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业内热点

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连续波UV-B激光二极管
2021-05-17

来自名城大学、三重大学,旭化成公司和名古屋大学的研究小组实现了13.3kA / cm2的电流密度阈值,迄今为止,这是以300nm波长发射的UV-B激光二极管( LD )的最低阈值电流密度,他们的工作重点是优化波导厚度和包层结构。谐振器长度为2000 μ m , p电极宽度为10 μ m的激光二极管的激光阈值电流密度为14.2kA/cm2 ,而该小...


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富士通展示X波段AlGaN/GaN HEMT
2021-05-17

日本富士通宣布,该公司实现并首次演示了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管( HEMTs )在X波段( 8 - 12GHz )的高功率射频( RF )操作。与在传统碳化硅( SiC )上生长的结构相比,使用AlN衬底可以使Al含量较高的AlGaN缓冲液与GaN二维薄电子通道( 2DEG )结合使用。AlN HEMT的最大漏极电流达到1A / mm以上,但SiC上的器件...


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深圳先进院研发出基于高电压电解液的双离子电池
2021-05-17

近日,中国科学院深圳先进技术研究院集成所功能薄膜材料研究中心研究员唐永炳及其研究团队,通过开发高电压浓缩电解液显著提升了双离子电池的循环性能与能量密度。相比于传统锂离子电池,双离子电池通常采用石墨作为正极并依靠阴离子插层实现储能,因此具有工作电压高、成本低、环保等优点,在规模化储能领域应用前景广...


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上海硅酸盐所在高性能无机塑性热电化合物研究中取得进展
2021-05-14

无机塑性热电材料可以打破传统无机脆性热电化合物和有机柔性热电化合物的禁锢,实现超常的室温变形能力和优良的热电性能,并在柔性电子、异形热源余废热回收发电等领域具有广阔的应用前景。近日,上海硅酸盐所研究员史迅、陈立东与副研究员仇鹏飞,以及上海交通大学副教授魏天然等合作,开发出n型Ag20S7Te3和p型( Ag0.2C...


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中国科大在微波谐振腔探测半导体量子芯片研究中获进展
2021-05-12

中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在微波谐振腔探测半导体量子芯片研究中取得重要进展。该工作中,研究人员制备出铌钛氮微波谐振腔-半导体量子点复合器件,利用铌钛氮的高阻抗特性,大幅提高了微波谐振腔与量子比特的耦合强度,达到强耦合区间。论文链接? ?图( a )半导体量子点-微波谐振腔复合器件的...


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上海硅酸盐所提出锂金属电池负极的非消耗型氟化流体界面调控策略
2021-05-12

为了满足下一代高比能电池的能量密度要求,具有高理论容量和低电化学电位的锂金属是未来可充电池(如Li-S和Li-FeF3 )的理想负极。与通常分散在电解液并在循环过程中被消耗的添加剂不同,该油滴可作为液体聚合物界面改性剂,与锂负极和电解液接触均不具有反应性(非消耗性) ,从而可在不降级锂离子扩散率的条件下,持久...


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深圳先进院等发现新电池材料设计基因
2021-05-12

近日,中国科学院深圳先进技术研究院集成技术研究所功能薄膜材料研究中心研究员唐永炳团队联合泰国同步辐射光源研究所研究员Kidkhunthod等人,发现了具有三棱柱配体场的正极材料结构基因( TMO6 , TM为过渡金属原子) 。现有的晶体电池材料大部分含有TMO6基元,且为八面体构形,这限制了电池材料的合理设计。该研究中,...


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合肥研究院制备出系列导热与电磁屏蔽双功能复合材料
2021-05-10

近期,中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所高分子与复合材料研究部研究员田兴友和研究员张献团队以低熔点合金为填料,在实现导热与电磁屏蔽双功能聚合物复合材料制备方面取得系列进展。更重要的是,低熔点合金填料能在聚合物基体中实现刚性粒子和可变形液滴两种存在状态之间的转换,从而赋予了低熔点合金复合材...


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福建物构所杂化铁电半导体研究取得进展
2021-05-10

铁电半导体的自发极化与光生载流子相互作用,孕育产生了具有重要应用前景的物理特性,成为发展新型光电器件的有力候选材料。在前期工作基础上,中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室“无机光电功能晶体材料”研究员罗军华团队提出了一种新颖的结构组装策略,通过引入柔性羧酸胺基元,利用氢键作用来消除/...


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物理所在高功率密度锂/氟化石墨一次电池研究中取得进展
2021-05-10

锂/氟化石墨一次电池是目前能量密度最高的一次电池,在电子产品、医疗器械等领域应用广泛。对放电后氟化石墨正极极片进行扫描电子显微镜和X射线衍射表征,发现氟化石墨在放电后发生颗粒破碎,而使用含BF3电解液的正极颗粒破碎程度更深,且代表未反应氟化石墨。基于以上发现,研究人员提出了BF3电解液添加剂的作用机理:...


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近锯齿型单一手性碳纳米管宏量分离研究取得进展
2021-05-10

单一手性碳纳米管的规模化制备是揭示碳纳米管新奇物理特性,发展其应用的前提和基础,被认为是碳纳米管研究领域的“圣杯” 。随着手性角的减小,碳纳米管光子发射能量逐渐红移,最终坍缩到单一的发射态,表明小手性角的锯齿型或近锯齿型碳纳米管在单光子发射器件方面可能具有较好的应用前景。目前,对于锯齿型和近锯齿型...


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用于Ga2O3热管理的金刚石
2021-05-10

美国的研究人员表示,多晶金刚石沉积工艺的发展,推动了β - Ga2O3电子器件的设备级热管理研究向前迈出重要的一步。研究人员发现,超声波种子不能用于后续的CVD工艺,因为种子沉积会产生裸露的Ga2O3斑块,而该部分会被CVD反应室中的氢等离子体分解,这会造成不连续的金刚石层。而且,由于通过降低金刚石和介电层之间的CT...


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IBM推出全球首个2纳米芯片制造技术
2021-05-10

在下一代制程竞争中, IBM宣布拔得头筹,成功推出世界上第一组2纳米芯片制程。IBM称介绍称,一个指甲大小的2纳米芯片就能容纳多达500亿个晶体管,每条晶体管的体积相等于两条DNA链。? IBM以前也曾生产过芯片,但目前已把主要的芯片量产工作外包给三星电子,但有纽约州奥尔巴尼芯片制造研发中心用以试产,并与三星、英特...


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国家纳米中心自旋场效应晶体管研究获进展
2021-04-28

晶体管的发明对无线电科学技术产生了重要影响,使电子计算机发生了变革,人类由此进入信息时代。相关研究成果以A room-temperature four-terminal spin field effect transistor为题,发表在Nano Today上,国家纳米中心博士生刘佳和彭志盛为论文的共同第一作者。国家纳米科学中心研究员孙连峰、褚卫国、副研究员李勇军,...


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微电子所在氧化物栅控离子晶体管方面取得新进展
2021-04-28

随着人工智能、物联网等新兴信息技术的发展,信息处理已由计算密集型向数据密集型转移,亟需具有非结构化数据处理能力的低延时、低能耗边缘计算系统,满足终端设备对未来海量非结构化数据处理能力的需求。受生物启发的脉冲神经网络( SNN )因其使用稀疏、异步的脉冲序列作为输入/输出,并以存内计算的方式处理信息而具...


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化学所电催化反应的原位表征研究获进展
2021-04-27

在原子与分子水平上研究电催化剂的表面结构与电催化反应中的表面过程,有助于理解催化活性位点的作用机制,从而促进电催化剂的实际应用。原位调控CO2还原反应开启后,研究人员从STM图像中观察到高对比度的复合物转化为了低对比度的催化剂分子,且这一转化过程能够随电位调整可逆进行。该综述介绍了贵金属催化剂、非贵金...


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新型网状β-EuSn2As2高压晶体结构及其两步重构相变机制研究获进展
2021-04-27

近年来,拓扑绝缘体由于独特的能带结构和受拓扑保护的量子性质,是凝聚态物理领域中重要的研究方向。因为在这类磁性拓扑绝缘体中,磁性和拓扑表面态之间的相互作用会产生许多奇异的拓扑量子效应,如量子反常霍尔效应、手性马约拉纳费米子和轴子绝缘体等。近日,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员王...


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物理所在氧空位有序诱导的高温铁磁钴氧化物薄膜研究中获进展
2021-04-27

针对钴酸镧薄膜是否能够通过物理调控手段提高其铁磁居里温度并保持其绝缘特性成为该研究领域重点关注的问题。最近,副研究员张庆华、研究员谷林和郭尔佳等组成研究团队,利用原位真空退火压应力作用下的LaCoO3薄膜,诱导氧离子脱出并形成交叉排列的氧空位有序,实现了居里温度约为284 K的近室温绝缘铁磁特性的LaCoO2.5薄...


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上海硅酸盐所在机器学习辅助微波介质陶瓷研究中取得进展
2021-04-27

微波介质陶瓷作为微波集成电路基板、介质谐振器、介质天线等通信电子元器件的关键材料,近年来随着5G / 6G技术的蓬勃发展,受到越来越广泛的关注。近期,中国科学院上海硅酸盐研究所无源集成器件与材料研究团队采用机器学习方法,研究微波介质陶瓷的材料特征与介电性能之间的关系,提出了一种普适性强、准确性高的介电常...


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宁波材料所在复合固体电解质离子迁移机制研究中取得进展
2021-04-26

相对传统的液态电解质锂离子电池,采用固体材料作为电解质的全固态电池具有更高的能量密度和安全性。其中,以聚合物固态电解质为基体、无机固态电解质为填料所制备的复合固态电解质,具有良好的电极-电解质界面接触及较高的离子电导率,其是近年来的研究热点。理解复合固体电解质中电荷迁移及其结构演变是设计高性能固体...