| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 垂直可变磁场装置 | 陈晨，贾锐，李维龙，姚嘉宁，朱晨昕，李昊峰，刘明，刘新宇; | 200810240271.9 | 2008-12-18 |
| 一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法 | 赵珉，陈宝钦，刘明，牛洁斌; | 200910303914.4 | 2009-07-01 |
| 一种垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法 | 商立伟，刘明，涂德钰，刘舸，刘兴华; | 200810225453.9 | 2008-10-31 |
| 一种纳米尺度图形的制作方法 | 赵珉，陈宝钦，刘明，牛洁斌; | 200810223398.X | 2008-09-27 |
| 管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法 | 商立伟，刘明，涂德钰，刘舸，刘兴华; | 200810227455.1 | 2008-11-25 |
| 一种图形挖空方法 | 柳江，刘明，姬濯宇，陈宝钦; | 200910077368.7 | 2009-02-19 |
| 一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法 | 刘明，刘璟，王琴，龙世兵; | 200910077369.1 | 2009-02-19 |
| 双层上电极有机场效应晶体管的制作方法 | 刘舸，刘明，刘兴华，商立伟，王宏，柳江; | 200910077673.6 | 2009-02-11 |
| 一种对上电极进行费米能级修饰的方法 | 刘舸，刘明，刘兴华，商立伟，王宏，柳江; | 200910077528.8 | 2009-01-21 |
| 一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法 | 刘舸，刘明，刘光华，商立伟，王宏，柳江; | 200810240077.0 | 2008-12-17 |
| 采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法 | 刘舸，刘明，刘兴华，商立伟，王宏，柳江; | 200810240085.5 | 2008-12-17 |
| 一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法 | 刘舸，刘明，刘兴华，商立伟，王宏，柳江; | 200810240080.2 | 2008-12-17 |
| 一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法 | 刘舸，刘明，刘兴华，商立伟，王宏，柳江; | 200810240076.6 | 2008-12-17 |
| 一种在LEdit中绘制矢量字符的方法 | 刘明，柳江，姬濯宇，陈宝钦; | 200810227484.8 | 2008-11-26 |
| 全环光子筛 | 贾佳，谢长青，刘明; | 200810222330.X | 2008-09-17 |
科研产出