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专利

专利名称 发明人 申请号 申请日期
层间电介质层的平面化方法 殷华湘,徐秋霞,孟令款,杨涛,陈大鹏; PCT/CN2011/071056 2011-02-17
半导体器件的制造方法 殷华湘,徐秋霞,许高博,孟令款,杨涛,陈大鹏; PCT/CN2011/071060 2011-02-17
半导体器件的形成方法 朱慧珑,李春龙,罗军; PCT/CN2011/071488 2011-03-03
半导体器件及其形成方法 朱慧珑,吴昊,肖卫平; PCT/CN2011/071485 2011-03-03
半导体结构及其制造方法 朱慧珑,尹海洲,骆志炯,梁擎擎; PCT/CN2011/071534 2011-03-04
MOSFET及其制造方法 朱慧珑,许淼,梁擎擎; PCT/CN2011/071512 2011-03-04
MOSFET及其制造方法 朱慧珑,许淼,梁擎擎; PCT/CN2011/071537 2011-03-04
一种提高电子束光刻效率的方法 徐秋霞,许高博; PCT/CN2011/070993 2011-02-15
高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法 徐秋霞,李永亮; PCT/CN2011/070996 2011-02-15
悬空鳍片及环栅场效应晶体管的制备方法 周华杰,宋毅,徐秋霞; PCT/CN2011/071062 2011-02-17
接触电极制造方法和半导体器件 朱慧珑,尹海洲,骆志炯; PCT/CN2011/071251 2011-02-24
金属互连结构及金属层间通孔和互连金属线的形成方法 赵超; PCT/CN2011/071053 2011-02-17
半导体晶片的制造方法 钟汇才,梁擎擎,赵超; PCT/CN2011/071303 2011-02-25
半导体结构及其制造方法 朱慧珑,梁擎擎,骆志炯,尹海洲; PCT/CN2011/071514 2011-03-04
半导体结构及其制造方法 朱慧珑,梁擎擎,尹海洲,骆志炯; PCT/CN2011/071530 2011-03-04