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福建物构所光学加密和防伪材料研究取得进展
2024-01-23
荧光/磷光分子的快速发展丰富了安全油墨的研究，显著推进了数据加密和防伪技术。为了进一步提高安全级别，研究者开发了大量具有动态和刺激响应型的荧光分子，同时可产生超长室温磷光的发光材料也备受关注，并已广泛应用于通过时域门控读数的方式进行数据加密和防伪。首先，传统安全油墨的固有发光特性使得读数方案非常直...
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研究实现胶体量子点在液体中的放大自发辐射
2024-01-22
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴凯丰、杜骏团队在胶体量子点多激子动力学与光增益研究中取得进展。该团队与美国洛斯阿拉莫斯国家实验室研究团队合作，开发了体积紧凑的俄歇抑制型胶体量子点，在量子点溶液中观测到了准连续光泵浦下的放大自发辐射现象。2000年，国际上报道了量子点薄膜中的放大自发辐射现象...
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大连化物所开发出柔性导热电绝缘复合相变材料膜
2024-01-19
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员史全团队通过简单易行的合成方法，开发出一种具有高导热、电绝缘且热驱动形状记忆特性的柔性复合相变材料膜，在可穿戴电子器件热管理领域展现出应用前景。针对此问题，研究团队选用高导热与电绝缘性的氮化硼作为导热填料，将有机相变材料负载于多孔结构的聚偏氟乙烯-氮化硼薄膜...
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科学家在室温铁磁材料中观测到反对称磁电阻及非常规霍尔效应
2024-01-17
稳态强磁场实验装置用户中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心低功耗量子材料研究团队，依托SHMFF磁性测量系统，通过磁输运测量，在二维铁磁材料Fe5-xGeTe2纳米片中观测到非互易反对称磁电阻及非常规霍尔效应。这些新奇磁效应使该材料在特定条件下产生额外的反对称磁阻，导致其在不同磁场方向下的宏观电输运特性具...
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科学家揭示纳米碳和超薄二维硅酸盐复合新机制
2024-01-15
高效多功能先进新材料的开发是信息、航天、能源化学等高科技领域取得突破性进展的关键。由于不同材料的异质性，复合材料在形成过程中常常面临均一性和稳定性等问题，尤其是在如纳米和分子尺度的微观层面，问题变得更为突出。碳材料存在化学惰性，因此之前的尝试多是通过物理复合的方式将这两种材料结合，以获得具有二者...
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微电子所在多模态三维神经形态计算领域取得重要进展
2024-01-15
人脑是一个高度整合的器官，通过多感官系统处理信息。第1层和第2层器件构建的多时间尺度储备池计算网络用来模拟人类的耳朵捕捉声音信息，第3层器件一部分用于构建卷积神经网络模拟人类的眼睛捕捉图像信息，一部分构建全连接网络用于多感官信号的分类和识别。该成果以题High Area EfficiencyMultimodal Neuromorphic Comp...
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微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展
2024-01-15
随着尺寸微缩，1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。针对平面结构IGZO-DRAM的密度问题，微电子所重点实验室刘明院士团队在2021年及2022年IEDM国际大会报道的垂直环形沟道结构。IGZO晶体管的基础上，分析了沉积IGZO沟道的ALD工艺对于器件性能及稳定性的调控作用，研究了堆叠第二层IG...
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微电子所在IGZO 2T0C DRAM多值存储领域取得重要进展
2024-01-15
IGZO薄膜晶体管由于其极低的关态电流、较高的迁移率和低温工艺，在新型DRAM的应用中备受关注。针对上述挑战，微电子所刘明院士团队与北京超弦存储研究院赵超研究员团队联合在2023年国际电子器件大会上首次报道了具有单元内阈值电压补偿技术的双栅IGZO 2T0C DRAM。电路层面上，提出了一种新型的双栅2T0C DRAM结构，通过全...
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微电子所在小尺寸独立双栅非晶IGZO晶体管紧凑模型领域取得重要进展
2024-01-15
超大规模独立双栅InGaZnO-FET具有低漏电、操作灵活和三维集成的特点，有望实现高能效和高密度的存内计算。针对上述问题，开发了一种可靠性感知的紧凑型模型，研究了纳米级IDG IGZO TFT的可靠性问题。微电子所博士生徐丽华、陈楷飞、李智为共同第一作者，微电子所窦春萌研究员、杨冠华研究员和汪令飞研究员为共同通讯作者...
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科学家发现自旋超固态巨磁卡效应
2024-01-12
超固态是一种在接近绝对零度时涌现的新奇量子物态，兼具固体和超流体这两种看似矛盾的特征。超固态自20世纪70年代作为理论猜测提出以来，除了冷原子气的模拟实验外，科学家尚未在固体物质中找到超固态存在的可靠实验证据。中国科学院大学教授苏刚、中国科学院物理研究所研究员孙培杰、中国科学院理论物理研究员所李伟、...
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国家纳米中心在亚纳米材料普适性制备方面取得进展
2024-01-12
与材料组成和结构一样，尺寸同样可以调控材料性能。例如，2010年和2023年的诺贝尔物理和化学奖分别授予二维材料和胶体量子点方面的开创性工作，凸显了材料维度和尺度的重要性。中国科学院国家纳米科学中心张勇团队致力于极小尺度材料的物理制备及性能研究。开发出全物理方法，实现了量子尺度材料的普适和规模...
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微电子所在铪基铁电存储器芯片研究领域取得重要进展
2024-01-12
基于Zr掺杂HfO2（HZO）材料的铁电存储器有望通过后道工艺进行大规模阵列集成，但仍存在两个关键的优化问题：一方面，HZO的最佳退火温度仍高于后道工艺的热预算限制（为保证前道工艺制备的晶体管及互联金属的可靠性，通常后道工艺的热预算通常被限制在400℃以下）；另一方面，对于器件在先进工艺节点中的应用，以及降低器...
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微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展
2024-01-12
传统贝叶斯机面临三大挑战：一是需要高质量的随机源生成具有真随机性的随机比特数流。针对这些挑战，微电子所刘明院士团队首次构建了存储器和随机源融合的贝叶斯机。该研究成果以题为First Demonstration of a Bayesian Machine based on Unified Memory and Random Source Achieved by 16-layer Stacking 3D Fe-Diode w...
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微电子所在阻变存储器芯片创新应用研究取得进展
2024-01-12
阻变存储器因其高速、低功耗和可扩展性而被广泛用于实现边缘计算加速器。针上述问题，微电子所刘明院士团队基于RRAM阵列的原位乘加及低功耗特性，开发了RRAM存内计算芯片，结合微流控芯片搭建了异质集成及时检测系统，完成终端系统的识别功能。针对血液疾病早期检测，开发了细胞分级识别策略，将识别精度提高到92%。同时...
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微电子所在面向存内计算的多比特2T0C DRAM研究中取得重要进展
2024-01-11
为解决现代计算系统中（如云计算和人工智能）的“内存墙”带宽局限、高效计算瓶颈和制造工艺尺寸微缩等问题，一种结合新型非晶态氧化铟镓锌（IGZO）薄膜材料的无电容（2T0C）DRAM结构，有望取代传统1T1C DRAM成为关键性的新兴技术路线。目前，大量研究工作集中于通过器件结构和工艺优化来提升IGZO 3D DRAM的保留时间和操...
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大连化物所揭示无铅双钙钛矿的白光发射机理
2024-01-10
近日，中国科学院大连化学物理研究所化学动力学研究室分子光化学动力学研究组研究员袁开军和副研究员隋来志团队，利用自主开发的高压超快光谱，揭示了Cs2NaInCl6:Sb3+晶体经过高压作用后产生白光发射的机理。其中，无铅金属卤化物钙钛矿材料由于强烈的电子-声子耦合作用可产生宽带自陷态激子发射而备受瞩目。钙钛矿中Sb3...
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合成复频波技术补偿极化激元光子器件的损耗研究获进展
2024-01-10
在纳米光子系统中，极化激元是一种由入射光与材料表界面相互作用形成的特殊电磁模式，能够实现纳米尺度上光信息的传输和处理。为了解决这一挑战，中国科学院国家纳米科学中心研究员戴庆与香港大学教授张霜团队合作，提出了一种实用的解决方案，借助多频率组合的复频波激发来实现虚拟增益，补偿了光子器件的本征损耗。戴...
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深圳先进院发现超构表面慢光新原理
2024-01-09
1月6日，中国科学院深圳先进技术研究院深圳先进集成技术研究所李光元课题组，在《纳米快报》上，发表了题为Ultrahigh-Q Metasurface Transparency Band Induced by Collective-Collective Coupling的研究成果，并被选为封面文章。 针对超构表面采用类电磁辐射透明现象实现慢光效应所面临的高损耗问题，该研究提出了基于...
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物理所在新型笼目超导体中发现非平庸拓扑能带和轨道选择性电子向列相
2024-01-09
笼目结构材料因其独特的kagome结构而具有平带、范霍夫奇异点，以及具有线性色散关系的狄拉克点等特殊的电子能带结构，展现出电子强关联、拓扑以及多体效应，很快成为研究几何阻挫、非平庸拓扑能带以及多种电子序耦合与竞争的重要平台。该团队研究人员制备出高质量CsV3Sb5单晶，利用STM/S在原子尺度揭示了CsV3Sb5非常规超...
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过度氧化诱发的非晶合金纳米管超弹性研究获进展
2024-01-05
金属薄膜、纳米片、纳米线等低维金属可同时呈现良好的弹性、强度、塑性等机械性能和功能性能，是构建微纳米器件的重要候选材料。不同于晶态合金的周期性原子结构，非晶合金保留了液体的无序结构，展现出独特的热塑成型特性。这种特性使得非晶合金逐渐成为制备微纳器件的候选材料。例如，通过纳米压印技术可以制备出不同...
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