| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎，朱慧珑，钟汇才; | PCT/CN2011/000305 | 2011-02-25 |
| 一种高介电常数栅介质材料及其制备方法 | 王文武，赵超，韩锴，陈大鹏; | PCT/CN2011/001727 | 2011-10-17 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 王文武，赵超，韩锴，陈大鹏; | PCT/CN2011/001726 | 2011-10-17 |
| 半导体器件及其制造方法 | 王桂磊，尹海洲; | PCT/CN2011/001310 | 2011-08-09 |
| 浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件 | 闫江; | PCT/CN2011/001281 | 2011-08-03 |
| 一种应变半导体沟道的形成方法 | 尹海洲，骆志炯，朱慧珑; | PCT/CN2011-001311 | 2011-08-09 |
| 隔离结构以及半导体结构的形成方法 | 尹海洲，朱慧珑，骆志炯; | PCT/CN2011/001291 | 2011-08-05 |
| 半导体器件及其制造方法 | 骆志炯，尹海洲，朱慧珑; | PCT/CN2011/001312 | 2011-08-09 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯, 朱慧珑; | PCT/CN2011/001292 | 2011-08-05 |
| 一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法 | 周华杰，徐秋霞; | PCT/CN2011/001280 | 2011-08-03 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 钟汇才, 梁擎擎, 尹海洲, 朱慧珑; | PCT/CN2011/000684 | 2011-04-19 |
| 半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件 | 钟汇才, 梁擎擎; | PCT/CN2011/000693 | 2011-04-20 |
| 一种栅堆叠结构、半导体器件及二者的制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | PCT/CN2011/000581 | 2011-04-06 |
| 半导体衬底隔离的形成方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | PCT/CN2011/000613 | 2011-04-08 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | PCT/CN2011/000685 | 2011-04-19 |
科研产出