| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件 | 闫江; | 201110099133.5 | 2011-04-20 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | 201110053469.8 | 2011-03-07 |
| 向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | 201110007408.8 | 2011-01-14 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑，尹海洲，骆志炯; | 201110263440.2 | 2011-09-07 |
| 半导体衬底、具有该半导体衬底的集成电路及其制造方法 | 朱慧珑，骆志炯，尹海洲，钟汇才; | 201110263458.2 | 2011-09-07 |
| 半导体器件制造方法 | 罗军，赵超，钟汇才，李俊峰，陈大鹏; | 201110391447.2 | 2011-11-30 |
| 具有抬升硅化物源漏接触的MOSFET及其制造方法 | 罗军，赵超，钟汇才，李俊峰，陈大鹏; | 201110377995.X | 2011-11-23 |
| 半导体器件 | 罗军，赵超; | 201110347563.4 | 2011-11-05 |
| MOSFET及其制造方法 | 殷华湘，马小龙; | 201110322087.0 | 2011-10-20 |
| 半导体器件及其制造方法 | 王桂磊; | 201110303593.5 | 2011-10-09 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | 201110300828.5 | 2011-09-29 |
| 类金刚石衬底上源漏掩埋型石墨烯晶体管器件结构和制作方法 | 马小龙，殷华湘; | 201110266848.5 | 2011-09-09 |
| 低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法 | 罗军，赵超; | 201110264987.4 | 2011-09-08 |
| 低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法 | 罗军，赵超; | 201110263766.5 | 2011-09-07 |
| 混合线条的制造方法 | 唐波，闫江; | 201110263770.1 | 2011-09-07 |
科研产出