| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 后栅工艺中电极和连线的制造方法 | 杨涛，赵超，李俊峰，闫江，贺晓彬，卢一泓; | 201110263768.4 | 2011-09-07 |
| 半导体集成电路制造方法 | 孟令款; | 201110263754.2 | 2011-09-07 |
| 半导体集成电路制造方法 | 孟令款; | 201110263795.1 | 2011-09-07 |
| 混合线条的制造方法 | 唐波，闫江; | 201110261526.1 | 2011-09-05 |
| 小尺寸鳍形结构的制造方法 | 杨涛，赵超，李俊峰，卢一泓; | 201110261527.6 | 2011-09-05 |
| 光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件以及显示器件 | 殷华湘，王玉光，董立军，陈大鹏; | 201110257633.7 | 2011-09-01 |
| 高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件 | 殷华湘，王玉光，董立军，陈大鹏; | 201110257880.7 | 2011-09-01 |
| 后栅工艺中假栅的制造方法 | 杨涛，赵超，闫江，李俊峰，卢一泓，陈大鹏; | 201110257658.7 | 2011-09-01 |
| 提高隔离氧化物CMP均匀性的方法及其专用设备 | 王桂磊，杨涛; | 201110257878.X | 2011-09-01 |
| 提高隔离氧化物CMP均匀性的方法 | 王桂磊，杨涛，李俊峰，赵超; | 201110257855.9 | 2011-09-01 |
| 压应变p-MOSFET器件结构及其制造方法 | 马小龙，殷华湘; | 201110239100.6 | 2011-08-19 |
| 半导体器件及其制造方法 | 罗军，赵超; | 201110234502.7 | 2011-08-16 |
| 半导体器件及其制造方法 | 罗军，赵超; | 201110234503.1 | 2011-08-16 |
| 高压器件的外延层制造方法 | 王红丽，李俊峰; | 201110235330.5 | 2011-08-16 |
| 消除接触孔工艺中桥接的方法 | 王桂磊，李俊峰，赵超; | 201110208407.X | 2011-07-25 |
科研产出