| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种扩散阻挡层及其制备方法 | 王文东 夏洋 李超波 李勇滔 刘邦武 刘训春; | 201110033129.9 | 2011-01-31 |
| 一种制备金属氮化物阻挡层的装置及其使用方法 | 王文东 夏洋 李超波 李勇滔 刘邦武 刘训春; | 201110033685.6 | 2011-01-31 |
| 一种金属氮化物阻挡层的制备方法 | 王文东 夏洋 李超波 李勇滔 刘邦武 刘训春; | 201110033722.3 | 2011-01-31 |
| 一种阻挡层及其制备方法 | 王文东 夏洋 李超波 李勇滔 刘邦武 刘训春; | 201110033156.6 | 2011-01-31 |
| 一种碳基场效应晶体管及其制备方法 | 金智,麻芃,郭建楠,苏永波,王显泰; | 201110002672.2 | 2011-01-07 |
| 一种石墨烯薄膜的衬底转移方法 | 金智,麻芃,郭建楠,王显泰; | 201110002388.5 | 2011-01-07 |
| 具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法 | 贾锐，岳会会，刘新宇，叶甜春; | 201110043160.0 | 2011-02-22 |
| 一种硅基纳米柱阵列太阳能电池的制备方法 | 贾锐，李昊峰，陈晨，岳会会，刘新宇，叶甜春，路甬祥; | 201110042417.0 | 2011-02-22 |
| 一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法 | 汪宁，陈中子，陈晓娟，刘新宇，罗卫军，庞磊; | 201110030283.0 | 2011-01-27 |
| 有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法 | 刘明，王宏，姬濯宇，商立伟，陈映平，王艳花，韩买兴，刘欣; | 201110076731.0 | 2011-03-29 |
| 铁电型存储单元、存储器及其制备方法 | 刘明，王宏，姬濯宇，商立伟，陈映平，王艳花，韩买兴，刘欣; | 201110076414.9 | 2011-03-29 |
| 基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法 | 刘明，王宏，姬濯宇，商立伟，陈映平，王艳花，韩买兴，刘欣; | 201110076733.X | 2011-03-29 |
| 光存储单元、光存储器及其制备方法 | 刘明，王宏，姬濯宇，商立伟，陈映平，王艳花，韩买兴，刘欣; | 201110076540.4 | 2011-03-29 |
| 集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法 | 吕杭炳，刘明，龙世兵，刘琦，王艳花，牛洁斌; | 201110066088.3 | 2011-03-18 |
| 集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法 | 吕杭炳，刘明，龙世兵，刘琦，王艳花，牛洁斌; | 201110066086.4 | 2011-03-18 |
科研产出