| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | 201190000063.7 | 2011-10-20 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲,罗军,骆志炯,朱慧珑; | 201190000068.X | 2011-10-20 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | 201190000067.5 | 2011-10-20 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | 201190000066.0 | 2011-10-20 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲,罗军,朱慧珑,骆志炯; | 201190000060.3 | 2011-10-19 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯; | 201190000064.1 | 2011-10-20 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | 201190000065.6 | 2011-10-20 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | 201190000069.4 | 2011-10-20 |
| 半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎,罗军,钟汇才,赵超,朱慧珑; | 201110329579.2 | 2011-10-26 |
| 半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎,钟汇才,朱慧珑; | 201110270958.9 | 2011-09-14 |
| 石墨烯器件及其制造方法 | 梁擎擎,金智,钟汇才,朱慧珑,刘新宇; | 201110360220.1 | 2011-11-14 |
| 鳍式场效应晶体管的制造方法 | 梁擎擎,朱慧珑,钟汇才; | 201110144894.8 | 2011-05-31 |
| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 梁擎擎,钟汇才,朱慧珑; | 201110116545.5 | 2011-05-06 |
| 半导体器件及其形成方法 | 朱慧珑,尹海洲,骆志炯; | 201110080739.4 | 2011-03-31 |
| 穿硅通孔结构及其形成方法 | 赵超,陈大鹏,欧文; | 201110059582.7 | 2011-03-11 |
科研产出