| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎，殷华湘，朱慧珑，钟汇才; | 201110311343.6 | 2011-10-14 |
| 半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎，朱慧珑，钟汇才; | 201110203389.6 | 2011-07-20 |
| 半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎，朱慧珑，钟汇才; | 201110197158.9 | 2011-07-14 |
| 一种制作晶体管和半导体器件的方法 | 尹海洲，骆志炯，朱慧珑; | 201110083546.4 | 2011-04-02 |
| 半导体器件及其制造方法 | 尹海洲，朱慧珑，骆志炯; | 201110094967.7 | 2011-04-15 |
| 具有双金属栅的CMOS器件及其制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | 201110329080.1 | 2011-10-26 |
| 一种MOS器件及其制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | 201110329077.X | 2011-10-26 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘，罗军，赵超，刘洪刚，陈大鹏; | 201110339415.8 | 2011-11-01 |
| 一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法 | 周华杰，徐秋霞; | 201110190699.9 | 2011-07-08 |
| 半导体器件的制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，孟令款，陈大鹏; | 201110215069.2 | 2011-07-29 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | 201110225524.7 | 2011-08-08 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | 201110215096.X | 2011-07-29 |
| 一种应变半导体沟道的形成方法 | 尹海洲，骆志炯，朱慧珑; | 201110171241.9 | 2011-06-23 |
| 隔离结构以及半导体结构的形成方法 | 尹海洲，朱慧珑，骆志炯; | 201110195439.0 | 2011-07-13 |
| 制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构 | 朱慧珑，骆志炯，尹海洲; | 201110295189.8 | 2011-09-28 |
科研产出