| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/071351 | 2011-02-27 |
| 半导体器件及其制造方法 | 罗军，赵超; | PCT/CN2011/071356 | 2011-02-27 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲，骆志炯，朱慧珑; | PCT/CN2011/071343 | 2011-02-26 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 钟汇才，梁擎擎，骆志炯，朱慧珑; | PCT/CN2011/071345 | 2011-02-26 |
| 层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法 | 钟汇才，梁擎擎; | PCT/CN2011/071344 | 2011-02-26 |
| 半导体器件的制造方法 | 钟汇才,罗军,赵超,梁擎擎; | PCT/CN2011/083471 | 2011-12-05 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲，蒋葳，许高博; | PCT/CN2011/083331 | 2011-12-02 |
| 一种半导体结构的制造方法 | 尹海洲，于伟泽; | PCT/CN2011/083330 | 2011-12-02 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲，朱慧珑，骆志炯; | PCT/CN2011/083323 | 2011-12-01 |
| 一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法 | 周华杰，徐秋霞; | PCT/CN2011/083327 | 2011-12-01 |
| 一种半导体器件结构及其制造方法 | 周华杰，徐秋霞; | PCT/CN2011/083326 | 2011-12-01 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲，骆志炯，朱慧珑; | PCT/CN2011/083325 | 2011-12-01 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲，于伟泽; | PCT/CN2011/083324 | 2011-12-01 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲，许静，刘云飞; | PCT/CN2011/083329 | 2011-12-01 |
| 压电纳米线的叠层结构及其制造方法 | 万里兮、周静; | PCT/CN2011/083804 | 2011-12-12 |
科研产出