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新研究实现在纳米尺度“操控”光传输
2022-08-31
光电集成芯片可以最大限度发挥光子传输、电子计算的优势，是获取跨越式信息处理能力的关键器件。研究人员突破了传统静电掺杂和液体化学掺杂技术难以兼顾载流子迁移率和浓度的瓶颈，发展了兼具高迁移率和高浓度的气相化学掺杂技术，实现了石墨烯费米能级从0到0.7电子伏特超宽范围调制。研究团队进一步通过基底介电环境设...
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合肥研究院在电调控范德瓦尔斯铁磁-反铁磁异质结器件的交换偏置效应方面取得进展
2022-08-31
近日，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场中心低功耗量子材料研究团队研究员郑国林与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授Lan Wang 、华南理工大学教授赵宇军等人合作，利用门电控制二维异质结界面的质子插层。针对这一难点问题，研究人员利用机械剥离的方法实现了少数层铁磁金属Fe5GeTe2的剥离，利用人工堆叠的方法构筑了高...
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镍基超导体研究获进展
2022-08-31
在迄今发现的所有超导体中，铜氧化物高温超导体保持常压下超导临界温度（ Tc ）的最高纪录，其非常规的超导微观机理仍是凝聚态物理领域最具挑战性的科学问题之一。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心开展了镍基超导体的实验研究：光物理重点实验室L03组研究员金奎娟团队攻克多项样品制备的技术难题，生长...
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合肥研究院等在小型化高性能滤波电容器研究中取得进展
2022-08-29
中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员孟国文团队与美国特拉华大学教授魏秉庆合作，成功研发了一种新型三维碳管网格膜，将其作为双电荷层电容器（ EDLC ）电极，大幅提升了电容器的频率响应性能以及在相应频率下的面积比电容和体积比电容。？电化学双电荷层电容器是一种超级电容器，其比电容相对较大，如果...
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研究人员发现立方砷化硼具有高电子和空穴迁移率
2022-08-25
美国麻省理工学院机械工程系陈刚教授领导的团队于2018年预测，立方砷化硼对电子和空穴都有非常高的迁移率。近期，来自美国麻省理工学院、休斯顿大学和其他机构的研究团队的最新实验研究证明，立方砷化硼的材料克服了硅作为半导体的两个限制，能够为电子和空穴提供很高的迁移率，并且具备良好的导热性能。该研究成果于202...
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首个超导单光子探测器国际标准正式发布
2022-08-25
8月19日，经国际电工委员会（ IEC ）批准。由中国科学院上海微系统所超导电子实验室研究员尤立星牵头制定的超导条带光子探测器（ SSPD ）的国际标准IEC 61788-22-3 : 2022 ED1 Superconductivity - Part 22-3 : Superconducting strip photon detector - Dark count rate正式发布。IEC 61788-22-3作为首个超导条带光子探...
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上海光机所在基于增强非线性吸收的宽带超快全光开关研究中获进展
2022-08-25
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在基于波纹ENZ （ epsilon-near-zero ）材料增强非线性吸收的宽带超快全光开关研究方面取得新进展。科研团队提出了一种基于ENZ材料增强非线性吸收的宽带超快全光开关方案，并利用亚波长波纹ITO薄膜在1450-1650 nm波段实现了宽带超快全光开关，其品质因子优于已报道...
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深圳先进院等发现石墨烯可用于高效回收电子垃圾中的金资源
2022-08-23
近日，中国科学院深圳理工大学（暂定名） /中科院深圳先进技术研究院/中科院金属研究所成会明与清华大学深圳国际研究生院、英国曼彻斯特大学研究人员等发现，可控制备的还原氧化石墨烯材料对电子垃圾中痕量的金资源具有超强的提取能力，无需外加能量和其他材料与化学品。而且石墨烯材料可以对金离子实现精准的选择性吸附...
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上海微系统所在大尺寸石墨烯制备及导热应用方面获进展
2022-08-19
石墨烯材料的可控制备是石墨烯行业的基础，更是石墨烯在下游应用中充分发挥性能优势的关键。鳞片石墨剥离技术是发展最为成熟的石墨烯规模化制备技术之一，该方法已实现石墨烯片层厚度和化学结构的精确控制，但在横向尺寸调控方面仍面临挑战，典型的石墨烯横向尺寸分布在几百纳米到几个微米以内。结构表征数据表明，所制...
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半导体所新型感算器件研究获进展
2022-08-19
随着人工智能、物联网及智慧医疗等新型信息交互领域的发展，基于传统冯诺依曼架构的计算机系统以及工艺迭代带来的算力提升越来越难以满足数据处理及复杂神经网络模型运算的需求。近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员王丽丽课题组、北京理工大学教授沈国震与香港科技大学教授范智勇合作，利用...
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微电子所在无外场单级电压控制SOT-MTJ自旋逻辑器件的研究中取得新进展
2022-08-18
自旋逻辑器件由于具有非易失性、低功耗以及易于小型化等优点，尤其是基于SOT的自旋逻辑器件具有高速、高耐久性，因而更加适合存内计算领域的应用，具有巨大的应用潜力。然而，目前报道的SOT逻辑器件大都是以双极性电信号的形式进行逻辑操作，需要额外的辅助电路对给定电信号进行转化从而完成逻辑操作（图1a ） ，导致该...
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CEA-Leti 和英特尔优化混合直接键合、自组装的die to wafer工艺
2022-08-18
据欧洲电子资讯，法国研究机构CEA Leti和Intel公司优化了一种混合直接键合、自组装工艺，可以提高裸片到晶圆（die-to-wafer，D2W）键合封装技术。该技术利用了表面最小化原理产生的毛细管力（capillary forces）在目标晶圆上对准裸片，该工艺技术可以提高对准精度，并将制造吞吐量每小时提高数千个裸片。大多数液体的表...
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微电子所垂直沟道纳米晶体管研发工作再获重要突破
2022-08-17
垂直沟道纳米器件因其对栅长限制小、布线灵活及便于3D一体集成等天然优势，在1纳米逻辑器件/10纳米DRAM存储器及以下技术代的集成电路先进制造技术方面具有巨大应用潜力。对于高性能垂直单晶沟道纳米晶体管，现阶段控制沟道尺寸最好方法是采用先进光刻和刻蚀技术，但该技术控制精度有限，导致器件性能波动过大，不能满足...
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中科院微电子所与华为海思合作在无外磁场写入的自旋轨道矩磁隧道结器件的研究中取得新进展
2022-07-29
垂直自旋轨道矩磁隧道结器件（SOT-MTJ）是新一代磁随机存储技术的核心单元，它具有非易失、高速、低功耗、读写寿命长等特点，极有希望成为下一代非易失磁存储技术。但是垂直SOT-MTJ器件需要外磁场辅助才能实现定向写入。外磁场的引入会导致额外的功耗、面积消耗，并会导致串扰等问题。如何实现无外磁场下定向高速写入的S...
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微电子所在GaN基p沟道器件研究方面取得新进展
2022-07-29
近日，中科院微电子研究所高频高压中心刘新宇研究员团队与中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队合作，基于前期在高性能n沟道超薄势垒增强型HEMT （或n-FETs ）研究中积累的研发基础，结合氮化物特有的极化能带调控引入AlN极化插入层。获得了面密度2.1 × 1013 cm-2的二维空穴气（ 2 - D Hole Gas , 2DHG ） ，为高性能p-F...
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微电子所在三维存算一体芯片领域取得重要进展
2022-07-29
随着芯片工艺制造的进步，工艺制程逐渐接近物理极限，深度神经网络的发展使得计算量和参数量呈指数上升，阻变存储器应用于大规模神经网络面临多个个挑战：由于卷积神经网络权值数量不断增加,使得阻变存储器的面积开销越来越大。对于多值大规模阻变存储器阵列,当参与乘累加计算的阻变单元数量很大时，由于阻变单元电导漂...
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科学家测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率
2022-07-22
中国科学院国家纳米科学中心研究员刘新风团队联合美国休斯顿大学包吉明团队、任志锋团队，在超高热导率半导体-立方砷化硼（ c-BAs ）单晶的载流子扩散动力学研究方面取得进展，为其在集成电路领域的应用提供重要的基础数据指导和帮助。通过聚焦的泵浦光激发，广场的探测光探测，实时观测载流子的分布情况并追踪其传输过...
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通过在GaN层中插入光子晶体提高InGaN基绿光LED的In组分的并入
2022-07-20
氮化物基材料被认为是非常有前途的半导体材料用于高亮度发光二极管（ LED ）和高功率高频器件在由于其直接带隙和宽带隙（ 0.7 - 6.2 eV ） 。中国科学院半导体研究所王军喜课题组通过在GaN层中插入光子晶体提高InGaN基绿光LED的In组分的并入。光子晶体的引入增大了In组分的并入，为高性能绿光LED的设计提供了更广泛的空...
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怀柔（50MeV）质子回旋加速器设施成功出束
2022-07-19
7月17日，中国科学院国家空间科学中心在北京市怀柔科学城第一批交叉研究平台项目——“空间科学卫星系列及有效载荷研制测试保障平台”支持下建设的空间辐射效应分析试验平台暨怀柔（50MeV）质子回旋加速器设施（HuaiRou Proton Cyclotron Facility，HRPCF）试运行出束，将能量约30MeV的质子引出传输至实验大厅实验终端处...
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中国科大等在超冷原子量子模拟研究中获进展
2022-07-19
中国科学技术大学潘建伟、苑震生等与德国海德堡大学、奥地利因斯布鲁克大学、意大利特伦托大学的研究人员合作，在超冷原子量子模拟研究中取得进展。科研人员使用超冷原子量子模拟器，对格点规范场理论中非平衡态过渡到平衡态的热化动力学进行了模拟，首次在实验上证实了规范对称性约束下量子多体热化导致的初态信息“丢...
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