| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种形成半导体结构的方法 | 朱慧珑,尹海洲,骆志炯; | 201110033687.5 | 2011-01-30 |
| 红外探成像装置 | 董立军; | 201120046894.X | 2011-02-23 |
| 红外探成像装置及其制备方法 | 董立军; | 201110045085.1 | 2011-02-23 |
| 半导体结构及其制备方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | 201110000433.3 | 2011-01-04 |
| 半导体器件及其制造方法 | 骆志炯,尹海洲,朱慧珑; | 201110137573.5 | 2011-05-24 |
| 一种SOI衬底隔离的形成方法 | 尹海洲, 骆志炯,朱慧珑,; | 201110044647.0 | 2011-02-21 |
| 半导体衬底隔离的形成方法 | 尹海洲,骆志炯, 朱慧珑; | 201110041586.2 | 2011-02-21 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑,尹海洲,骆志炯; | 201110045404.9 | 2011-02-24 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯, 朱慧珑; | 201110066371.6 | 2011-03-18 |
| 半导体器件及其制造方法 | 尹海洲，朱慧珑, 骆志炯; | 201090000796.6 | 2011-09-28 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲，骆志炯, 朱慧珑; | 201090000797.0 | 2011-09-28 |
| 半导体器件及其制作方法 | 尹海洲，朱慧珑, 骆志炯; | 201090000829.7 | 2011-10-14 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲，朱慧珑, 骆志炯; | 201090000830.X | 2011-10-14 |
| 半导体器件及其制作方法 | 尹海洲，骆志炯, 朱慧珑; | 201090000827.8 | 2011-10-14 |
| 一种源漏区、接触孔及其形成方法 | 尹海洲，朱慧珑, 骆志炯; | 201190000053.3 | 2011-10-14 |
科研产出