| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 基于使能信号线反馈实现检错重发的系统及方法 | 孟真，阎跃鹏，于进勇; | PCT/CN2011/085141 | 2011-12-31 |
| 分布式测试系统的中心机与测试终端之间进行通讯的方法 | 孟真，阎跃鹏，于进勇; | PCT/CN2011/085142 | 2011-12-31 |
| 基于N1dB压缩点和N2dB压缩点的三阶交调测试方法 | 赵志儒，阎跃鹏，于进勇，张晓飞; | PCT/CN2011/083453 | 2011-12-05 |
| 一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法 | 李海亮，谢常青，刘明，史丽娜，朱效立，李冬梅; | PCT/CN2011/083744 | 2011-12-09 |
| MOS-HEMT器件及其制作方法 | 刘洪刚，卢力，常虎东，孙兵; | 201110221372.3 | 2011-08-03 |
| 一种制作U型栅脚T型栅结构的方法 | 孔欣，魏珂，刘新宇，黄俊，刘果果; | 201110133545.6 | 2011-05-23 |
| 用STI的拐角应力增强MOSFET性能 | 朱慧珑，骆志炯，尹海洲; | 201110417139.2 | 2011-12-14 |
| 微波匀胶设备及其方法 | 王燕鹊，王磊; | 201110448765.8 | 2011-12-28 |
| 张应力 LPCVD SiO2膜的制造方法 | 尚海平，焦斌斌，刘瑞文，陈大鹏，李志刚，卢迪克; | 201110448748.4 | 2011-12-28 |
| 低温高覆盖性侧墙制造方法 | 王桂磊; | 201110433694.4 | 2011-12-21 |
| 后栅工艺中假栅的制造方法 | 杨涛，赵超，李俊峰，赵玉印，卢一泓; | 201110433706.3 | 2011-12-21 |
| 半导体器件制造方法 | 罗军，赵超，钟汇才，李俊峰，陈大鹏; | 201110425474.7 | 2011-12-16 |
| 半导体器件制造方法 | 罗军，赵超，钟汇才，李俊峰，陈大鹏; | 201110419334.9 | 2011-12-15 |
| MOSFET制造方法 | 付作振，殷华湘; | 201110419341.9 | 2011-12-15 |
| 一种混合线条的制造方法 | 唐波，闫江; | 201110459836.4 | 2011-12-31 |
科研产出