| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 阱区的形成方法和半导体基底 | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯; | 201110144978.1 | 2011-05-31 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑,骆志炯,尹海洲; | 201110277757.1 | 2011-09-19 |
| 阱区的形成方法和半导体基底 | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯; | 201190000055.2 | 2011-07-26 |
| 半导体器件及其制造方法 | 尹海洲，朱慧珑，骆志炯; | 201190000081.5 | 2011-11-01 |
| 一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片 | 尹海洲，罗军，朱慧珑，骆志炯; | 201190000070.7 | 2011-10-25 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 尹海洲，骆志炯，朱慧珑; | 201190000071.1 | 2011-10-26 |
| 一种栅堆叠结构、半导体器件及二者的制造方法 | 尹海洲，骆志炯，朱慧珑; | 201190000073.0 | 2011-04-06 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲，朱慧珑，骆志炯; | 201190000074.5 | 2011-02-21 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲，骆志炯，朱慧珑; | 201190000075.X | 2011-02-23 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲，朱慧珑，骆志炯; | 201190000072.6 | 2011-02-21 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲，骆志炯，朱慧珑; | 201190000076.4 | 2011-02-24 |
| 半导体结构和形成该半导体结构的方法 | 梁擎擎，钟汇才，朱慧珑; | 201110314174.1 | 2011-10-17 |
| 一种晶体管和半导体器件及其制作方法 | 闫江，赵利川; | 201110192592.8 | 2011-07-11 |
| 一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片 | 尹海洲，罗军，朱慧珑，骆志炯; | 201110188060.7 | 2011-07-06 |
| 晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件 | 梁擎擎，钟汇才，朱慧珑; | 201110336801.1 | 2011-10-31 |
科研产出