| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种增强型AlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 | 彭铭曾,郑英奎,魏珂,刘新宇; | 201110126340.5 | 2011-05-16 |
| 一种形成穿透硅通孔的方法 | 宋崇申; | 201110123312.8 | 2011-05-13 |
| 一种用于锂电池组管理芯片的电池数目检测电路及方法 | 李振海,杨卫丽,赵野; | 201110130035.3 | 2011-05-19 |
| 一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法 | 李海亮,谢常青,刘明,史丽娜,朱效立,李冬梅; | 201110409784.X | 2011-12-09 |
| 声表面波气体传感器及其制作方法 | 李冬梅,周文,刘明,谢常青,侯成诚,汪幸,闫学锋; | 201110340578.8 | 2011-11-01 |
| 一种改进的用于巨磁阻生物传感器模拟前端检测电路 | 陈铖颖; | 201110140374.X | 2011-05-27 |
| 一种Al2O3与聚苯胺复合敏感膜的制作方法 | 李冬梅,周文,刘明,谢常青,侯成诚,汪幸,闫学锋; | 201110197743.9 | 2011-07-15 |
| 一种聚噻吩与氧化锆复合敏感膜的制作方法 | 李冬梅,周文,刘明,谢常青,侯成诚,汪幸,闫学锋; | 201110197741.X | 2011-07-15 |
| 复合光子筛投影式光刻系统 | 谢常青,高南,华一磊,朱效立,李海亮,史丽娜,李冬梅,刘明; | 201110234020.1 | 2011-08-16 |
| 三维半导体存储器件及其制备方法 | 霍宗亮,刘明,谢常青; | PCT/CN2011/076674 | 2011-06-30 |
| 制备三维半导体存储器件的方法 | 霍宗亮,刘明,谢常青; | PCT/CN2011/076695 | 2011-06-30 |
| 非挥发性存储单元及存储器 | 霍宗亮,刘明,刘璟,王艳花,龙世兵,谢常青; | PCT/CN2011/076689 | 2011-06-30 |
| 阻变型随机存储单元及存储器 | 霍宗亮,刘明,张满红,王艳花,龙世兵,谢常青; | PCT/CN2011/076681 | 2011-06-30 |
| 半导体存储单元、器件及其制备方法 | 霍宗亮,刘明,谢常青; | PCT/CN2011/076683 | 2011-06-30 |
| 电阻转变存储器及其制备方法 | 霍宗亮,刘明,刘璟,谢常青; | PCT/CN2011/076637 | 2011-06-30 |
科研产出