| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体器件及其制造方法 | 王桂磊，尹海洲; | 201110029212.9 | 2011-01-26 |
| 半导体器件及其制造方法 | 罗军，赵超; | 201110021062.7 | 2011-01-18 |
| 半导体器件及其制造方法 | 罗军，赵超; | 201110020536.6 | 2011-01-18 |
| 微细结构的光刻方法 | 王红丽，闫江; | 201110006476.2 | 2011-01-13 |
| 半导体器件及其制造方法 | 罗军，赵超; | 201110006429.8 | 2011-01-13 |
| 提高打开多晶栅顶化学机械平坦化均匀性的方法 | 杨涛，刘金彪，赵超; | 201110005057.7 | 2011-01-11 |
| 用于超浅结注入的离子源装置 | 刘金彪,张琦辉,宋希明,张浩,李琳,刘强,丁明正,李俊峰,赵超; | 201110004958.4 | 2011-01-11 |
| 提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 杨涛，赵超，李俊峰; | 201110005058.1 | 2011-01-11 |
| 层间电介质的近界面平坦化回刻方法 | 孟令款，殷华湘; | 201110003118.6 | 2011-01-07 |
| 一种悬浮结构MEMS器件及其制造方法 | 欧毅,王文武,陈大鹏,叶甜春; | 201110392138.7 | 2011-11-30 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲,许静,刘云飞; | 201110375108.5 | 2011-11-23 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲,蒋葳,许高博; | 201110362350.9 | 2011-11-15 |
| 一种半导体结构的制造方法 | 尹海洲,于伟泽; | 201110351250.6 | 2011-11-08 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲,于伟泽; | 201110306885.4 | 2011-10-11 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑,尹海洲,骆志炯; | 201110306988.0 | 2011-10-11 |
科研产出