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Axus和CP共同开发CMP，以将微型LED晶圆粘合到CMOS背板
2020-10-26
美国Axus技术公司宣布与复合光子公司（ CP Display ）建立合作伙伴关系美，加速将5 μ m像素以下的micro-LED推向大众市场。具体来说， Axus将部署Capstone CMP系统，该系统集成了CMP后清洁功能，现晶圆平面化和表面制备工艺解决方案，以将microLED晶圆与高性能CMOS背板进行晶圆级键合。自2020年初以来， Axus与CP合作开...
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苏州纳米所高性能锂二次电池研究获进展
2020-10-26
随着电动汽车和移动电子产品的发展，社会对能源存储与转化提出更高要求，继锂离子电池之后，可充电电池的高能量密度、高倍率充放电、高循环稳定性成为需求。锂硫电池凭借其高能量密度（ 2600 Whkg-1 ） 、经济环保等优势成为下一代储能体系的候选者。然而，如单质硫与硫化锂的不导电性、多硫化锂中间产物的穿梭效应及充...
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大连化物所制备出高效率大面积钙钛矿太阳组件电池
2020-10-23
近日，中国科学院大连化学物理研究所薄膜太阳能电池研究组研究员刘生忠、博士王开团队采用狭缝涂布制备方法，结合高压氮气萃取和离子液体钝化钙钛矿界面技术，制备出钙钛矿太阳能电池，该电池小面积效率达到22.7% （ 0.09cm2 ） ，大面积组件达到19.6% （ 7.92cm2 ） 。研究人员采用狭缝涂布沉积技术，结合高压氮气萃取...
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物理所在笼型富氢化物LaH10高温超导电性研究中取得进展
2020-10-22
20世纪80年代发现的铜氧化物高温超导体为实现室温超导带来希望，但是经过30多年的研究，最高Tc （常压下~ 134K ，高压下~ 164K ）很难进一步提高，而且非常规超导机理至今仍悬而未决。近年来，按照这一思路，在理论设计和实验合成富氢高温超导体方面取得进展， 2014年发现硫化氢在高压条件下呈现出Tc = 203K的高温超导电...
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深圳先进院在高性能电磁屏蔽材料研究方面取得进展
2020-10-22
高频高速5G通信技术和高集成度、轻薄智能电子产品的发展，方便了人们的生产生活，同时突显出电磁干扰的严重性。发展新型电磁屏蔽材料是解决电磁污染的关键技术，特别是超薄、轻质且具有优异力学强度和可靠性的高性能电磁屏蔽材料。碳纳米管具有极高的导电和力学性能，在电磁屏蔽领域具有广泛的潜在应用前景。然而，当碳...
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超低暗电流高性能近红外硅基光电探测器研究获进展
2020-10-22
以光为信息载体实现通信的光通信技术，凭借优异的速度传输性能和强大的信息容量成为现代社会最重要的技术之一。执行光电信号转换的光电探测器是光电链路的基本组成部分之一，虽然硅基光电探测器广泛应用于可见光谱范围（ 0.4 - 0.7 μ m ） ，但通讯窗口1.31 μ m和1.55 μ m的近红外光子能量并不足以克服Si带隙（ 1.12 ...
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兰州化物所等在石墨烯摩擦表界面结构演变研究中获进展
2020-10-21
石墨烯具有二维薄层结构，是一种具有潜力的新型润滑材料。近年来的研究表明，具有原子厚度的石墨烯在微观接触尺度下具有超滑特性，在宏观接触方式下展现出摩擦学特性，但是均依赖于理想的石墨烯表界面结构。因此，实现石墨烯摩擦表界面结构的调控对于获得优异的摩擦学性能、推动其实际应用具有重要意义。近日，中国科学...
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上海硅酸盐所在高导热氮化硅陶瓷研究中取得进展
2020-10-21
电子电力器件在高速铁路、新能源汽车、航空航天、太阳能及风力发电等领域应用广泛。近年来，电子电力器件朝大功率、高密度、集成化等方向发展，对器件中陶瓷散热基板提出更高要求。目前，常用的氧化铝基板热导率低、氮化铝基板可靠性差，限制其在高端功率半导体器件中的应用。氮化硅陶瓷基板具有高强度、高韧性、高绝缘...
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首片国产6英寸碳化硅晶圆产品在上海临港发布
2020-10-21
据上海临港官微报道， 10月16日，首片国产6英寸碳化硅（ SiC ） MOSFET （金属氧化物场效应晶体管）晶圆在上海临港正式发布，填补了国内在此领域的空白，未来市场容量可达百亿美金。据上海瞻芯电子创始人兼总经理张永熙介绍，如果用了碳化硅MOSFET （金属氧化物场效应晶体管）新能源汽车作电驱动的话，续航里程可以有5%...
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富士胶片和住友化学拟于2021年供应新型EUV光刻胶
2020-10-21
据日经亚洲评论报道，富士胶片 (Fujifilm Holdings)和住友化学(Sumitomo Chemical)最早将于2021年开始供应用于下一代芯片制造的光刻胶，该材料可能有助于让智能手机及其他设备朝更小、更节能化的方向发展。 据悉，这两家日本公司正在研制一种特殊的EUV（极紫外）光刻胶。目前，日本JSR和信越化学株式会社等控制了全球大...
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台积电2nm工艺将采用环绕栅极晶体管技术
2020-10-21
据国外媒体报道，在5nm工艺今年一季度投产，为苹果等客户代工最新的处理器之后，芯片代工商台积电下一步的工艺研发重点就将是更先进的3nm和2nm工艺。在7月16日的二季度财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家透露，他们3nm工艺的研发正在按计划推进，仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术（ FinFET ） ，计划在明年风险试...
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上海硅酸盐所有机热电材料研究取得进展
2020-10-20
有机聚合物热电材料是一类新兴的可实现热与电直接转换的清洁能源材料，这类材料可溶液加工、质轻价廉、具有优异的柔韧性，在可穿戴电子器件领域具有潜在应用价值。与无机热电材料相比，聚合物热电材料种类匮乏、热电转换性能低，主要原因是缺乏对分子结构与热电性能关系的深入认识。化学掺杂是提高聚合物导电能力、调控...
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金属所等发现弱键合局域振动模导致的反常热传导性质
2020-10-19
热传导是固体材料的基本物性之一。高热导率材料在制冷系统散热、电子元器件热管理等方面具有重要应用，低热导率材料常用来构建绝热环境。电子、磁振子、晶格均可导热，晶格作为固体材料基本的导热载体，其热导率由公式描述，其中， C为固体比热、为声子声速和为声子寿命。由该公式可知，声速越大，热导率越大。针对该反...
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合肥研究院在新型热电材料物理机制研究中获进展
2020-10-19
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员张永胜课题组在理论计算和解释新型热电材料（ Pyrite型ZnSe2 ）的物理机制研究中取得新进展。该研究通过求解声子和电子玻尔兹曼输运方程，理论计算发现Pyrite型ZnSe2具有良好的热电性质。基于对材料中原子成键情况和声子振动性质的分析，解释其具有低晶格热导率...
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具有n型脊的硅衬底InGaN激光器
2020-10-19
中国苏州纳米技术与纳米仿生研究所（ SINANO ）已在硅上使用n型脊形波导（ nRW ）制造了氮化铟镓（ InGaN ）发射紫光的激光二极管（ LDs ） ，与pRW LDs相比，其电阻更低，热性能更好。普通工艺要求基于InGaN的激光二极管中的RW位于器件的p侧，但p-GaN的电阻比n-GaN的电阻大得多，因此出现了热和电问题。该团队认为nRW-L...
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德国ZSW、MLU和HZB指出了CIGS太阳能电池的损耗机制
2020-10-19
太阳能和氢研究中心ZSW 、马丁·路德大学的Halle-Wittenberg （ MLU ）和Helmholtz-Zentrum Berlin （ HZB ）最近发现了一个可以提高薄膜太阳能电池性能以将更多的阳光转化为电能的关键点。研究团队的目的是研究CIGS薄膜太阳能电池和模块中主要的损耗机制，以便通过创新措施减少或消除这些损耗。近年来， CIGS薄膜太阳能...
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上海光机所高量子产率红外上转换发光微晶研究取得进展
2020-10-16
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光单元技术实验室在高量子产率红外上转换发光微晶研究中取得进展，实现Yb3 + / Tm3 +共掺LiYF4微晶在相同激发光功率密度的照射下更高的量子产率。经过一系列浓度优化，在959nm近红外激光的照射下， Yb3 +离子吸收激发光的能量并将其传递给Tm3 +产生高效的红外上转换发光...
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意法半导体推出首款集成在一个封装中的硅基驱动器和GaN晶体管
2020-10-15
瑞士意法半导体（ STMicroelectronics ）推出了MasterGaN ，是第一个嵌入硅基半桥驱动芯片以及一对氮化镓（ GaN ）晶体管的平台。这个集成化的解决方案将加速下一代紧凑高效的充电器和电源适配器的开发，并用于高功率电子和工业应用。据估计，借助GaN技术和ST的集成产品，充电器和适配器将比普通硅基解决方案的尺寸缩小8...
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青岛能源所等揭示三元有机太阳能电池中的分子相互作用新机制
2020-10-15
三元有机太阳能电池（ ternary organic solar cells ， TOSCs ）作为一种有效拓宽光伏响应范围的策略，近年来得到关注和发展。然而，不是所有能级匹配、吸收光谱互补的材料均可作为客体来制备三元器件。相对于主体二元体系来说，第三组分（客体）的引入可能破坏原来二元共混膜内有序的分子堆积和纳米互穿网络，进而增加...
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错配位错提升了硅基量子点激光器的性能
2020-10-14
美国加利福尼亚大学圣巴巴拉分校（ UCSB ）的研究人员采用了失配位错（ MD ）移离阱内量子点有源层，提高了硅基砷化铟量子点激光二极管（ InAs QD LD ）的性能。然后，研究人员生产了激光结构，并制成了3 μ mx1.5mm的脊形波导激光二极管。使用断层扫描技术进行的更深入检查表明，存在陷阱层，也存在一些螺纹位错滑移，...
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