| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种MOS管及其制造方法 | 朱慧珑，尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/071263 | 2011-02-24 |
| 一种半导体结构及其形成方法 | 朱慧珑,骆志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/071249 | 2011-02-24 |
| 一种闪存器件及其形成方法 | 朱慧珑,尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/071248 | 2011-02-24 |
| 半导体结构及其形成方法 | 朱慧珑,尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/071250 | 2011-02-24 |
| 半导体器件及其形成方法 | 尹海洲,钟汇才，朱慧珑,骆志炯; | PCT/CN2011/070694 | 2011-01-27 |
| 应力隔离沟槽半导体器件的形成方法 | 尹海洲,骆志炯，朱慧珑; | PCT/CN2011/070684 | 2011-01-27 |
| 应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法 | 尹海洲,骆志炯，朱慧珑; | PCT/CN2011/070691 | 2011-01-27 |
| 晶源传送装置以及晶源传送方法 | 李春龙，李俊峰; | PCT/CN2011/072592 | 2011-04-11 |
| 半导体制造方法 | 李春龙，李俊峰; | PCT/CN2011/072584 | 2011-04-11 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | PCT/CN2011/001964 | 2011-11-25 |
| 后栅工艺中电极和连线的制造方法 | 杨涛，赵超，李俊峰，闫江，贺晓彬，卢一泓; | PCT/CN2011/001991 | 2011-11-29 |
| 后栅工艺中假栅的制造方法 | 杨涛，赵超，闫江，李俊峰，卢一泓，陈大鹏; | PCT/CN2011/002001 | 2011-11-30 |
| 多晶硅假栅移除后的监控方法 | 杨涛，赵超，李俊峰，闫江，陈大鹏; | PCT/CN2011/001992 | 2011-11-29 |
| 半导体器件及其制造方法 | 王桂磊; | PCT/CN2011/002002 | 2011-11-30 |
| 消除接触孔工艺中桥接的方法 | 王桂磊，李俊峰，赵超; | PCT/CN2011/001977 | 2011-11-28 |
科研产出