| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 基于增强型PHEMT的单刀双掷开关 | 徐静波 张海英 叶甜春 ; | 200710121976.4 | 2007-09-19 |
| 一种双介质层有机场效应晶体管及其制作方法 | 商立伟 刘 明 涂德钰 王丛舜 贾 锐 龙世兵 ; | 200710121974.5 | 2007-09-19 |
| 一种电子束对准标记的制作方法 | 李诚瞻 黄 俊 郑英奎 刘果果 和致经 魏 珂 刘新宇 ; | 200710121502.X | 2007-09-07 |
| 一种GaAs PIN二极管等效电路 | 吴茹菲 ; | 200710121501.5 | 2007-09-07 |
| 带光纤定位槽的斜面接收光电探测器及其阵列的制作方法 | 申华军 万里兮 李志华 杨成樾 李宝霞 ; | 200710121503.4 | 2007-09-07 |
| 一种TD-SCDMA终端接收机芯片 | 胡东伟 陈 杰 ; | 200710121372.X | 2007-09-05 |
| 一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法 | 申华军 李志华 杨成樾 万里兮 李宝霞 ; | 200710121369.8 | 2007-09-05 |
| TD-SCDMA终端的频偏估计与补偿方法 | 胡东伟 陈 杰 ; | 200710121371.5 | 2007-09-05 |
| 多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法 | 胡 媛 刘 明 龙世兵 杨清华 管伟华 李志刚 ; | 200710121370.0 | 2007-09-05 |
| 一种制备单电子晶体管的方法 | 王 琴 李维龙 贾 锐 刘 明 叶甜春 ; | 200710121366.4 | 2007-09-05 |
| 多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法 | 王 琴 管伟华 刘 琦 胡 媛 李维龙 龙世兵 贾 锐 陈宝钦 刘 明 ; | 200710121367.9 | 2007-09-05 |
| 光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法及其组件制备 | 李宝霞 万里兮 ; | 200710121368.3 | 2007-09-05 |
| 一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法 | 王 琴 贾 锐 李维龙 王从舜 龙世兵 陈宝钦 刘 明 叶甜春 ; | 200710121365.X | 2007-09-05 |
| 一种双层结构的微机电系统微磁执行器的制作方法 | 易 亮 欧 毅 陈大鹏 景玉鹏 叶甜春 ; | 200710121076.X | 2007-08-29 |
| 基于架空金属线桥的微机电系统磁执行器的制作方法 | 易 亮 欧 毅 陈大鹏 景玉鹏 叶甜春 ; | 200710121075.5 | 2007-08-29 |
科研产出