| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法 | 钟汇才，梁擎擎，罗军，赵超; | PCT/CN2011/082420 | 2011-11-18 |
| 石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/082418 | 2011-11-18 |
| 半导体场效应晶体管的制备方法 | 周华杰，徐秋霞; | PCT/CN2011/082421 | 2011-11-18 |
| xMOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，许淼，梁擎擎; | PCT/CN2011/077856 | 2011-08-01 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，许淼，梁擎擎; | PCT/CN2011/077917 | 2011-08-02 |
| 半导体器件结构及其制作方法 | 钟汇才，罗军，梁擎擎，朱慧珑; | PCT/CN2011/079040 | 2011-08-29 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/077908 | 2011-08-02 |
| 半导体器件结构及其制作方法 | 钟汇才，梁擎擎，尹海洲; | PCT/CN2011/078221 | 2011-08-10 |
| 半导体器件及半导体存储装置 | 梁擎擎，童小东，钟汇才，朱慧珑; | PCT/CN2011/078209 | 2011-08-10 |
| 器件电学特性相关性分析方法及器件结构优化方法 | 梁擎擎，朱慧珑，钟汇才; | PCT/CN2011/078204 | 2011-08-10 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/077858 | 2011-08-01 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/077864 | 2011-08-01 |
| 一种半导体器件的替代栅集成方法 | 许高博，徐秋霞; | PCT/CN2011/077905 | 2011-08-02 |
| 一种半导体器件的制备方法 | 周华杰，徐秋霞; | PCT/CN2011/072527 | 2011-04-08 |
| 栅极结构及其制造方法 | 钟汇才，骆志炯，梁擎擎; | PCT/CN2011/073308 | 2011-04-26 |
科研产出