| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体器件及其制造方法 | 王桂磊，李春龙，赵超; | PCT/CN2011/001978 | 2011-11-28 |
| 半导体器件及其制造方法 | 王桂磊，李春龙，赵超; | PCT/CN2011/001994 | 2011-11-29 |
| 具有双金属栅的CMOS器件及其制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | PCT/CN2011/001981 | 2011-11-28 |
| x应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | PCT/CN2011/001982 | 2011-11-28 |
| 半导体结构和形成该半导体结构的方法 | 梁擎擎，钟汇才，朱慧珑; | PCT/CN2011/001997 | 2011-11-30 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘，罗军，赵超，刘洪刚，陈大鹏; | PCT/CN2011/001965 | 2011-11-25 |
| 晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件 | 梁擎擎，钟汇才，朱慧珑; | PCT/CN2011/001998 | 2011-11-30 |
| 半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎，殷华湘，钟汇才，朱慧珑; | PCT/CN2011/001999 | 2011-11-30 |
| 半导体器件的制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，孟令款，陈大鹏; | PCT/CN2011/001979 | 2011-11-28 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | PCT/CN2011/001966 | 2011-11-25 |
| 半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎，朱慧珑，钟汇才; | PCT/CN2011/002000 | 2011-11-30 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | PCT/CN2011/001980 | 2011-11-28 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑，尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/002003 | 2011-11-30 |
| 半导体衬底、具有该半导体衬底的集成电路及其制造方法 | 朱慧珑，骆志炯，尹海洲，朱慧珑; | PCT/CN2011/001993 | 2011-11-29 |
| 制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构 | 朱慧珑,骆志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/002004 | 2011-11-30 |
科研产出