| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体器件结构及其制作方法 | 钟汇才，罗军，梁擎擎，朱慧珑; | 201110240932.X | 2011-08-22 |
| 半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法 | 钟汇才，梁擎擎，罗军，赵超; | 201110240931.5 | 2011-08-22 |
| 半导体器件 | 梁擎擎，许淼，朱慧珑，钟汇才; | 201110241218.2 | 2011-08-22 |
| 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 | 徐秋霞，李永亮，许高博; | 201110221375.7 | 2011-08-03 |
| 半导体器件结构及其制作方法 | 钟汇才，梁擎擎，尹海洲; | 201110198180.5 | 2011-07-15 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲; | 201110189100.X | 2011-07-07 |
| 一种半导体器件的替代栅集成方法 | 许高博，徐秋霞; | 201110181587.7 | 2011-06-30 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，尹海洲，骆志炯; | 201110178387.6 | 2011-06-29 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲; | 201110173892.1 | 2011-06-24 |
| 半导体场效应晶体管的制备方法 | 周华杰，徐秋霞; | 201110172967.4 | 2011-06-24 |
| 一种半导体场效应晶体管的制备方法 | 周华杰，徐秋霞; | 201110174333.2 | 2011-06-24 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，许淼，梁擎擎; | 201110170875.2 | 2011-06-23 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，许淼，梁擎擎; | 201110170497.8 | 2011-06-23 |
| 半导体结构及其制作方法 | 骆志炯，尹海洲，朱慧珑; | 201110126832.4 | 2011-05-17 |
| 一种半导体器件的制造方法 | 许高博，徐秋霞; | 201110121071.3 | 2011-05-11 |
科研产出