| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体器件及半导体存储装置 | 梁擎擎，童小东，钟汇才，朱慧珑; | 201110114256.1 | 2011-05-04 |
| 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法 | 许高博，徐秋霞; | 201110100732.4 | 2011-04-21 |
| 锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法 | 胡爱斌，许高博，徐秋霞; | 201110090483.5 | 2011-04-12 |
| 栅极结构及其制造方法 | 钟汇才，骆志炯，梁擎擎; | 201110052271.8 | 2011-03-04 |
| 牺牲栅去除方法及栅堆叠制作方法 | 杨涛，殷华湘，徐秋霞，赵超，陈大鹏; | 201110051453.3 | 2011-03-03 |
| 一种半导体器件的制备方法 | 周华杰，徐秋霞; | 201110046790.3 | 2011-02-25 |
| 一种鳍型场效应晶体管的制备方法 | 周华杰，徐秋霞，宋毅; | 201110046786.7 | 2011-02-25 |
| 一种Ω形鳍片的制备方法 | 周华杰，徐秋霞，宋毅; | 201110046371.X | 2011-02-25 |
| PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数调节方法 | 徐秋霞，李永亮; | 201110046360.1 | 2011-02-25 |
| 具有应力结构的场效应晶体管器件 | 朱慧珑，骆志炯，尹海洲; | 201120034184.5 | 2011-01-31 |
| 器件电学特性相关性分析方法及器件结构优化方法 | 梁擎擎，朱慧珑，钟汇才; | 201110023167.6 | 2011-01-20 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑，吴彬能，肖卫平，吴昊，梁擎擎; | 201110008002.1 | 2011-01-14 |
| 半导体结构及其制作方法 | 骆志炯，尹海洲，朱慧珑; | 201110006103.5 | 2011-01-12 |
| 半导体器件及其制作方法 | 骆志炯，朱慧珑，尹海洲; | 201110005924.7 | 2011-01-12 |
| 器件性能预测方法及器件结构优化方法 | 梁擎擎，朱慧珑，钟汇才，李萌; | 201110005923.2 | 2011-01-12 |
科研产出