| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 穿硅通孔结构及其形成方法 | 赵超,陈大鹏,欧文; | 201110036024.9 | 2011-02-11 |
| 一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法 | 王鹤飞,骆志炯,刘佳; | 201110129620.1 | 2011-05-18 |
| 半导体器件的制造方法 | 钟汇才,罗军,赵超,梁擎擎; | 201110236626.9 | 2011-08-17 |
| 互连结构及其形成方法 | 钟汇才,梁擎擎,朱慧珑,赵超; | 201110092126.2 | 2011-04-13 |
| 半导体器件及其形成方法、封装结构 | 钟汇才,梁擎擎,闫江,赵超; | 201110112565.5 | 2011-04-30 |
| 嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法 | 钟汇才,赵超,梁擎擎,; | 201110112309.6 | 2011-04-29 |
| 半导体器件及其编程方法 | 钟汇才,梁擎擎,赵超,朱慧珑; | 201110112295.8 | 2011-04-29 |
| 浅沟槽隔离及其形成方法 | 殷华湘,徐秋霞,陈大鹏; | 201110048000.5 | 2011-02-28 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘,徐秋霞,陈大鹏; | 201110090704.9 | 2011-04-12 |
| 化学机械抛光设备及化学机械抛光方法 | 朱慧珑,钟汇才,梁擎擎,赵超; | 201110106990.3 | 2011-04-27 |
| 界面层的形成方法 | 熊文娟,李俊峰,徐秋霞; | 201110130077.7 | 2011-05-18 |
| 多晶硅栅极的制造方法 | 熊文娟,李俊峰,徐秋霞; | 201110138214.1 | 2011-05-26 |
| 一种薄膜填充方法 | 孟令款; | 201110070705.7 | 2011-03-23 |
| 一种研磨垫清洗方法和装置 | 杨涛,赵超,李俊峰; | 201110066718.7 | 2011-03-18 |
| 金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法 | 赵超,罗军,钟汇才,王文武; | 201110161231.7 | 2011-06-15 |
科研产出