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微电子所在GaN基p沟道器件研究方面取得新进展
2022-07-29
近日，中科院微电子研究所高频高压中心刘新宇研究员团队与中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队合作，基于前期在高性能n沟道超薄势垒增强型HEMT （或n-FETs ）研究中积累的研发基础，结合氮化物特有的极化能带调控引入AlN极化插入层。获得了面密度2.1 × 1013 cm-2的二维空穴气（ 2 - D Hole Gas , 2DHG ） ，为高性能p-F...
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微电子所在三维存算一体芯片领域取得重要进展
2022-07-29
随着芯片工艺制造的进步，工艺制程逐渐接近物理极限，深度神经网络的发展使得计算量和参数量呈指数上升，阻变存储器应用于大规模神经网络面临多个个挑战：由于卷积神经网络权值数量不断增加,使得阻变存储器的面积开销越来越大。对于多值大规模阻变存储器阵列,当参与乘累加计算的阻变单元数量很大时，由于阻变单元电导漂...
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科学家测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率
2022-07-22
中国科学院国家纳米科学中心研究员刘新风团队联合美国休斯顿大学包吉明团队、任志锋团队，在超高热导率半导体-立方砷化硼（ c-BAs ）单晶的载流子扩散动力学研究方面取得进展，为其在集成电路领域的应用提供重要的基础数据指导和帮助。通过聚焦的泵浦光激发，广场的探测光探测，实时观测载流子的分布情况并追踪其传输过...
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通过在GaN层中插入光子晶体提高InGaN基绿光LED的In组分的并入
2022-07-20
氮化物基材料被认为是非常有前途的半导体材料用于高亮度发光二极管（ LED ）和高功率高频器件在由于其直接带隙和宽带隙（ 0.7 - 6.2 eV ） 。中国科学院半导体研究所王军喜课题组通过在GaN层中插入光子晶体提高InGaN基绿光LED的In组分的并入。光子晶体的引入增大了In组分的并入，为高性能绿光LED的设计提供了更广泛的空...
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怀柔（50MeV）质子回旋加速器设施成功出束
2022-07-19
7月17日，中国科学院国家空间科学中心在北京市怀柔科学城第一批交叉研究平台项目——“空间科学卫星系列及有效载荷研制测试保障平台”支持下建设的空间辐射效应分析试验平台暨怀柔（50MeV）质子回旋加速器设施（HuaiRou Proton Cyclotron Facility，HRPCF）试运行出束，将能量约30MeV的质子引出传输至实验大厅实验终端处...
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中国科大等在超冷原子量子模拟研究中获进展
2022-07-19
中国科学技术大学潘建伟、苑震生等与德国海德堡大学、奥地利因斯布鲁克大学、意大利特伦托大学的研究人员合作，在超冷原子量子模拟研究中取得进展。科研人员使用超冷原子量子模拟器，对格点规范场理论中非平衡态过渡到平衡态的热化动力学进行了模拟，首次在实验上证实了规范对称性约束下量子多体热化导致的初态信息“丢...
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沈阳自动化所在5G无线数据传输方面获进展
2022-07-19
近日， IEEE Internet of Things Journal刊载了中国科学院沈阳自动化研究所工业网络团队在5G无线数据传输方面的最新成果（ Mixed-criticality Industrial Data Scheduling on 5G ？ NR ） 。5G的超可靠低延时通信技术能够实现毫秒级的传输延时和99.999%的传输可靠性，被认为是未来工业网络的重要组成部分之一。针对这一...
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微电子所在新型垂直互补场效应晶体管（CFET）结构设计与仿真研究方面取得进展
2022-07-15
垂直堆叠纳米线/纳米片全包围栅（ Gate All Around , GAA ）互补场效应晶体管（ Complementary Field Effect Transistor ， CFET ） ，将不同导电沟道类型（ N-FET和P-FET ）的GAA器件在垂直方向进行高密度三维单片集成。相较于现有主流FinFET与水平GAA晶体管集成电路工艺， CFET突破了传统N/P - FET共平面布局间距的尺...
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工程热物理所在微纳材料热电性能测量研究方面取得进展
2022-07-18
近日，中国科学院工程热物理研究所储能研发中心在微纳材料的热电性能表征方法方面取得进展，为微纳材料热电参数的精确测量和一体化原位表征提供了研究思路。同时总结了现有微纳材料热电性能综合测量方法的难点及发展趋势，并提出适用于一维纳米管和二维薄膜材料热电性能原位直接一体表征方法的策略： 1 、对于传统3 ω -...
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上海微系统所实现基于III-V族量子点确定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子学芯片
2022-07-18
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中科院物理研究所研究人员合作，实现基于III-V族量子点确定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子学芯片。通过设计双层波导耦合器和1 × 2多模干涉仪（ Multimode interferometer , MMI ） ，研究团队实现了混合量子光子芯片中确定性单光子的高效路由，以及对确定性...
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合肥研究院在高性能Pyrite型过渡金属二硫化物热电材料的化学趋势方面获进展
2022-07-14
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员张永胜课题组在三种Pyrite型IIB-VIA2 （ ZnS2 、 CdS2和CdSe2 ）过渡金属二硫化物的热电性能研究方面取得新进展。？该研究论证了三种Pyrite型IIB-VIA2 （ ZnS2 、 CdS2和CdSe2 ）过渡金属二硫化物的良好热电性能，并分析总结了其中的物理机制和热电趋势，可为未...
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深圳先进院在外泌体高效分离技术方面取得进展
2022-07-13
近日，中国科学院深圳先进技术研究院生物医学与健康工程研究所研究员杨慧团队在细胞外泌体高效分离技术方面取得进展。相关成果以Extraction of small extracellular vesicles by label-free and biocompatible on-chip magnetic separation为题发表于Lab on a Chip ，并被遴选为封面文章进行报道。外泌体（小细胞外囊泡...
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微电子所在三维深度储备池计算领域取得进展
2022-07-13
基于忆阻器的储备池计算（ Reservoir Computing ， RC ）作为一种处理时间序列信息的轻量化网络近几年受到广泛关注。针对上述问题，中国科学院微电子研究所研究人员首次基于三维忆阻器阵列搭建了三维深度储备池网络。相关成果以3D Reservoir Computing with High Area Efficiency ( 5.12 TOPS/mm2 ) Implemented by 3D D...
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深圳先进院等在光诱导带电润滑表面研究中获进展
2022-07-13
7月9日，中国科学院深圳先进技术研究院智能医用材料与器械研究中心研究员杜学敏团队与香港城市大学教授王钻开团队合作，在光诱导带电润滑表面及其生物应用方面取得重要进展。LICS利用光热诱导表面电荷高效、持续、稳定再生特性，可有效消除润滑层对表面电荷的屏蔽效应，从而实现开放体系下对液滴的快速、远距离、反重力...
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微电子所在超低功耗集成电路与人工智能领域取得新进展
2022-07-12
近日，微电子所感知中心低功耗智能技术与微系统团队在低功耗集成电路设计与人工智能领域取得新进展，成功研发出基于亚阈值技术的超低功耗基础电路单元以及超低功耗语音关键词识别技术，可广泛应用于低功耗智能芯片与微系统。为适应自供电系统等极低功耗应用场景，团队研发了pW级上电复位电路[ 2 ] ，可灵活配置复位阈值...
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合肥研究院在新型硒化物热电性能调控方面取得进展
2022-07-12
近期，中国科学院合肥研究院固体物理研究所能源材料与器件制造研究部研究员秦晓英课题组在Cu2SnSe3材料体系热电性能调控方面取得进展。热电材料的转化效率由无量纲量热电品质因子ZT决定， ZT = S2 σ T / ( κ c + κ L ) ，其中S为热电势， σ为电导率， T为绝对温度， κ c和κ L分别是载流子和晶格对热导率的贡献。目...
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空天院等发表关于太赫兹载波包络移相器的研究成果
2022-07-11
近日，中国科学院空天信息创新研究院广州园区王天武研究团队关于太赫兹（ THz ）载波包络移相器的研发成果【 《基于超材料的柔性太赫兹载波包络移相器》 （ Flexible THz Carrier-Envelope Phase Shifter Based on Metamaterials ） 】 。超短脉冲的CEP决定了脉冲的瞬时电场强度，在许多非线性物理过程中具有重要作用。...
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微电子所在三维深度储备池计算领域取得重要进展
2022-07-01
基于忆阻器的储备池计算（ Reservoir Computing , RC ）作为一种处理时间序列信息的轻量化网络近几年受到了广泛的关注。但物联网快速发展对计算网络的高密度和低功耗提出了更高要求。针对上述问题，微电子所重点实验室科研人员首次基于三维忆阻器阵列搭建了三维深度储备池网络。基于该成果的文章“ 3D Reservoir Computi...
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微电子所在动态随机存储器领域取得重要进展
2022-06-30
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，传统1T1C结构的DRAM的存储电容限制问题以及相邻存储单元之间的耦合问题愈发显著，导致DRAM进一步微缩面临挑战。但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2 ）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（ 6F2 ）大很多，使得IGZO-DRAM缺少密度优势...
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准一维层状反铁磁材料CrZr4Te14的负磁阻效应研究取得进展
2022-07-01
二维层状磁性材料展现出如反常量子霍尔效应、巨大的隧道磁阻等奇特的物理特性。负磁阻材料在磁场中的电阻会下降，这一反常特性使其在现代磁传感器、电磁保护和自旋场效应晶体管中具有独特应用。近年来，科学家在二维层状材料中发现了一些负磁阻效应，例如， FeNbTe2晶体中出现本征的负磁阻效应（ nMR = - 1% ）是自旋玻...
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