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兰州化物所在超级电容器应用拓展研究中获进展
2021-07-13
超级电容器能够提供超高的功率密度和超长的循环寿命，在辅助性应急电源、大功率电源、新能源电动车启停电源、能量回收系统及智能电网等方面得到广泛应用。因此，为了推进超级电容器的发展，在提高超级电容器的能量密度的同时，需要开发具有特殊功能的超级电容器来拓展其应用领域。,与商业活性炭匹配，将二极管的单向导通...
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三星3纳米芯片成功流片 有望明年实现量产
2021-07-09
据媒体报道，三星采用全环绕栅极架构（ Gate-All-Around FET ， GAA ）的3纳米制程技术已正式流片，性能上优于台积电的鳍式场效应架构（ FinFET ） 。？ GAA FET ： FinFET的继任者？专家称，相比台积电或英特尔所采用的3nm FinFET架构，在技术性能上， GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极...
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西安光机所研制出宽谱高效电磁屏蔽光学窗口元件
2021-07-09
近日，中国科学院西安光学精密机械研究所光子功能材料与器件研究室研究员王鹏飞带领的高通量辐射防护材料与技术课题组，研制出具有宽谱高效电磁屏蔽光学窗口元件。研究工作得到西安光机所空天技术部和基础科研部联合自主部属课题的支持，后续采用创新设计的高导电率光窗核心基质玻璃材料，有望继续提升电磁屏蔽光学窗口...
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福建物构所钙钛矿太阳能电池研究获进展
2021-07-07
缺陷钝化是提升钙钛矿太阳能电池光电转换效率与稳定性的有效方法。中国科学院福建物质结构研究所功能纳米结构设计与组装/福建省纳米材料重点实验室研究员高鹏将路易斯碱官能团与质子官能团于聚芳香共轭分子上进行组合，得到纯路易斯碱体系分子9CN-PMI与路易斯碱/质子体系分子4OH-NMI ，并将其引入到钙钛矿前驱体溶液中。...
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上海硅酸盐所在金属氟/硫基电池的界面催化和限域研究中取得进展
2021-07-07
随着储能需求日益增长，基于嵌入机制的锂离子电池难以满足诸如电动汽车和智能电网等长续航和大规模储能体系的性能要求。含内置锂源的LiF与低价态金属氧化物（或金属氟化物或过渡金属单质）复合正极可通过自驱动的转换反应实现高比容量的输出，但LiF的充分裂解通常需要匹配高充电电位（ 4.5 – 5.0 V ） ，从而导致电池的...
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城市环境所设计合成稀土掺杂双模式发光材料
2021-07-07
近年来，双模式发光多功能材料因其在防伪、显示、固态激光、太阳能电池、发光二极管、生物医学等领域的潜在应用而备受关注。近期，中国科学院城市环境研究所环境安全监测研究组（张洪武团队）设计合成了一种高效的稀土掺杂双模式发光材料。研究发现，较高的NaF/LnCl3比值不仅能够促进NaLuF4 : Ce3 + , Nd3 +荧光粉的晶相...
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福建物构所二维导电MOF电催化CO2研究获进展
2021-07-06
近年来，利用可再生能源产生的电能，将CO2电还原为各种高附加值化学品，是一条具有前景的实现碳平衡的路径，因而得到学界广泛关注。将该MOF直接应用于CO2电还原测试体系中， CO选择性最高可达98.4% ， CO部分电流密度最高可达34.5 mA cm-2 ，超过了目前报道的MOFs催化剂并能够媲美碳基单原子催化剂。同时，研究人员通过...
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上海高研院在晶体硅太阳电池研究中取得进展
2021-07-05
晶体硅（ c-Si ）太阳电池的降本增效是发展和普及光伏发电、实现“碳达峰、碳中和”目标的重要推动力。该研究中，研究人员以p-Si/Cu2O钝化接触异质结太阳能电池为研究对象，发现直接的p-Si/Cu2O接触将导致一个自发形成的亚化学计量比SiOX夹层。该研究揭示了p-Si/Cu2O钝化接触的界面特性和载流子传输机制，为减少其界面缺...
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金属所钼基双异质结光电探测器研究取得进展
2021-07-05
由于具有原子级厚度及独特的能带结构，二维半导体材料在光电器件应用领域展现出优势。中国科学院金属研究所与国内多家单位的科研团队合作，提出了一种提高光增益的新方法，选择合适沟道和电极材料进行能带匹配，使其在光照下晶体管源、漏端的势垒降低并形成正反馈，从而获得了超高灵敏度的二维材料光电探测器。该晶体管...
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研究人员在拓扑磁性材料中实现Dzyaloshinskii-Moriya相互作用的电调控
2021-07-05
近日，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心研究员田明亮、周建辉研、朱相德和澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授王澜课题组合作，在层状手性磁材料拓扑霍尔效应量子调控研究中取得进展。通过一种新型的质子门电压技术，研究人员在该体系中插层质子，并进一步实现了DM相互作用以及拓扑霍尔效应的电调控。这是由于很...
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物理所在高重复频率极紫外相干光脉冲的产生研究中取得进展
2021-07-02
处于极紫外（XUV）波段的高次谐波（HHG）由于具有优良的相干性、极短的脉冲宽度、宽波段的覆盖范围及体积小、使用方便等优点，自出现以来一直备受学界重视。特别是高重复频率的HHG不仅是实现极紫外光学频率梳的关键，而且在阿秒脉冲的产生、时间分辨的角分辨光电子谱（tr-ARPES）测量及集成电路与半导体芯片的加工检测等...
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金属所等在高层错能金属中构筑超细纳米孪晶结构
2021-07-02
金属材料的强化是材料领域的核心研究方向。细晶强化（即Hall-Petch强化，包括晶界强化/孪晶界强化）是常用且有效的强化手段之一，其内在机制是源于晶界/孪晶界对位错运动的阻碍。然而，当晶粒尺寸（d）和孪晶片层厚度（λ）达到某个临界尺寸（10-15nm）时，材料的主导变形机制将转变为晶界运动或退孪生，从而使其表现出H...
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半导体所在柔性光机通讯系统研究中取得进展
2021-07-02
随着人工智能和物联网的快速发展，人机交互不断丰富着人、机械以及外部信息环境的信息交换方式。？近期，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员沈国震课题组设计出一种基于自驱动柔性可编织的光电探测器的光机通信系统。研究人员通过气相转移沉积在柔性可编织的纤维制得新的原位垂直生长的Te @ TeSe纳米线阵...
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大连化物所等制备出无金属钙钛矿单晶用于生物友好型X射线探测
2021-06-29
近日，中国科学院大连化学物理研究所太阳能研究部薄膜太阳能电池研究组研究员刘生忠团队与陕西师范大学教授赵奎合作，在无金属钙钛矿单晶生长及其器件研究中取得进展，制备出高灵敏度无金属钙钛矿单晶X射线探测器。该工作中，科研人员采用简易的缓慢溶剂挥发法于室温下生长出高质量、大尺寸DABCO-NH4X3 （ X = Cl ， Br ...
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软X射线自由电子激光装置调试工作取得系列进展
2021-06-29
近日，活细胞结构与功能成像等线站工程暨上海软X射线自由电子激光装置调试工作取得系列进展。在水窗波段，自由电子激光脉冲的峰值亮度比同步辐射高十亿倍以上，具备横向和纵向相干性，能够为物理、生物、化学等学科提供研究工具，还可为在建的上海硬X射线自由电子激光装置技术研发提供支撑。该装置将与已建成的上海同步...
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研究揭示二维荧光功能金属有机框架材料纳米片在水中离子检测传感的应用优势
2021-06-29
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所能源材料与器件研究部通过系统研究二维（ 2D ）荧光功能金属有机框架材料（ MOFs ）纳米片及三维（ 3D ） MOFs块体对水中离子的检测性能，揭示了2D MOFs纳米片在荧光传感领域中的应用优势。其中， 2D MOFs纳米片由于具有超薄的形貌、更大的比表面积以及更多暴露的活性...
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宁波材料所在超轻超柔有机太阳能电池研究中取得进展
2021-06-29
轻薄柔有机太阳能电池（ OSCs ）是新一代电源的理想选择之一，特别是对于可穿戴电子系统（如电子纺织品和合成皮肤） 。新材料和新工艺的不断涌现，使得刚性OSCs的能量转换效率（ PCE ）得到迅速提高，但超薄超轻OSCs的发展仍然滞后，限制了其在机械柔性方面的独特优势。) ,在高效率超轻柔OSCs领域取得进展，通过基于超薄...
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中国科学技术大学新型笼目结构超导体研究获突破
2021-06-24
中国科学技术大学陈仙辉院士团队近期在一种新型笼目结构超导体中发现非寻常的电荷密度波与超导的竞争关系，为理解新奇的电荷密度波和超导态提供了关键性实验证据。在传统电荷密度波和超导共存图像中，进入电荷密度波态后，由于费米面的嵌套打开能隙从而导致态密度的丢失，表现出电荷密度波与超导相竞争的行为。增加压力...
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微电子所在集成电路先导工艺源漏接触技术研究方面取得新进展
2021-06-23
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心在源漏接触技术研究方面取得重要进展。随着集成电路制造技术进入10纳米及以下节点，器件寄生电阻已超过沟道电阻使得器件延迟与功耗显著增大。阻率可降低源漏寄生电阻，对提升器件性能具有重要意义。提高Si表面杂质激活浓度（Ns）以有效增加接触界面的载流子隧穿概率，是减小接触...
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微电子所在低功耗集成电路设计领域取得新进展
2021-06-23
近期，微电子所感知中心低功耗智能技术与系统团队在低功耗集成电路设计领域取得新进展，设计了兼容近/亚阈值工作区的基础电路单元，可以广泛应用于低功耗智能计算芯片。功耗已经成为制约集成电路发展的重要瓶颈。近/亚阈值技术通过将芯片工作电压降低到晶体管的阈值电压附近或者阈值电压以下，可以大幅降低数字系统的功...
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