当前位置 >> 首页 >> 学习园地 >>  业内热点

业内热点

微信截图_20200915154950.png
VLC为CiViQ量子通信项目设计了发射器PIC
2020-09-15

作为CiViQ项目的合作伙伴,西班牙光子集成电路设计公司VLC Photonics设计了新的磷化铟( InP ) PIC ,用于网络中的安全量子通信。CiViQ项目以成本效益为重点,该计划由欧盟的“地平线2020 ”研究与创新计划资助,资助号为820466 - CiViQ ,高集成度和高性能量子通信技术将连续可变量子密钥分配( QKD )部署到光通信网...


W020200908357340483453.png
兰州化物所发展出纳孔石墨烯一步合成新方法
2020-09-11

手性分离是分离科学面临的挑战,现有手性分离主要依赖色谱柱分离技术,而膜技术在手性分离中的应用难度大,发展也相对缓慢。有文献报道称,通过模拟计算表明具有一定结构的纳孔石墨烯有望用于高选择性对映体的分离。因此,发展一种简单快速实现手性纳孔石墨烯膜合成的新方法具有重要意义。通常, Hummers法合成氧化石墨...


W020200910559843486785.png
合肥物质院等在太赫兹自由电子激光装置应用研究中获进展
2020-09-11

近期,中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所计算物理与量子材料研究部徐文课题组与中国工程物理研究院合作,应用太赫兹自由电子激光装置( CTFEL )装置,开展电子材料的太赫兹动力学特性研究。相关研究成果以Picosecond terahertz pump-probe realized from Chinese terahertz free-electron laser为题,发表在C...


W020200910566623749677.jpg
大连化物所研发出单原子修饰的纳米反应器
2020-09-11

近日,中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组研究员吴忠帅团队与有机-无机杂化材料研究组研究员杨启华团队合作,发展出一种单原子锌修饰的中空碳球纳米反应器。该反应器可同时用作锂硫电池正极、负极的基体,提高对多硫化物的催化活性并抑制锂负极枝晶的生长,应用该反应器的...


2137748.jpg
我国首颗工业数字光场芯片亮相
2020-09-11

4800万光场像素创造硅基液晶芯片分辨率世界新纪录!正在举行的2020中国国际服务贸易交易会(以下简称“服贸会” )上,五邑大学参与研发的4800万像素硅基液晶数字光场芯片一亮相便惊艳了众人,被组委会评为“科技创新服务示范案例” 。据介绍,该芯片是我国首颗工业数字光场芯片,标志着我国数字光场芯片技术进入了全新...


W020200910521116212519.png
上海光机所在中红外碱土氟化物透明陶瓷研究方面取得进展
2020-09-10

激光陶瓷材料具有优异的化学、热学、机械和光学性能,被认为是下一代高性能新兴激光增益材料。近期,中国科学院上海光学精密机械研究所激光与红外材料实验室在碱土氟化物激光陶瓷研究方面取得进展。相关成果发表于《美国陶瓷学会会刊》 ( Journal of the American Ceramic Society ) 。然而现有的碱土氟化物激光陶瓷的...


微信截图_20200909090309.png
钙钛矿激光器可实现室温连续激光输出
2020-09-09

中国科学院长春应用化学研究所和日本九州大学研究人员组成的国际合作团队开发了一款钙钛矿的激光器。该激光器基于新型低成本半导体材料,突破了以往仅能在低温下连续稳定工作的瓶颈,率先实现了室温下连续激光输出。基于以上考虑,秦川江课题组联合日本九州大学教授安达千波矢研究室,在准二维钙钛矿中引入了具有较低三...


微信截图_20200908151611.png
深圳先进院等在聚集诱导发光纳米仿生机器人研究中取得进展
2020-09-08

近日,中国科学院深圳先进技术研究院生物医药与技术研究所纳米医疗技术研究中心研究员蔡林涛、副研究员张鹏飞、研究员龚萍、博士邓冠军等,与香港科技大学教授、中科院院士唐本忠以及湘潭大学教授陈华杰合作,研发出一种基于聚集发光元件的AIE纳米仿生机器人系统。用于血脑屏障穿越及脑胶质瘤靶向诊疗。相关论文以Natura...


微信截图_20200908150929.png
大连化物所验证镍杂二茂铁芳香性来自金属中心到配体的电子反馈
2020-09-07

近日,中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室生物无机催化研究组研究员叶生发团队与北京大学教授席振峰和张文雄研究团队、中科院上海有机化学研究所研究员邓亮合作,成功制备了镍杂二茂铁,并通过单晶X射线衍射与多种光谱学方法。以及理论计算对其进行详细表征。研究表明,与二茂铁和主族金属杂二茂铁不同...


W020200903327248134278.jpg
长春应化所等在新型半导体激光器研究中取得进展
2020-09-03

近期,中国科学院长春应用化学研究所秦川江课题组、日本九州大学安达千波矢研究室合作,开发出一种基于新型低成本半导体材料钙钛矿的激光器,突破了其以往仅能在低温下连续稳定工作的瓶颈,实现室温可连续激光输出的钙钛矿激光器。该研究证实了三重态激子在钙钛矿激光工作过程中的关键作用,以及调控三重态激子对实现连...


微信截图_20200903100606.png
我国科学家利用新型谱方法表征长程耦合半导体量子比特
2020-09-03

随着半导体量子计算的不断发展,半导体量子比特性能大幅提升,如何实现多量子比特扩展已成为该领域的一个重要研究热点。利用微波谐振腔中的光子作为媒介实现比特间相互作用被认为是最具潜力的扩展方式之一,而这一方案的首要条件是实现量子比特与微波谐振腔的强耦合(量子比特与微波谐振腔的耦合速率大于比特、光子的耗...


微信截图_20200901165646.png
大连化物所研发出耐低温水系锌基电池用电解质溶液
2020-09-01

近日,中国科学院大连化学物理研究所研究员李先锋、张华民带领的研究团队,在低温水系锌基电池电解液研究方面取得进展,研发出全天候水系锌基电池用电解质溶液。目前,水系锌基电池面临的主要挑战为:锌负极一侧锌的不均匀沉积导致枝晶生长与脱落,影响锌基电池的循环稳定性。水系电解液离子传导率随着温度的降低而急剧...


微信截图_20200901090606.png
闪存光刻技术的新思路
2020-09-02

当NAND闪存的半间距( half-pitch )达到20nm时,非易失性存储容量达到64Gb 。用于图案化构成这些存储器的20nm半节距线的光刻技术是另一个机会,可以查看行业中当前已知的光刻方法的基本方面和局限性。图案化20nm半间距线的方法是自对准双图案( SADP ) 。假设通过SADP对40nm的间距线进行了图案化,则堆叠的图案化具有...


1.jpg
高电压钴酸锂锂离子电池正极材料研究获进展
2020-08-28

钴酸锂( LiCoO2 )是最早商业化的锂离子电池正极材料。由于其具有很高的材料密度和电极压实密度,使用钴酸锂正极的锂离子电池具有高的体积能量密度,因此钴酸锂是消费电子用锂离子电池中应用广泛的正极材料。提高钴酸锂电池的充电电压可以提高电池的体积能量密度,因此开发下一代更高电压的钴酸锂材料已经成为科研界及...


W020200827583525996683.jpg
青岛能源所在锌/石墨电池研究中获进展
2020-08-28

低成本、长寿命、高功率的二次电池是实现电网规模储能来利用间歇性可再生能源发电的有效途径之一。石墨正极具有成本低、环境友好的特性,而锌负极具有体积能量密度高、储量丰富、锌沉积/溶解过电位低等优点,因此,结合锌负极与石墨正极各自优点的锌/石墨双离子电池在电网规模储能方面具有良好的应用前景。中国科学院青...


微信截图_20200828143040.png
合肥研究院在有机半导体磁诱导生长和性能研究中获进展
2020-08-28

近期,中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心张发培研究团队提出强磁场诱导有机材料生长的新策略,实现高性能半导体聚合物薄膜的结构调控并提高其电荷传输能力,相关研究成果分别发表在ACS Applied Materials & Interface 。Journal of Materials Chemistry C和Applied Physics Letters上。针对上述问题,张发培研...


微信截图_20200827093715.png
《自然》刊发微型机器人新突破:细如发丝,兼容硅电子器件
2020-08-27

将电子器件微型化以生产细胞大小的机器人一直是人们追求的目标,但由于缺乏合适的微米级致动器系统,该技术一直受到限制。除了设计微型制动器外,米斯金和同事还开发了一个微型机器人原型,其中用到4个致动器作为机器人的腿。操作者可以将激光照射到机器人的不同部位,来实现弯曲前腿或后腿的效果,从而推动机器人前进。...


W020200824507666655419.png
上海光机所在高功率激光非线性热像形成机制方面取得进展
2020-08-25

近期,中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光物理联合实验室在高功率激光传输中克尔效应诱致非线性热像效应研究方面取得进展。团队研究发现了具有缺陷边缘陡峭性依赖的多峰热像的新现象,探明了其背后的机理和形成多峰的临界条件。相关成果发表于《光学快报》 ( Optics Express )上。该工作为非线性热像的研究提...


u=2002966119,3220246634&fm=11&gp=0.jpg
Transphorm的第二款900V GaN FET进入量产
2020-08-25

美国氮化镓场效应晶体管制造商Transphorm的第二款900V GaN FET现已投入生产, TP90H050WS的典型导通电阻为50m Ω ,瞬态尖峰额定值为1000V ,并且已通过JEDEC认证。其主要目标市场在工业和可再生能源方面,包括光伏逆变器、电池充电、不间断电源( UPS ) 、照明和储能等应用。Transphorm高速GaN和耐热性强的TO-247封装...


20200824090057173.jpg
避免高压氮化镓功率器件的迁移率崩溃
2020-08-24

日本SCIOCS Co Ltd宣称其n型氮化镓( n-GaN )在室温下具有最高的迁移率,载流子密度为1015 / cm3 。这种低掺杂层是额定电压高达10kV的垂直功率器件的关键组件,需要厚漂移层以减少电场,同时保持导电率,与迁移率和自由载流子密度成比例。温度为1050 ° C ,基板为2英寸, + c取向, Si掺杂的n型自立式GaN ,采用SiCOSC...