| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体器件的制造方法 | 钟汇才 罗军 赵超 梁擎擎; | PCT/CN2011/083471 | 2011-12-05 |
| 后栅工艺中金属栅的制作方法 | 项金娟 王文武; | PCT/CN2011/080300 | 2011-09-28 |
| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 梁擎擎 钟汇才 朱慧珑; | PCT/CN2011/078207 | 2011-08-10 |
| 多栅器件的形成方法 | 殷华湘 徐秋霞 陈大鹏; | PCT/CN2011/077667 | 2011-07-27 |
| 鳍式场效应晶体管的制造方法 | 梁擎擎 朱慧珑 钟汇才; | PCT/CN2011/078196 | 2011-08-10 |
| 阱区的形成方法和半导体基底 | 尹海洲 朱慧珑 骆志炯; | PCT/CN2011/077634 | 2011-07-26 |
| 半导体器件及其编程方法 | 钟汇才 梁擎擎 赵超 朱慧珑; | PCT/CN2011/078327 | 2011-08-12 |
| 嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法 | 钟汇才 赵超 梁擎擎; | PCT/CN2011/078320 | 2011-08-12 |
| 半导体器件及其形成方法、封装结构 | 钟汇才 梁擎擎 闫江 赵超; | PCT/CN2011/078325 | 2011-08-12 |
| 线宽测量方法 | 尹海洲 朱慧珑 骆志炯; | PCT/CN2011/077477 | 2011-07-22 |
| 混合沟道半导体器件及其形成方法 | 尹海洲 朱慧珑 骆志炯; | PCT/CN2011/072585 | 2011-04-11 |
| 化学机械平坦化方法和后金属栅的制作方法 | 杨涛 刘金标 贺晓彬 赵超 陈大鹏; | PCT/CN2011/072643 | 2011-04-12 |
| 穿硅通孔结构及其形成方法 | 赵超 陈大鹏 欧文; | PCT/CN2011/072593 | 2011-04-11 |
| 化学机械抛光设备及其预热方法 | 杨涛 赵超 李俊峰; | PCT/CN2011/072587 | 2011-04-11 |
| 沟槽隔离结构及其形成方法 | 钟汇才 赵超 梁擎擎; | PCT/CN2011/073180 | 2011-04-22 |
科研产出