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超低暗电流高性能近红外硅基光电探测器研究获进展
2020-10-22
以光为信息载体实现通信的光通信技术，凭借优异的速度传输性能和强大的信息容量成为现代社会最重要的技术之一。执行光电信号转换的光电探测器是光电链路的基本组成部分之一，虽然硅基光电探测器广泛应用于可见光谱范围（ 0.4 - 0.7 μ m ） ，但通讯窗口1.31 μ m和1.55 μ m的近红外光子能量并不足以克服Si带隙（ 1.12 ...
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兰州化物所等在石墨烯摩擦表界面结构演变研究中获进展
2020-10-21
石墨烯具有二维薄层结构，是一种具有潜力的新型润滑材料。近年来的研究表明，具有原子厚度的石墨烯在微观接触尺度下具有超滑特性，在宏观接触方式下展现出摩擦学特性，但是均依赖于理想的石墨烯表界面结构。因此，实现石墨烯摩擦表界面结构的调控对于获得优异的摩擦学性能、推动其实际应用具有重要意义。近日，中国科学...
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上海硅酸盐所在高导热氮化硅陶瓷研究中取得进展
2020-10-21
电子电力器件在高速铁路、新能源汽车、航空航天、太阳能及风力发电等领域应用广泛。近年来，电子电力器件朝大功率、高密度、集成化等方向发展，对器件中陶瓷散热基板提出更高要求。目前，常用的氧化铝基板热导率低、氮化铝基板可靠性差，限制其在高端功率半导体器件中的应用。氮化硅陶瓷基板具有高强度、高韧性、高绝缘...
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首片国产6英寸碳化硅晶圆产品在上海临港发布
2020-10-21
据上海临港官微报道， 10月16日，首片国产6英寸碳化硅（ SiC ） MOSFET （金属氧化物场效应晶体管）晶圆在上海临港正式发布，填补了国内在此领域的空白，未来市场容量可达百亿美金。据上海瞻芯电子创始人兼总经理张永熙介绍，如果用了碳化硅MOSFET （金属氧化物场效应晶体管）新能源汽车作电驱动的话，续航里程可以有5%...
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富士胶片和住友化学拟于2021年供应新型EUV光刻胶
2020-10-21
据日经亚洲评论报道，富士胶片 (Fujifilm Holdings)和住友化学(Sumitomo Chemical)最早将于2021年开始供应用于下一代芯片制造的光刻胶，该材料可能有助于让智能手机及其他设备朝更小、更节能化的方向发展。 据悉，这两家日本公司正在研制一种特殊的EUV（极紫外）光刻胶。目前，日本JSR和信越化学株式会社等控制了全球大...
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台积电2nm工艺将采用环绕栅极晶体管技术
2020-10-21
据国外媒体报道，在5nm工艺今年一季度投产，为苹果等客户代工最新的处理器之后，芯片代工商台积电下一步的工艺研发重点就将是更先进的3nm和2nm工艺。在7月16日的二季度财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家透露，他们3nm工艺的研发正在按计划推进，仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术（ FinFET ） ，计划在明年风险试...
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上海硅酸盐所有机热电材料研究取得进展
2020-10-20
有机聚合物热电材料是一类新兴的可实现热与电直接转换的清洁能源材料，这类材料可溶液加工、质轻价廉、具有优异的柔韧性，在可穿戴电子器件领域具有潜在应用价值。与无机热电材料相比，聚合物热电材料种类匮乏、热电转换性能低，主要原因是缺乏对分子结构与热电性能关系的深入认识。化学掺杂是提高聚合物导电能力、调控...
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金属所等发现弱键合局域振动模导致的反常热传导性质
2020-10-19
热传导是固体材料的基本物性之一。高热导率材料在制冷系统散热、电子元器件热管理等方面具有重要应用，低热导率材料常用来构建绝热环境。电子、磁振子、晶格均可导热，晶格作为固体材料基本的导热载体，其热导率由公式描述，其中， C为固体比热、为声子声速和为声子寿命。由该公式可知，声速越大，热导率越大。针对该反...
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合肥研究院在新型热电材料物理机制研究中获进展
2020-10-19
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员张永胜课题组在理论计算和解释新型热电材料（ Pyrite型ZnSe2 ）的物理机制研究中取得新进展。该研究通过求解声子和电子玻尔兹曼输运方程，理论计算发现Pyrite型ZnSe2具有良好的热电性质。基于对材料中原子成键情况和声子振动性质的分析，解释其具有低晶格热导率...
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具有n型脊的硅衬底InGaN激光器
2020-10-19
中国苏州纳米技术与纳米仿生研究所（ SINANO ）已在硅上使用n型脊形波导（ nRW ）制造了氮化铟镓（ InGaN ）发射紫光的激光二极管（ LDs ） ，与pRW LDs相比，其电阻更低，热性能更好。普通工艺要求基于InGaN的激光二极管中的RW位于器件的p侧，但p-GaN的电阻比n-GaN的电阻大得多，因此出现了热和电问题。该团队认为nRW-L...
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德国ZSW、MLU和HZB指出了CIGS太阳能电池的损耗机制
2020-10-19
太阳能和氢研究中心ZSW 、马丁·路德大学的Halle-Wittenberg （ MLU ）和Helmholtz-Zentrum Berlin （ HZB ）最近发现了一个可以提高薄膜太阳能电池性能以将更多的阳光转化为电能的关键点。研究团队的目的是研究CIGS薄膜太阳能电池和模块中主要的损耗机制，以便通过创新措施减少或消除这些损耗。近年来， CIGS薄膜太阳能...
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上海光机所高量子产率红外上转换发光微晶研究取得进展
2020-10-16
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光单元技术实验室在高量子产率红外上转换发光微晶研究中取得进展，实现Yb3 + / Tm3 +共掺LiYF4微晶在相同激发光功率密度的照射下更高的量子产率。经过一系列浓度优化，在959nm近红外激光的照射下， Yb3 +离子吸收激发光的能量并将其传递给Tm3 +产生高效的红外上转换发光...
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意法半导体推出首款集成在一个封装中的硅基驱动器和GaN晶体管
2020-10-15
瑞士意法半导体（ STMicroelectronics ）推出了MasterGaN ，是第一个嵌入硅基半桥驱动芯片以及一对氮化镓（ GaN ）晶体管的平台。这个集成化的解决方案将加速下一代紧凑高效的充电器和电源适配器的开发，并用于高功率电子和工业应用。据估计，借助GaN技术和ST的集成产品，充电器和适配器将比普通硅基解决方案的尺寸缩小8...
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青岛能源所等揭示三元有机太阳能电池中的分子相互作用新机制
2020-10-15
三元有机太阳能电池（ ternary organic solar cells ， TOSCs ）作为一种有效拓宽光伏响应范围的策略，近年来得到关注和发展。然而，不是所有能级匹配、吸收光谱互补的材料均可作为客体来制备三元器件。相对于主体二元体系来说，第三组分（客体）的引入可能破坏原来二元共混膜内有序的分子堆积和纳米互穿网络，进而增加...
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错配位错提升了硅基量子点激光器的性能
2020-10-14
美国加利福尼亚大学圣巴巴拉分校（ UCSB ）的研究人员采用了失配位错（ MD ）移离阱内量子点有源层，提高了硅基砷化铟量子点激光二极管（ InAs QD LD ）的性能。然后，研究人员生产了激光结构，并制成了3 μ mx1.5mm的脊形波导激光二极管。使用断层扫描技术进行的更深入检查表明，存在陷阱层，也存在一些螺纹位错滑移，...
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物理所实现厘米级叠层MoS2的精准转角调控
2020-10-14
二维材料的维度与界面调控是推动其持续蓬勃发展的重要因素。由于二维材料层间弱的范德华力相互作用，可以按需将任意的二维材料堆叠在一起，组合成范德华双层及多层人工材料，从而实现对其物理性能的调制。利用转角自由度调控，可在人工叠层材料中引发多种有趣的物理行为，例如非常规超导电性、摩尔激子、隧穿电导、非线...
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电工所等开发出高比能柔性固态锂离子电容器制备技术
2020-10-14
随着可穿戴智能设备在运动和医疗健康等领域的应用，发展与之相适应的柔性可弯曲电化学储能器件成为重要需求。然而，柔性储能器件一般采用化学/物理沉积、组装、微钠加工等特殊工艺制备，材料的选择和使用受限制，导致难以兼得柔性器件的比能量和力学柔性。近日，中国科学院电工研究所研究员马衍伟研究团队在高性能柔性储...
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苏州纳米所在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展
2020-10-09
氮化镓（ GaN ）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的典型代表。与第一代半导体硅基的器件相比， GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性，在功率电子器件领域得到广泛应用。相关研究显示， GaN器件适用于68%的功率器件市场。在功率转换电路中应用GaN器件可消除整流器在进行交直流转换时90%的能量损失，...
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微电子所在SERS液滴生化传感器研究方向取得进展
2020-09-29
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心陈大鹏研究员课题组与中北大学熊继军教授课题组合作在表面增强拉曼（ SERS ）生化检测研究领域取得了阶段性进展。此类传感器相比同类液相环境下检测的传感器，表现出更高的检测能力，能够实现对罗丹明6G的低极限检测（ 100 fM ） ，对液体活检分析中常用的功能性探针分子（对氨基...
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SOI上的InAs量子点激光二极管
2020-09-29
中国研究人员发布第一个在绝缘体上硅（ SOI ）衬底上的电泵浦砷化铟量子点砷化镓基质（ InAs / GaAs QD ）窄脊Fabry-Perot （ FP ）激光器。激光器的有源区域由GaAs矩阵中的7层InAs QD组成，形成了井中点（ DWELL ）结构。注入电流为200mA 、 240mA时，脉冲模式下的输出功率，前者小于5mW ，后者最大为6.5mW 。研究小组...
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