| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种分子尺度界面SiO2的形成和控制方法 | 徐秋霞，许高博; | 201110375162.X | 2011-11-23 |
| 金属性纳米管去除方法 | 朱慧珑，骆志炯，尹海洲; | 201110354410.2 | 2011-11-10 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，尹海洲，骆志炯; | 201110308554.4 | 2011-10-12 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，尹海洲，骆志炯; | 201110308827.5 | 2011-10-12 |
| 受控横向刻蚀方法 | 朱慧珑，骆志炯，尹海洲; | 201110281364.8 | 2011-09-21 |
| SRAM单元及其制作方法 | 朱慧珑，梁擎擎; | 201110282569.8 | 2011-09-21 |
| SRAM单元及其制作方法 | 朱慧珑，梁擎擎; | 201110281517.9 | 2011-09-21 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，许淼，梁擎擎; | 201110274852.6 | 2011-09-16 |
| 石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲; | 201110274354.1 | 2011-09-16 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，骆志炯，尹海洲; | 201110265211.4 | 2011-09-08 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，尹海洲，骆志炯; | 201110265073.X | 2011-09-08 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，尹海洲，骆志炯; | 201110253935.7 | 2011-08-31 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，尹海洲，骆志炯; | 201110254187.4 | 2011-08-31 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲; | 201110254340.3 | 2011-08-31 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲; | 201110254440.6 | 2011-08-31 |
科研产出