| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种基于差分技术的消除成像器件阈值偏差影响的方法 | 冀永辉;余兆安;王琴;龙世兵;谢常青;刘明; | 201110024872.8 | 2011-01-24 |
| 非挥发性半导体存储器及其存储操作方法 | 刘明;连文泰;龙世兵;吕杭炳;刘琦;李颖弢;张森;王艳; | 201110104744.4 | 2011-04-26 |
| 一种纳米结构及其制备方法 | 毛海央;唐力程; | 201510338283.5 | 2015-06-17 |
| 一种SERS基底及其制备方法 | 毛海央;唐力程; | 201510338662.4 | 2015-06-17 |
| 纳米柱/针森林结构的图形化加工方法 | 毛海央;王岩;唐力程;雷程;欧文; | 201410609901.0 | 2014-11-03 |
| PM2.5检测装置及其制造方法 | 毛海央;谌灼杰;欧文;吴文刚; | 201310400323.5 | 2013-09-05 |
| 制热型MEMS热电堆红外探测器结构及其制备方法 | 毛海央;欧文; | 201310183551.1 | 2013-05-16 |
| 高性能MEMS热电堆红外探测器结构及其制备方法 | 毛海央;欧文;吴文刚;欧毅; | 201310067012.1 | 2013-03-01 |
| 微纳尺度材料赛贝克系数测量机构的制备方法 | 毛海央;欧文;欧毅;陈大鹏; | 201310002846.4 | 2013-01-05 |
| IGBT集电极结构 | 陈宏;朱阳军;卢烁今;徐承福; | 201210494615.5 | 2012-11-28 |
| 功率半导体器件的背面集电极结构 | 陈宏;朱阳军;邱颖斌;徐承福;吴凯; | 201310013013.8 | 2013-01-14 |
| IGBT背面结构及制备方法 | 吴凯;朱阳军;卢烁今;陈宏; | 201310064612.2 | 2013-02-28 |
| 逆导IGBT器件及制造方法 | 徐承福;朱阳军;胡爱斌; | 201210476017.5 | 2012-11-21 |
| 钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构及制备方法 | 徐承福;朱阳军;胡爱斌;谈景飞;卢烁今;陈宏;吴凯; | 201210449247.2 | 2012-11-09 |
| 采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法 | 徐承福;朱阳军;王波;卢烁今;吴凯;陈宏; | 201210421076.2 | 2012-10-29 |
科研产出