速度，为统一存储器的发展提供了技术途径。相关成果在线发表于《自然—纳米技术》。闪存自从实现商业化技术后，在量子隧穿机制下工作的硅基闪存编程时间一直在百微秒量级，无...
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节省空间：将电容器嵌入中介层以加强小型化
2021-06-10
东京工业大学的科学家们开发了一种3D功能中介层，即芯片和封装基板之间的接口，在此可嵌入电容器。该团队将在《 2021年IEEE电子元件和技术会议论文集》上发表的最新的研究成果显示，利用硅中介层（将集成芯片与电路封装或其他芯片保持并垂直连接的平面接口，可以制成功能电容器，省了大量空间，带来了巨大的效益。来源机...
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