| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑，吴彬能，肖卫平，吴昊，梁擎擎; | PCT/CN2011/073304 | 2011-04-26 |
| 器件性能预测方法及器件结构优化方法 | 梁擎擎，朱慧珑，钟汇才，李萌; | PCT/CN2011/073305 | 2011-04-26 |
| 半导体结构及其制作方法 | 骆志炯，尹海洲，朱慧珑; | PCT/CN2011/073266 | 2011-04-25 |
| 半导体器件及其制作方法 | 骆志炯，朱慧珑，尹海洲; | PCT/CN2011/073296 | 2011-04-26 |
| 半导体器件及其制作方法 | 骆志炯，尹海洲，朱慧珑; | PCT/CN2011/073257 | 2011-04-25 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑，钟汇才，尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/073919 | 2011-05-11 |
| 半导体结构的制造方法 | 朱慧珑; | PCT/CN2011/071309 | 2011-02-25 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 骆志炯，尹海洲，朱慧珑; | PCT/CN2011/071460 | 2011-03-02 |
| 一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件 | 骆志炯，尹海洲，朱慧珑，钟汇才; | PCT/CN2011/071459 | 2011-03-02 |
| 衬底结构、半导体器件及其制造方法 | 钟汇才，梁擎擎; | PCT/CN2011/071224 | 2011-03-04 |
| 半导体结构及其制作方法 | 朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/071318 | 2011-02-25 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/071230 | 2011-02-24 |
| 一种隔离区、半导体器件及其形成方法 | 尹海洲，朱慧珑，骆志炯; | PCT/CN2011/071093 | 2011-02-18 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 尹海洲，骆志炯，朱慧珑; | PCT/CN2011/071020 | 2011-02-16 |
| 一种源漏区、接触孔及其形成方法 | 尹海洲，朱慧珑，骆志炯; | PCT/CN2011/071086 | 2011-02-18 |
科研产出