-
具有高PL强度的硅基InP QD
2020-11-23
美国伊利诺伊大学已经实现了硅基的单片磷化铟（ InP ）量子点（ QD ）技术，相对于在砷化镓（ GaAs ）上生长的结构而言，其光致发光（ PL ）强度仅降低了一点。该团队表示有望将InP QD用于微型发光二极管（ micro-LED ）和激光器。基板由GaP / Si和4.3 μ m的GaAsyP1 - y逐步梯度缓冲液组成，将GaAs / Si材料切割成较小...
-
上海微系统所超导单光子探测器效率研究获进展
2020-11-20
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员尤立星团队利用无损介质镜面结合三明治结构超导纳米线，实现了NbN材料超导纳米线单光子器件（ SNSPD ） 98%的探测效率，再次创造了NbN SNSPD探测效率的新的世界纪录。2019年，研究人员发明了离子注入等手段，首次打破了NbN本征探测效率和吸收效率的制衡关系，再次实现了90%探...
-
福建物构所等在高阶多光子非线性响应的光铁电半导体材料研究中获进展
2020-11-20
铁电材料在强激光作用下，孕育和产生了具有重要应用前景的物理性质，如声光、电光和反常光学效应等，逐渐发展成为新一代光电子器件的有力候选者。其中，具有多光子吸收效应的铁电体在生物成像、频率上转换激光和光限幅等方面具有潜在应用。然而目前，学界针对铁电材料的研究以双光子吸收为主，基于铁电材料实现更高阶的...
-
实空间新型拓扑磁激发在磁性二维材料及人工反铁磁薄膜中的发现与调控
2020-11-19
兼具温度、电流、磁场等多物理场协同调控的高分辨洛伦兹透射电镜在实空间探索纳米尺度新型磁畴结构，原位揭示与磁相关的新奇物理现象微观机制及自旋原理性器件应用中发挥越来越重要的作用。近年来，研究人员运用该方法，从微观角度重点研究了纳米尺度磁性斯格明子生成与调控，研究材料包括DMI非中心对称FeGe单晶、中心对...
-
福建物构所自驱动紫外偏振光探测的光铁电体研究获进展
2020-11-19
紫外偏振光探测在通讯、遥感、近场成像等领域应用前景广阔，然而，在传统半导体材料中实现自驱动大偏振特性的紫外光电探测仍具挑战性。铁电半导体材料由于其固有的体光伏效应及其高偏振特性，在自驱动紫外偏振光电探测中展现出潜力，但是传统的无机铁电体因其半导体性能差，难以实现有效的光电探测。近年来兴起的金属卤...
-
GaN LED的MOCVD隧道结
2020-11-17
美国加州大学圣塔芭芭拉分校（ UCSB ）通过金属有机化学气相沉积（ MOCVD ）生长的隧道结微米级蓝色发光二极管（ TJ μ LED ）具有迄今为止记录的最高性能。研究人员在蓝宝石上使用了商用蓝色LED材料作为TJ结构过度生长的模板。通过热退火分解p-GaN中的Mg-H络合物并去除氢原子是激活p-GaN的关键点，最后进行LED的制造。...
-
福建物构所高居里温度杂化钙钛矿光铁电半导体研究获进展
2020-11-17
有机无机杂化钙钛矿光铁电半导体因结合了铁电性和优异的半导体性能，在光电器件领域吸引了科研工作者的兴趣。然而，二维杂化钙钛矿铁电的居里温度的有效调节仍是挑战。对于有机无机杂化钙钛矿铁电体，有机阳离子的有序-无序运动是驱动铁电相变的关键因素，提高这种旋转驱动的杂化钙钛矿铁电的相变势垒可以显著提高其居里...
-
合肥研究院在超高储能密度超级电容器研制方面取得进展
2020-11-17
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员王振洋团队实现了宏观厚度石墨烯晶体膜大面积制备，在超高储能密度超级电容器研制方面取得进展。研究人员采用激光诱导加工法，将聚酰亚胺前驱体直接原位转化为石墨烯晶体膜。针对其直接用作储能电极时所面临的体积效应技术瓶颈，通过优化前驱体的分子构型和热敏...
-
理化所等发现将三维体压缩率“压缩”到一维的反常力学材料
2020-11-13
近日，中国科学院理化技术研究所在反常力学材料研究中取得新进展，发现了能够将三维体压缩率“压缩”到一维的反常力学材料，有望应用于大压力涨落下高稳定的光电信号传输。为探索高压下能够保持传输过程高稳定性的材料，研究人员通过数学推导，证明了沿着三个力学主轴分别呈现出负压缩、零压缩和正压缩的反常力学材料能...
-
物理所等在钠离子电池层状氧化物研究中取得进展
2020-11-13
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心博士赵成龙、副研究员陆雅翔、研究员胡勇胜团队与荷兰代尔夫特理工大学Prof . Marnix Wagemaker 、法国波尔多大学Prof . Claude Delmas等合作，提出一种预测钠离子层状氧化物构型的方法，并在实验上证实该方法的有效性。为低成本、高性能钠离子电池层状氧化物正极材料的...
-
合肥研究院二维SnO2材料的理论预测研究获进展
2020-11-13
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所计算物理与量子材料研究部研究员郑小宏课题组在二维二氧化锡（ SnO2 ）材料研究中取得进展。研究人员基于第一性原理计算方法理论预测SnO2的二维单层δ相（ P-4m2 ）可以稳定存在，并发现δ相的二维SnO2材料具有平面内负泊松比特性。相关研究成果以Computational Predic...
-
Umicore开发出适用VCSEL应用的6英寸锗晶圆
2020-11-11
全球领先锗产品和材料解决方案供应商Umicore光电材料（ EOM ）表示已经领先的商业和学术合作伙伴合作，共同开发出用于垂直腔表面发射激光器的6英寸锗晶片。重要的产品包括太阳光电和LED ，光电原料和柔性光电测试组以及用于夜晚视觉应用的光学部件。原文题目： Umicore qualifying 6 ” germanium wafers for VCSEL appl...
-
微电子所在氧化物电解质栅控晶体管研究取得进展
2020-11-09
当今世界信息技术突飞猛进，海量的数据对信息的快速实时处理提出了更高要求，实现这一目标的有效途径之一是开发具有边缘计算能力的智能感知系统，缓解数据传输带来的延迟与能耗，从而实现实时、高效的信息处理。针对上述问题，微电子所微电子重点实验室刘明院士团队制备了具有良好沟道电导调节性能和器件均一性的电解质...
-
上海光机所正电子加速研究获进展
2020-11-10
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室在正电子加速研究中取得进展，研究团队首次提出利用相干渡越辐射加速正电子，得到了准单能的高品质正电子源，相关成果发表在《通讯-物理学》 （ Communications Physics ）上。然而，对于电子的反物质-正电子，利用尾场对其加速面临较为严峻的挑战，正...
-
物理所等在磁性外尔半金属中首次提出“自旋轨道极化子”概念
2020-11-10
磁性量子材料的缺陷工程及其局域量子态自旋的调控，有望用于构筑未来实用化的自旋量子器件，是目前凝聚态物理研究的热点领域之一。近年来，基于过渡金属的笼目晶格（ kagome lattice ）化合物成为揭示和探索包括几何阻挫、关联效应和磁性以及量子电子态的拓扑行为等丰富物理学性质的新颖材料平台。在这些近层状堆叠的晶...
-
上海光机所大负色散耗散孤子光纤激光器研究取得进展
2020-11-09
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所高功率光纤激光技术实验室在大负色散耗散孤子光纤激光器方向的研究中取得进展。通过一种九字形光纤激光器结合啁啾光纤光栅，获得工作在大负色散区域耗散孤子脉冲，并通过数值仿真揭示大负色散耗散孤子的工作机制，相关研究成果发表在Optics Letters上。目前，多数报道的耗散孤子...
-
金属所发现空位诱导的二维材料薄膜超快离子传输
2020-11-09
10月30日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部在二维材料物性研究方面取得新进展，相关研究成果以CdPS3 nanosheets-based membrane with high proton conductivity enabled by Cd vacancies为题，发表在Science上。目前， Nafion膜是常用的商业质子传导膜，它以磺酸基为质子供体中心，质子通...
-
用于物联网尘埃的III-V光伏器件
2020-11-09
美国IBM T J Watson研究中心开发了一种晶圆级封装工艺，将III-V光伏（ PV ）器件与电子元件集成起来，以实现物联网（ IoT ）应用。研究人员声称，他们的尘埃大小的器件“比所有先前在硅（ Si ）和绝缘体上的硅（ SOI ）衬底上的微pv获得更高的功率密度” 。研究人员报告说： “我们的研究表明，我们的单片集成微型光伏是...
-
IGaN通过150mm的GaN-on-Si外延片实现低传导损耗，适用于RF应用
2020-11-09
新加坡IGSS GaN Pte Ltd （ IGaN ）指出，近年来，由于GaN功率和RF器件在各种应用中的采用越来越多， GaN基产品的需求不断增长。该公司开发并商业化了GaN-on-Si / SiC外延晶片和专有的8英寸（ 200毫米） GaN制造技术，用于功率、 RF和传感器应用。GaN基材料的宽禁带可提供显著的击穿电场和高漂移速度，适用于制造大功率...
-
优化SiC MOSFET性能
2020-11-05
美国纽约州立大学理工学院（ SUNY Poly ）的两名研究人员声称4H多型碳化硅（ SiC ）侧向金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET ）具有创纪录的性能。特别是栅漏间距为2.5 μ m的0.3 μ m沟道器件可实现7.7m Ω - cm2的比导通电阻和450V击穿。两名研究人员设计了各种尺寸不同的MOSFET ，衬底具有6 μ m重掺杂n +漂移层。...
学习园地