| 论文题目 | 作者 | 刊物名称 | 发表年度 |
|---|---|---|---|
| Controllable and reproducible fabrication of high anisotropic organic field effect transistors | Liwei Shang, Ming Liu, Deyu Tu, Lijuan Zhen, Ge Liua, Rui Jia, Liqiang Li, Wenping Hu; | Thin Solid Films | 2008 |
| 3333 lp/mm X射线透射光栅的研制 | 朱效立，马杰，谢常青，叶甜春，刘明，曹磊峰，杨家敏，张文海; | 《光学学报 》 | 2008 |
| Asymmetric electrical bistable behavior of an eicosanoic acid/zirconium oxide bilayer system with rectifying effect | Deyu Tu, Ming Liu, Liwei Shang, Xinghua Liu, Changqing Xie; | Appl. Phys. Lett. | 2008 |
| Controllable and reproducible fabrication of high anisotropic organic field effect transistors | Liwei Shang, Ming Liu, Deyu Tu, Lijuan Zhen, Ge Liua, Rui Jia, Liqiang Li, Wenping Hu; | Thin Solid Films | 2008 |
| Organic thin film transistor memory with gold nanocrystals embedded in polyimide gate dielectric | Lijuan Zhen, Weihua Guan, Liwei Shang, Ming Liu, Ge Liu; | Journal of Physics D: Applied Physics | 2008 |
| Light-induced hysteresis characteristics of copper phthalocyanine organic thin-film transistors | Lijuan Zhen, Liwei Shang, Ming Liu, Deyu Tu, Zhuoyu Ji, Xinghua Liu, Ge Liu, Jiang Liu, Hong Wang; | Applied Physics Letters | 2008 |
| f＝210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管 | 程伟,金智,刘新宇,于进勇,徐安怀,齐鸣; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应 | 刘果果，黄俊，魏珂，刘新宇，和致经; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制 | 刘果果，郑英奎，魏珂，李诚瞻，刘新宇，和致经; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性 | 魏珂，刘新宇，和致经，吴德馨; | 《半导体学报》 | 2008 |
| GaAs PIN二极管的新等效电路模型 | 吴茹菲，张海英，尹军舰，李潇，刘会东，刘训春; | 《半导体学报》 | 2008 |
| X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管 | 吴茹菲，张海英，尹军舰，张健，刘会东，刘训春; | 《半导体学报》 | 2008 |
| C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关 | 吴茹菲，张健，尹军舰，张海英; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 8~20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关 | 吴茹菲，尹军舰，刘会东，张海英; | 《半导体学报》 | 2008 |
| 一种可编程的2.4GHz CMOS多模分频器 | 李志强，陈立强，张健，张海英; | 《半导体学报》 | 2008 |
科研产出