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西安光机所在纳米可控手性光场产生方面取得进展
2020-08-03
近日，中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室研究员姚保利团队在纳米可控手性光场产生方面取得进展，相关研究成果在线发表于Nanoscale 。通过矢量衍射积分计算该矢量光束经4pi聚焦后的焦场分布并分析其光学手性特征，发现由于偏振特性，该聚焦矢量光束可以产生手性光场。进一步地，为了使产...
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氮极Ⅲ族氮化物隧道结发光二极管的首次展示
2020-08-03
中国和沙特阿拉伯的研究人员首次展示了氮极隧道结（TJ）氮化铟镓（InGaN）发光二极管（LED），研究人员称，以前已经报道了具有良好性能的N极隧道结，但是目前仅获得了III极III型氮化物TJ-LED。 研究团队使用极化掺杂的氮化铝镓（AlGaN）来提高TJ的性能，产生更高的空穴浓度，并增加了从电极散布的横向电流。这项工作中的...
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NYU最新研发技术推动2D半导体材料行业应用
2020-08-01
近来，二维（ 2D ）半导体作为一种新型材料正在引起人们的关注，其大小与一个原子的厚度相当。理论上来说， 2D材料在电子和光电子工业以及物联网设备中有着光明的应用前景。任何手机、电脑、电子设备，甚至太阳能电池，都是由相同的基本电子元件，即二极管组成的。二极管的核心基础p － n结的纳米制备一直是个未解决的挑...
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深圳先进院等在软体机器人形态学计算研究中获进展
2020-07-31
近日，中国科学院深圳先进技术研究院集成所神经工程中心研究员夏泽洋团队等在软体机器人形态学计算研究中取得新进展。相关研究结果以Optimal Design of Soft Pneumatic Bending Actuators Subjected to Design-Dependent Pressure Loads为题，发表在IEEE/ASME Transactions on Mechatronics上（ 2019 , 24。为此，研究人...
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金属所等在非晶内生复合材料研究中取得进展
2020-07-30
非晶内生β - Ti复合材料具有较大的临界形成尺寸、优异的力学性能和释能特性，应用前景广阔。针对应用目标实现组织结构与力学性能的有效调控，是相关研究的难点。剪切带与ω - Ti带的协同剪切可以在单个枝晶的局域范围（数十微米）内引发剪切失稳，但协同剪切变形带会被周围不同晶体取向的β - Ti枝晶所抑制。剪切带与ω...
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合肥研究院在手性磁孤子研究中取得进展
2020-07-29
近日，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心稳态强磁场实验装置（ SHMFF ）用户、研究员张蕾课题组，在手性磁孤子研究方面取得进展。针对层状手性磁孤子材料MnNb3S6和YbNi3Al9 ，研究人员利用强磁场中心的ESR等设备对其手性磁孤子的微波响应和临界行为进行研究。相关成果分别以Microwave response of the chiral ...
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上海光机所等在ADP晶体缺陷诱导激光损伤机制研究方面获进展
2020-07-28
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室和山东大学晶体材料国家重点实验室合作，在ADP晶体缺陷诱导激光损伤行为机制方面取得新进展。ADP （磷酸二氢铵， NH4H2PO4 ）晶体是一种性能优越的非线性光学晶体材料，具有比KDP （磷酸二氢钾， KH2PO4 ）晶体更大的有效非线性系数和短波长下更高的激光诱导损伤阈...
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上海硅酸盐所等在新化合物合成方面取得系列进展
2020-07-28
二维层状过渡金属三卤化物( MX3 )由于其特殊的结构和物理性能引起了研究者极大兴趣。迄今为止，人们对MX3 （如CrI3和RuCl3 ）晶体结构、电子结构和磁学性能等进行了大量的实验和理论研究，但对其它物理性质如光电子学的研究却很少，这是因为CrI3和RuCl3化合物在空气条件下都不稳定，严重阻碍了MX3基器件的制造和应用。因...
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GaN和SiC功率半导体市场不断发展
2020-07-27
Omdia在其《 2020年SiC和GaN功率半导体报告》中指出，碳化硅（ SiC ）和氮化镓（ GaN ）功率半导体市场的业务主导正在由初创企业迅速变为大型功率半导体制造商。SiC和GaN功率半导体行业的起源都是小型初创公司，其中许多现在已经被大型，成熟的硅功率半导体制造商所吞并，并且也有制造商不断进入SiC市场，例如ABB半导体...
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E型GaN晶体管的转移印刷和自对准蚀刻
2020-07-27
首个晶圆级单片实现的常关、增强型（E型）共源共栅场效应晶体管（FET）在中国西安电子科技大学研制成功，该场效应晶体管由硅（Si）和氮化镓（GaN）组件组成，这些组件通过低成本转移印刷和自对准蚀刻工艺组装而成。研究人员希望他们的技术能实现大规模的集成，将硅、氮化镓和其他材料结合在一起的器件和电路的功能多样化...
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上海硅酸盐所陶瓷基锂氟转换固态电池研究取得进展
2020-07-27
锂金属负极理论容量高、电极电势低。以固态电解质取代电解液作为锂离子传输导体，可以提高电池的安全性和稳定性，并扩大锂金属电池应用的温度范围。其中陶瓷基石榴石型（ Garnet-type ）固态电解质是很好的选择，近年来出现的掺杂锂镧锆氧( Li7La3Zr2O12 ， LLZO )固态电解质具有室温离子电导率高、合成工艺简单、电化学...
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三菱电机开发用于5G基站的GaN PA模块
2020-07-22
日本三菱电机公司（Mitsubishi Electric Corp）开发了新技术，以实现用于5G基站的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）模块，该模块具有6mm x 10mm的紧凑尺寸和 43％的超高功率效率（在3.4-3.8GHz的5G频率范围内）。该模块在匹配电路中使用最少的芯片来控制高质量的信号输出，可以帮助实现可广泛部署且具有高能效的5G基站。新...
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福建物构所共价有机框架光催化二氧化碳还原研究取得进展
2020-07-22
共价有机骨架（ COFs ）是一类新型的晶态多孔材料，具有良好的孔隙率、高的表面积及功能可调等特点，独特性能为光催化CO2还原提供了理想平台。将金属卟啉分子包裹在COFs孔道中制备复合材料，可结合两者在光催化CO2还原中的优势，但在反应过程中会存在分子催化组分浸出，导致循环稳定性较差。中国科学院福建物质结构研究...
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福建物构所多孔有机聚合物膜研究取得新进展
2020-07-21
质子传导在生物体系中普遍存在，研发能够直接监测和调控质子传输的器件对于生物过程监控、仿生模拟和人机界面构建等具有重要意义。质子场效应晶体管（质子- FET ）由于能直接监测质子电流并通过调控栅压对质子电流进行有效调控，发展新型质子传导材料并用于质子- FET器件是生物信息领域亟需要解决的问题。多孔有机聚合物...
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深圳先进院开发出高性能微流体柔性应变传感器
2020-07-21
近日，中国科学院深圳先进技术研究院医工所微创中心研究员王磊、副研究员李晖团队，在利用波浪形微通道设计改善基于液态金属的柔性应变传感器迟滞性、响应时间和灵敏度方面的研究取得新进展。相关研究成果以Superelastic , Sensitive , and Low Hysteresis Flexible Strain Sensor Based on Wave-Patterned Liquid Metal...
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上海硅酸盐所等在“计算电化学”设计电池材料领域取得进展
2020-07-21
中国科学院上海硅酸盐研究所研究员刘建军带领的科研团队多年来聚焦“计算电化学”设计电化学储能材料研究领域，形成计算局域结构（表/界面结构、配位结构）电荷转移能力表征电化学活性的特色方向，结合“材料基因”的理念设计高性能电化学储能材料。近日，该科研团队在“计算电化学”设计锂氧气电池正极材料和金属有机电...
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积高电子CMOS图像传感器封装车间进入试生产
2020-07-21
据无锡日报报道，近日，在积高电子（无锡）公司最新建成的厂房里，全球顶级的CMOS图像传感器封装车间投入试生产。据了解， 2019年2月19日，积高电子图像传感器研发生产项目参与2019年无锡市首批重大项目集中开工仪式。据当时的无锡梁溪发布报道，积高电子图像传感器研发生产项目总投资15000万元人民币，其中一期土建投资...
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改善氮化镓μ发光二极管的MOCVD隧道结
2020-07-20
美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）发布了具有通过金属有机化学气相沉积法生长的具有外延隧道结（TJ）的氮化镓（GaN）基微型发光二极管（μLED）的最低正向电压（MOCVD）。该电压仅略高于使用铟锡氧化物（ITO）透明导电电极的电压。UCSB团队使用选择性区域生长（SAG）技术来创建带有穿孔的隧道结层。TJ中的穿孔孔用于在...
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室温下发射1.55μm波长的硅基连续波量子点激光二极管
2020-07-20
中国香港科技大学（HKUST）宣布了其利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）直接在轴（001）Si（硅）上生长1.55μm量子点（QDASH）激光器的第一电泵室温（RT）连续波激光的结果。科大团队成员以前在室温下实现了1.55μmQDash激光二极管的脉冲操作。研究人员最近还报告了降低1.3μm波长QDash脉冲激光二极管的阈值电流的方法。...
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上海硅酸盐所等提出电弧放电法一步合成高稳定性单原子催化剂的新策略
2020-07-20
近日，中国科学院上海硅酸盐研究所先进材料与新能源应用研究团队、北京大学、北京工业大学和中科院上海应用物理研究所合作，提出一步法合成单原子催化剂的新策略，该单原子铂催化剂显示出高效的液相选择加氢性能，高温合成过程有利于单原子催化剂稳定性的提高。Pt1 / MoC的( d ) HAADF-STEM图像、 ( e ) EDS数据、 ( f )...
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