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业内热点

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E型GaN晶体管的转移印刷和自对准蚀刻
2020-07-27

首个晶圆级单片实现的常关、增强型(E型)共源共栅场效应晶体管(FET)在中国西安电子科技大学研制成功,该场效应晶体管由硅(Si)和氮化镓(GaN)组件组成,这些组件通过低成本转移印刷和自对准蚀刻工艺组装而成。研究人员希望他们的技术能实现大规模的集成,将硅、氮化镓和其他材料结合在一起的器件和电路的功能多样化...


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上海硅酸盐所陶瓷基锂氟转换固态电池研究取得进展
2020-07-27

锂金属负极理论容量高、电极电势低。以固态电解质取代电解液作为锂离子传输导体,可以提高电池的安全性和稳定性,并扩大锂金属电池应用的温度范围。其中陶瓷基石榴石型( Garnet-type )固态电解质是很好的选择,近年来出现的掺杂锂镧锆氧( Li7La3Zr2O12 , LLZO )固态电解质具有室温离子电导率高、合成工艺简单、电化学...


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三菱电机开发用于5G基站的GaN PA模块
2020-07-22

日本三菱电机公司(Mitsubishi Electric Corp)开发了新技术,以实现用于5G基站的氮化镓(GaN)功率放大器(PA)模块,该模块具有6mm x 10mm的紧凑尺寸和 43%的超高功率效率(在3.4-3.8GHz的5G频率范围内)。该模块在匹配电路中使用最少的芯片来控制高质量的信号输出,可以帮助实现可广泛部署且具有高能效的5G基站。新...


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福建物构所共价有机框架光催化二氧化碳还原研究取得进展
2020-07-22

共价有机骨架( COFs )是一类新型的晶态多孔材料,具有良好的孔隙率、高的表面积及功能可调等特点,独特性能为光催化CO2还原提供了理想平台。将金属卟啉分子包裹在COFs孔道中制备复合材料,可结合两者在光催化CO2还原中的优势,但在反应过程中会存在分子催化组分浸出,导致循环稳定性较差。中国科学院福建物质结构研究...


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福建物构所多孔有机聚合物膜研究取得新进展
2020-07-21

质子传导在生物体系中普遍存在,研发能够直接监测和调控质子传输的器件对于生物过程监控、仿生模拟和人机界面构建等具有重要意义。质子场效应晶体管(质子- FET )由于能直接监测质子电流并通过调控栅压对质子电流进行有效调控,发展新型质子传导材料并用于质子- FET器件是生物信息领域亟需要解决的问题。多孔有机聚合物...


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深圳先进院开发出高性能微流体柔性应变传感器
2020-07-21

近日,中国科学院深圳先进技术研究院医工所微创中心研究员王磊、副研究员李晖团队,在利用波浪形微通道设计改善基于液态金属的柔性应变传感器迟滞性、响应时间和灵敏度方面的研究取得新进展。相关研究成果以Superelastic , Sensitive , and Low Hysteresis Flexible Strain Sensor Based on Wave-Patterned Liquid Metal...


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上海硅酸盐所等在“计算电化学”设计电池材料领域取得进展
2020-07-21

中国科学院上海硅酸盐研究所研究员刘建军带领的科研团队多年来聚焦“计算电化学”设计电化学储能材料研究领域,形成计算局域结构(表/界面结构、配位结构)电荷转移能力表征电化学活性的特色方向,结合“材料基因”的理念设计高性能电化学储能材料。近日,该科研团队在“计算电化学”设计锂氧气电池正极材料和金属有机电...


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积高电子CMOS图像传感器封装车间进入试生产
2020-07-21

据无锡日报报道,近日,在积高电子(无锡)公司最新建成的厂房里,全球顶级的CMOS图像传感器封装车间投入试生产。据了解, 2019年2月19日,积高电子图像传感器研发生产项目参与2019年无锡市首批重大项目集中开工仪式。据当时的无锡梁溪发布报道,积高电子图像传感器研发生产项目总投资15000万元人民币,其中一期土建投资...


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改善氮化镓μ发光二极管的MOCVD隧道结
2020-07-20

美国加州大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)发布了具有通过金属有机化学气相沉积法生长的具有外延隧道结(TJ)的氮化镓(GaN)基微型发光二极管(μLED)的最低正向电压(MOCVD)。该电压仅略高于使用铟锡氧化物(ITO)透明导电电极的电压。UCSB团队使用选择性区域生长(SAG)技术来创建带有穿孔的隧道结层。TJ中的穿孔孔用于在...


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室温下发射1.55μm波长的硅基连续波量子点激光二极管
2020-07-20

中国香港科技大学(HKUST)宣布了其利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)直接在轴(001)Si(硅)上生长1.55μm量子点(QDASH)激光器的第一电泵室温(RT)连续波激光的结果。科大团队成员以前在室温下实现了1.55μmQDash激光二极管的脉冲操作。研究人员最近还报告了降低1.3μm波长QDash脉冲激光二极管的阈值电流的方法。...


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上海硅酸盐所等提出电弧放电法一步合成高稳定性单原子催化剂的新策略
2020-07-20

近日,中国科学院上海硅酸盐研究所先进材料与新能源应用研究团队、北京大学、北京工业大学和中科院上海应用物理研究所合作,提出一步法合成单原子催化剂的新策略,该单原子铂催化剂显示出高效的液相选择加氢性能,高温合成过程有利于单原子催化剂稳定性的提高。Pt1 / MoC的( d ) HAADF-STEM图像、 ( e ) EDS数据、 ( f )...


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RENA推出单晶圆处理系统用于湿法工艺
2020-07-17

RENA Technologies推出Inception单晶圆平台,将其从湿法处理平台产品组合中扩展出来,该平台在研发到生产过程中起过渡作用,并能够处理所有半导体湿法工艺,例如清洁、蚀刻、剥离并干燥。RENA Technologies NA的首席执行官Ed Jean说: “如果您只有一把锤子,那么一切就像钉子一样。通过将Inception单晶圆工具添加到RENA...


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II-VI依靠GE的IP占领功率SiC市场
2020-07-17

工程材料和光电组件制造商II-VI已获得通用电气( General Electric )的SiC技术许可,以期进入功率器件和模块制造。就像II-VI在SiC晶圆市场上的主要竞争对手一样,美国的Cree / Wolfspeed和日本的Rohm Group Company (包括SiCrystal )也一样,新的许可能通过电动汽车和混合电动汽车( EV / HEV )应用的快速发展,推动...


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上海光机所利用高性能200TW/1Hz激光驱动产生高质量高稳定性电子
2020-07-16

近期,中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室对“新一代超强超短激光综合实验装置”中的200TW / 1Hz激光进行性能升级,并利用此激光驱动产生高质量高稳定性电子。相关研究为高峰值功率飞秒激光系统的建设提供了技术指导,为台式化X射线自由电子激光器的实现提供了原理验证。激光尾波场加速是一个...


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物理所等用原位电镜石墨烯液相反应池方法生长BeO新型二维晶体结构
2020-07-16

自然中普遍存在的现象,如云层中水分子在灰尘矿物质表面的聚集造成的降水/降雪、生物矿物质的形成等物理/化学过程等,都与基于结构物态相变的物理机制有关。发展液固相变成像技术,在原子尺度上对液固相变自下而上的成核结晶热力学/动力学行为进行实时观测表征,揭示相变微观物理图像,对生长机理研究和新材料合成及应用...


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自动化所提出多自由度网络架构协同搜索新方法
2020-07-16

赋予机器人类水平的学习设计能力,使之能够自主感知环境并设计满足各种约束需求的计算模型是机器学习领域的前沿方向之一。针对算子层面的搜索,该研究实验发现现有的单路采样方法会导致算子崩溃现象发生,即在搜索过程的早期阶段算法就在某些搜索层中聚焦于某一个特定的算子,并在余下的搜索过程中陷入其中保持不变,导...


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上海光机所提出一种稀土高掺石英光纤制备新方案
2020-07-16

近日,中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光单元技术实验室提出了一种基于溶胶凝胶法结合石英管内壁涂覆与熔融拉锥工艺的光纤制备新方案。研究团队利用该方案,在高SiO2含量玻璃光纤中实现Yb3 +离子高浓度掺杂。相关成果发表于《光学与激光技术》 ( Optics & Laser Technology ) 。研究团队提出的光纤制备新方案...


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大连化物所等发展出高倍率、高容量三维MXene泡沫碱金属负极
2020-07-16

近日,中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组研究员吴忠帅团队与研究员李先锋、副研究员郑琼团队,以及中国科学技术大学教授余彦团队合作,发展一种三维柔性、高导电、亲碱性金属的MXene /三聚氰胺多孔气凝胶新材料。有效调控了碱金属与三维框架载体间的表界面化学,获得高倍...


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上海光机所等在随机相位散射光的相干性与涡旋动力学研究中取得进展
2020-07-15

近日,中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室与美国普林斯顿大学电子工程系合作,对具有不同相干长度随机相位光束经非线性传播后所形成的散斑场的统计性进行实验测量,观察到随着自由光涡旋的产生,散斑场的自关联函数从幂律衰减退化为指数衰减。图2a显示的是在不同外加负电压情况下,输出散斑场中...


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蓝宝石表面氮化铝成核与再生长的改善
2020-07-14

研究人员一直在寻求方法来改善蓝宝石上氮化铝(AlN)的生长质量,以期将其应用于电子产品。除了电击穿之前的高临界场外,AlN的高导热性能够改善集成电路的热管理,高临界场可实现更快、更节能和更紧凑的功率开关器件。为了利用超宽带隙AlN的增强临界电场特性,减少因晶体缺陷引起的潜在泄漏至关重要。目前,AlN模板的质...