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硅基超表面领域取得重要研究进展——一种助于空间频率复用的技术
2020-05-26
中科院微电子所杨妍副研究员与武汉大学郑国兴教授课题组, 武汉邮电科学研究院有限公司等合作在硅基超表面领域取得重要研究进展。他(她)们提出了一种助于空间频率复用的技术，在一个硅基超表面上重叠的空间区域上，利用空频信息不同、同时记录两幅完全不同的光学图像，并可用数字滤波器进行高效的分离。该方案为超表面信...
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硅工艺兼容的超短栅长二硫化钼晶体管研制
2020-05-26
近期，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在新型二维材料器件面向未来集成电路集成应用研发中取得重要进展，结合硅基FinFET工艺成功研制出10nm超短物理栅长二硫化钼晶体管，实现电流开关比达到107 。二维半导体材料具有原子级的厚度，被用作晶体管的沟道材料时，可提高栅电极控制沟道中载流子传输的能力，...
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长春光机所在光电一体化芯片PCR领域取得进展
2020-05-26
作为基因检测的金标准，聚合酶链式反应( PCR )技术是一种重要的疾病检测工具。目前，众多疾病的临床检测均采用实时荧光PCR ( RT-PCR )技术作为核心手段。但是， RT-PCR技术在灵敏度、检测限、分析成本以及基层诊断疾控普及等方面也存在着诸多不足。针对帕尔贴半导体存在的升降温速度慢这一弊端，研发出了一种基于机械位...
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Eta演示垂直功率器件结构的GaN-on-GaN外延
2020-05-26
中国上海的Eta Research指出立式氮化镓（ GaN ）功率器件具有革新~率器件行业的潜力。与高压功率器件的SiC相比， GaN具有三个潜在的优势，即电阻小、器件尺寸会更小、工作频率高。GaN研究界内部尚未就GaN垂直~率器件的最佳器件结构达成共识。对于在0.4 °斜角GaN晶片上生长10 μ m的膜，通过Bruker光学干涉仪在239 μ mx...
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纽结半金属研究获进展
2020-05-25
日常生活中，我们几乎天天都要和纽结打交道：从简单的系鞋带，到费力地解开莫名缠绕的耳机线，再到不得不狠心地剪断不小心碰一起的两条鱼线。在数学里，纽结被数学家们抽象出来发展成了一个重要的数学概念，对纽结的研究已经成为数学拓扑学的一个重要分支。为了完成对不同纽结的分类，大量的数学工具被发掘出来，比如琼...
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硅基单片砷化铟量子点雪崩光电二极管
2020-05-22
美国和中国的研究人员合作开发了具有低暗电流和高增益的。硅基单片砷化铟( InAs )量子点( QD )雪崩光电二极管( APD )结构。当考虑到高达323K （ 50 ° C ）的高增益和低暗电流性能时，这些APD在超级计算机和数据中心内的节能互连中具有巨大的应用潜力。研究人员指出， 33nA暗电流值比Si / Ge APD ， Si上的InGaAs / InAl...
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理化所低温高精度微波谐振测频研究取得进展
2020-05-22
微波谐振测频技术是一种测量迅速且灵敏很高的探测技术，被广泛用于温度测量、压力测量、氦临界现象研究等高精度测量领域。但微波谐振频率测量易受到多物理场和外界因素影响，尤其在低温下，参考时间标准、微波发射功率和谐振腔温度稳定性等复杂因素制约了微波谐振频率测量精度的提高，进而限制了该方法在上述领域的应用...
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使用磁路使大数据处理更加节能
2020-05-21
技术的飞速发展导致大量数据能源消耗量大大增加。德克萨斯大学奥斯汀分校的科克雷尔工程学院的研究人员发现了一种使新一代智能计算机更加节能的方法。研究发现隔开间隔的磁性纳米线（充当人工神经元） ，自然可以提高人工神经元相互竞争的能力，其中活化度最高的纳米线胜出。人类大脑包含神经元的方式相同，新时代的计算...
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上海微系统所在Ⅳ族GeSn纳米线研究中取得进展
2020-05-21
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室在Ⅳ族GeSn纳米线生长制备及其光电探测应用中取得进展，相关工作以Ferroelectric Enhanced Performance of a GeSn/Ge Dual-Nanowire Photodetector为题发表在Nano Letters期刊上( Nano Lett . 2020 .由于GeSn具有较窄的禁带宽度，因此基于GeSn/Ge...
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通过曲面镜工艺实现绿色垂直腔面发射激光器
2020-05-20
日本索尼公司已将其弯曲镜面垂直腔面发射激光器（ VCSEL ）工艺扩展到了约515-518 nm的绿色波长。在先前的工作中，索尼生产了具有曲面镜后反射器的低阈值445nm蓝色VCSEL 。索尼的研究人员指出大部分带有显示器的设备会发出很宽的波长范围的光，但只有一小部分可见，这会浪费大量输入~率。初始发射峰在515.2nm处，当电流...
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锗硅高迁移率沟道器件技术与集成工艺研发阶段性进展
2020-05-20
近日，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心王文武/李永亮课题组在锗硅高迁移率沟道器件技术与集成工艺研究领域取得了阶段性进展。课题组提出了一种在三层应变缓冲层（ SRB ）上外延锗硅材料的技术，并通过锗硅鳍（ Fin ）刻蚀、新的浅槽隔离（ STI ）工艺等关键模块研发，成功实现了50%锗硅Fin的导入集成，为锗...
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NeoPhotonics推出完整的L波段相干光学解决方案，使光纤容量增加一倍
2020-05-19
领先的基于硅光子和先进混合光子集成电路的激光器、模块和子系统开发商和制造商NeoPhotonics公司，宣布推出一套L波段相干光学组件。包括64GBaud L波段高带宽相干驱动器调制器（ HB-CDM ） 、 64GBaud L波段内达因相干接收器（ ICR ）和超窄线宽L波段可调谐激光器micro-ITLA 。再结合NeoPhotonics标准C波段相干组件，新产...
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ALLOS用于微型LED的200mm硅基GaN晶圆片具有波长均匀性和可重复性
2020-05-19
为了解决晶圆尺寸不匹配的问题，并应对微型LED产量的挑战，德国Micro LED技术厂商ALLOS应用了其独特的应变工程技术，显示了200mm硅基GaN晶圆片卓越的均匀性和可重复性，该公司还报告了300mm晶圆的成~路线图。ALLOS指出，晶圆从直径100毫米进行放大，对微型LED的业务影响比在LED行业的其他部门更大。使用较大直径除了能够...
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中国科大在新型拓扑材料外尔半导体研究中取得进展
2020-05-19
在新型量子材料中，具有特殊能带结构的拓扑材料也兼具新奇电子输运特性。近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心和物理系中科院强耦合量子材料物理重点实验室教授曾长淦研究组与王征飞研究组实验与理论合作，首次在单元素半导体碲中发现了由外尔费米子主导的手性反常现象以及以...
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氮化铟镓蓝色和绿色发光二极管的微尺度
2020-05-18
美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（ UCSB ）和韩国韩国首尔Viosys一直在探索缩小绿色和蓝色氮化铟镓（ InGaN ）微发光二极管（ LED ）直径带来的影响。由于器件表面的非辐射复合， LED的外部量子效率（ EQE ）随着尺寸的减小而降低。与标准的商用铝镓铟磷化物（ AlGaInP ）产品相比，红色InGaN LED可能具有类似的直径交...
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南京大学研究团队在硅基光量子芯片上实现三维纠缠
2020-05-18
量子纠缠是量子系统所特有的奇异性质，它于1935年由薛定谔给予定义。在量子模拟方面，通过对三维纠缠量子态的操控，团队在全球首次实现了利用量子光学器件模拟图论，特别是通过量子态的相干性的测量直接获得图的完美匹配数。在量子精密测量方面，申请人团队还利用量子光学芯片演示了高精度相位测量，突破了经典干涉仪的...
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基于六方锗和锗硅合金的直接带隙发光
2020-05-18
在过去的50年中，全世界的研究人员一直在寻找一种制造基于硅或锗的激光器的方法。埃因霍温技术大学（ TU / e ）和慕尼黑技术大学（ TUM ）与耶拿大学和林茨大学团队现已开发出一种发光硅锗合金，因此，可以有机会首次实现硅芯片激光器集成到现有芯片中的开发。最初，这些结构不能被激发发光，通过与慕尼黑工业大学的Walt...
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提高铝镓氮化物沟道晶体管的输出功率
2020-05-18
美国俄亥俄州立大学和南卡罗来纳大学报告了富铝氮化铝镓（ AlGaN ）沟道晶体管有史以来最高的射频（ RF ）输出~率密度为10GHz时为2.7W / mm 。研究人员在蓝宝石上制备外延样品，制造始于欧姆接触的形成，接下来进行等离子体蚀刻以创建台面设备隔离。在10V的漏极偏置和2V的栅极电势下，微通道器件的导通电阻为6.35 Ω - m...
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常开型氮化镓晶体管的镁热扩散
2020-05-18
关电路中实现了故障安全操作。同样，常关模式简化了栅极驱动器电路设计。如果不采取特殊措施，则当栅极电势为0V时，在AlGaN / GaN界面附近形成的二维电子气（ 2 - DEG ）通道会导通，从而提供常开模式。该器件基于外延材料，具有4.7 μ m的缓冲层， 300nm的未掺杂GaN沟道， 15nm的Al0.15Ga0.85N势垒和硅上的2nm GaN盖层...
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高对比度光栅III氮化物垂直腔面发射激光二极管
2020-05-18
来自台湾和瑞典的研究人员首次展示了将高折射率光栅（ HCG ）作为顶镜的III型氮化物（ III-N ）垂直腔面发射激光器（ VCSEL ）二极管。先制造VCSEL ，再处理与硅基板的热压倒装芯片键合，激光剥离去除了蓝宝石衬底，并且还使用化学机械抛光（ CMP ）去除了其他GaN材料，从而形成了厚度为5 μ m的n-GaN表面。研究人员报告...
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