| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 基于使能信号线反馈实现检错重发的系统及方法 | 孟真;阎跃鹏;于进勇; | 201110460661.9 | 2011-12-31 |
| IGBT芯片及其制作方法 | 陈宏;胡少伟;卢烁今;吴振兴;朱阳军; | 201110170508.2 | 2011-06-22 |
| 可编程增益放大电路和可编程增益放大器 | 刘欣;张海英; | 201110314996.X | 2011-10-17 |
| Turbo码的初始态估计及子帧译码方法、装置 | 管武;梁利平;李婧; | 201110173653.6 | 2011-06-24 |
| 填充冗余金属的方法及冗余金属填充模式查找表建立方法 | 马天宇;陈岚;叶甜春; | 201110364853.X | 2011-11-17 |
| 半导体存储单元、器件及其制备方法 | 霍宗亮;刘明;谢常青; | PCT/CN2011/076683 | 2011-06-30 |
| 一种半导体存储器件 | 刘明;许中广;霍宗亮;龙世兵;谢常青;张满红;李冬梅; | 201110137561.2 | 2011-05-25 |
| MOS晶体管及其制作方法 | 罗军;赵超;钟汇才; | 201010612589.2 | 2010-12-29 |
| 分裂栅存储器及其制造方法 | 刘明;姜丹丹;霍宗亮;张满红;王琴;刘璟;谢常青; | 201110147095.6 | 2011-06-01 |
| 具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及其制造方法 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲; | PCT/CN2010/074234 | 2010-06-22 |
| 高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法 | 徐秋霞;李永亮; | 201010541134.6 | 2010-11-10 |
| 半导体器件结构及其制造方法 | 钟汇才;梁擎擎; | 201010230771.1 | 2010-07-13 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯; | 201010527488.5 | 2010-10-27 |
| HEMT器件及其制造方法 | 刘果果;魏珂;黄俊;刘新宇; | 201110364028.X | 2011-11-16 |
| 2T纳米晶存储器阵列及其操作方法 | 刘明;王琴;张满红;霍宗亮;谢常青;杨潇楠; | 201210048730.X | 2012-02-28 |
科研产出