| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | PCT/CN2011/000694 | 2011-04-20 |
| 半导体器件结构的制造方法及其结构 | 钟汇才, 梁擎擎; | PCT/CN2011/000306 | 2011-02-25 |
| 半导体器件结构及其制造方法 | 钟汇才, 梁擎擎; | PCT/CN2011/000308 | 2011-02-25 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 赵超，王文武，朱慧珑; | PCT/CN2011/000279 | 2011-02-23 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 朱慧珑,梁擎擎; | PCT/CN2011/000337 | 2011-03-02 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 朱慧珑,梁擎擎; | PCT/CN2011/000336 | 2011-03-02 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 朱慧珑,梁擎擎,骆志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/000338 | 2011-03-02 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲，朱慧珑，骆志炯; | PCT/CN2011/000263 | 2011-02-21 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | PCT/CN2011/000280 | 2011-02-23 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲，朱慧珑，骆志炯; | PCT/CN2011/000262 | 2011-02-21 |
| 可调节沟道应力的器件与方法 | 殷华湘，徐秋霞，陈大鹏; | PCT/CN2011/000278 | 2011-02-23 |
| 采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法 | 闫江; | PCT/CN2011/000261 | 2011-02-21 |
| 用于集成电路的衬底及其形成方法 | 钟汇才, 梁擎擎, 尹海洲, 骆志炯; | PCT/CN2011/000309 | 2011-02-25 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | PCT/CN2011/000292 | 2011-02-24 |
| 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 | 徐秋霞，李永亮，许高博; | PCT/CN2011/082585 | 2011-11-22 |
科研产出