-
合肥研究院等在单层1T'-WTe2体系中删极电压调控超导电性机理研究中获进展
2020-12-14
近日，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心超导与关联电子材料研究团队、北京应用物理与计算数学研究所研究员张平，以及北京邮电大学博士杨巍等合作，在1T ' - WTe2体系中理论研究了删极电压调控超导电性的机理以及物性。相关研究成果发表在Physical Review Letters上。分析发现这些特定动量对应最优的费米面嵌...
-
福建物构所钙钛矿太阳能电池研究取得进展
2020-12-04
近年来，有机无机杂化钙钛矿太阳能电池发展迅速，其光电转化效率从3.8%发展到目前25.5%的认证效率，被视为最具有应用潜力的新型高效率太阳能电池之一。虽然钙钛矿太阳能电池具有较高光电转换效率，可与多晶硅薄膜电池媲美，但电池的长期稳定性未达到商业化要求。产生的缺陷可捕获光生载流子，限制载流子的扩散，降低载流...
-
苏州纳米所等在高性能柔性储能器件研究中取得进展
2020-12-02
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员邸江涛等与佐治亚理工学院教授Ching-ping Wong合作，设计并制备出锌掺杂氧化铜纳米线（ Zn-CuO ）三维阵列结构，为电化学活性物质MnO2提供导电支架，获得高负载的MnO2纳米片材料。将生长在铜线表面的Zn-CuO @ MnO2材料用于同轴非对称纤维型超级电容器正极材料，获得...
-
提高p-GaN栅极HEMT的可靠性
2020-11-30
香港科技大学使用氮氧化镓（GaON）表面增强层（SRL）来提高p型栅极GaN沟道功率高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅极电压窗口和长期可靠性。与其他有关p-GaN HEMT的报告相比，该设备在10年的使用寿命中提供了最高的最大栅极电压。对于p-GaN栅极HEMT，研究人员使用了专为E模式p-GaN栅极功率HEMT设计的6英寸硅上GaN（GaN/Si）...
-
到2025年，碳化硅器件市场将以30％的复合年增长率增长，超过25亿美元
2020-11-27
根据Yole预测，碳化硅（ SiC ）器件市场估计将以30 ％的复合年增长率（ CAGR ）增长，从2019年的2.25亿美元增长到2025年的超过25亿美元SiC技术正在赢得许多客户的青睐，并渗透到各种应用中。在电动汽车相关的应用的推动下，用于电力电子应用的SiC在未来五年会表现出强劲增长。由于COVID-19大流行， 2020年上半年电动汽车...
-
上海微系统所制备出小扭转角度双层石墨烯
2020-11-26
近年随着扭转角在魔角范围（ ~ 1.1 ° ）的双层石墨烯中新奇量子现象的发现，扭转双层石墨烯的研究愈发受到关注。常规双层石墨烯是通过AB堆垛形成的稳定结构，而对于扭转双层石墨烯，其表面会展现出摩尔条纹超晶格，且该超晶格周期与双层石墨烯能带结构会随着扭转角度的变化而改变。目前，实验室小扭转角双层石墨烯多是...
-
上海光机所提出对二维材料光谱学进行机器学习研究的方案
2020-11-24
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室在利用随机森林算法实现二维材料层数和缺陷识别研究中取得新进展，揭示了机器学习算法在二维材料光谱学研究领域的应用潜力。随着大数据技术的快速发展，以数据驱动的机器学习算法在材料研究领域蓬勃兴起。当有新的样本点进入模型进行预测和判断时，随机...
-
上海光机所氧化铟锡薄膜光电特性调控技术研究获进展
2020-11-24
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在调控氧化铟锡（ ITO ）薄膜光电特性研究中取得进展，利用高效、可选择性的准连续（ QCW ）激光退火技术对ITO薄膜载流子进行调控，在基本不改变ITO薄膜导电特性的前提下，实现ITO薄膜近红外波段透过率的显著提升。高载流子浓度使ITO薄膜具有良好导电性的同时，也...
-
物理所等提出一类基于铁基非常规配对的拓扑超导体
2020-11-24
近年来，铁基高温超导体作为自赋性拓扑超导体，引起了科研人员的兴趣。理论研究表明，铁基高温超导体是一个理想的实现Majorana零能模的体系。科研人员在多个铁基材料表面观测到Majorana零能模，揭开了在铁基超导体系中探寻Majorana零能模的序幕，这使铁基超导体可能成为拓扑计算的载体。最近，中国科学院物理研究所/北京...
-
化学所等发展出曲面印刷微纳结构光子器件新策略
2020-11-23
微纳制造技术的快速发展为纳米光子器件、光学电路、光电探测器等提供了多样的设计和应用空间。作为光学接口的3D波导纳米结构是纳米光子应用的基本互连单元，光子元器件被集成在芯片的有限区域乃至复杂曲面上。因此，在曲面上实现具有精确形貌和组分微纳米结构的设计与制造，对于新型结构光电器件的发展具有重要意义。近...
-
具有高PL强度的硅基InP QD
2020-11-23
美国伊利诺伊大学已经实现了硅基的单片磷化铟（ InP ）量子点（ QD ）技术，相对于在砷化镓（ GaAs ）上生长的结构而言，其光致发光（ PL ）强度仅降低了一点。该团队表示有望将InP QD用于微型发光二极管（ micro-LED ）和激光器。基板由GaP / Si和4.3 μ m的GaAsyP1 - y逐步梯度缓冲液组成，将GaAs / Si材料切割成较小...
-
上海微系统所超导单光子探测器效率研究获进展
2020-11-20
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员尤立星团队利用无损介质镜面结合三明治结构超导纳米线，实现了NbN材料超导纳米线单光子器件（ SNSPD ） 98%的探测效率，再次创造了NbN SNSPD探测效率的新的世界纪录。2019年，研究人员发明了离子注入等手段，首次打破了NbN本征探测效率和吸收效率的制衡关系，再次实现了90%探...
-
福建物构所等在高阶多光子非线性响应的光铁电半导体材料研究中获进展
2020-11-20
铁电材料在强激光作用下，孕育和产生了具有重要应用前景的物理性质，如声光、电光和反常光学效应等，逐渐发展成为新一代光电子器件的有力候选者。其中，具有多光子吸收效应的铁电体在生物成像、频率上转换激光和光限幅等方面具有潜在应用。然而目前，学界针对铁电材料的研究以双光子吸收为主，基于铁电材料实现更高阶的...
-
实空间新型拓扑磁激发在磁性二维材料及人工反铁磁薄膜中的发现与调控
2020-11-19
兼具温度、电流、磁场等多物理场协同调控的高分辨洛伦兹透射电镜在实空间探索纳米尺度新型磁畴结构，原位揭示与磁相关的新奇物理现象微观机制及自旋原理性器件应用中发挥越来越重要的作用。近年来，研究人员运用该方法，从微观角度重点研究了纳米尺度磁性斯格明子生成与调控，研究材料包括DMI非中心对称FeGe单晶、中心对...
-
福建物构所自驱动紫外偏振光探测的光铁电体研究获进展
2020-11-19
紫外偏振光探测在通讯、遥感、近场成像等领域应用前景广阔，然而，在传统半导体材料中实现自驱动大偏振特性的紫外光电探测仍具挑战性。铁电半导体材料由于其固有的体光伏效应及其高偏振特性，在自驱动紫外偏振光电探测中展现出潜力，但是传统的无机铁电体因其半导体性能差，难以实现有效的光电探测。近年来兴起的金属卤...
-
GaN LED的MOCVD隧道结
2020-11-17
美国加州大学圣塔芭芭拉分校（ UCSB ）通过金属有机化学气相沉积（ MOCVD ）生长的隧道结微米级蓝色发光二极管（ TJ μ LED ）具有迄今为止记录的最高性能。研究人员在蓝宝石上使用了商用蓝色LED材料作为TJ结构过度生长的模板。通过热退火分解p-GaN中的Mg-H络合物并去除氢原子是激活p-GaN的关键点，最后进行LED的制造。...
-
福建物构所高居里温度杂化钙钛矿光铁电半导体研究获进展
2020-11-17
有机无机杂化钙钛矿光铁电半导体因结合了铁电性和优异的半导体性能，在光电器件领域吸引了科研工作者的兴趣。然而，二维杂化钙钛矿铁电的居里温度的有效调节仍是挑战。对于有机无机杂化钙钛矿铁电体，有机阳离子的有序-无序运动是驱动铁电相变的关键因素，提高这种旋转驱动的杂化钙钛矿铁电的相变势垒可以显著提高其居里...
-
合肥研究院在超高储能密度超级电容器研制方面取得进展
2020-11-17
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员王振洋团队实现了宏观厚度石墨烯晶体膜大面积制备，在超高储能密度超级电容器研制方面取得进展。研究人员采用激光诱导加工法，将聚酰亚胺前驱体直接原位转化为石墨烯晶体膜。针对其直接用作储能电极时所面临的体积效应技术瓶颈，通过优化前驱体的分子构型和热敏...
-
理化所等发现将三维体压缩率“压缩”到一维的反常力学材料
2020-11-13
近日，中国科学院理化技术研究所在反常力学材料研究中取得新进展，发现了能够将三维体压缩率“压缩”到一维的反常力学材料，有望应用于大压力涨落下高稳定的光电信号传输。为探索高压下能够保持传输过程高稳定性的材料，研究人员通过数学推导，证明了沿着三个力学主轴分别呈现出负压缩、零压缩和正压缩的反常力学材料能...
-
物理所等在钠离子电池层状氧化物研究中取得进展
2020-11-13
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心博士赵成龙、副研究员陆雅翔、研究员胡勇胜团队与荷兰代尔夫特理工大学Prof . Marnix Wagemaker 、法国波尔多大学Prof . Claude Delmas等合作，提出一种预测钠离子层状氧化物构型的方法，并在实验上证实该方法的有效性。为低成本、高性能钠离子电池层状氧化物正极材料的...
学习园地