| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种混合线条的制造方法 | 唐波，闫江; | 201110460558.4 | 2011-12-31 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑，尹海洲，骆志炯; | 201110409652.7 | 2011-12-09 |
| 半导体器件及其制造方法 | 王桂磊; | 201110394014.2 | 2011-12-01 |
| 自对准金属硅化物的形成方法 | 罗军，赵超，钟汇才; | PCT/CN2011/070698 | 2011-01-27 |
| MOS晶体管及其形成方法 | 钟汇才，梁擎擎，杨达，赵超; | PCT/CN2011/070695 | 2011-01-27 |
| 开口的填充方法 | 赵超，王文武，钟汇才; | PCT/CN2011/071360 | 2011-02-28 |
| 超薄体晶体管及其制作方法 | 梁擎擎，钟汇才，朱慧珑; | PCT/CN2011/070686 | 2011-01-27 |
| 带有存储功能的MOS器件及其形成方法 | 赵超，王文武; | PCT/CN2011/070692 | 2011-01-27 |
| 一种石墨烯器件及其制造方法 | 梁擎擎，金智，王文武，钟汇才，刘新宇，朱慧珑; | PCT/CN2011/071194 | 2011-02-23 |
| 3D集成电路结构及其形成方法 | 朱慧珑; | PCT/CN2011/071166 | 2011-02-22 |
| 沟槽隔离结构及其形成方法 | 钟汇才，尹海洲，梁擎擎，朱慧珑; | PCT/CN2011/070693 | 2011-01-27 |
| 沟槽隔离结构及其形成方法 | 钟汇才，梁擎擎，尹海洲; | PCT/CN2011/070687 | 2011-01-27 |
| 一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法 | 钟汇才，梁擎擎; | PCT/CN2011/071254 | 2011-02-24 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 朱慧珑，梁擎擎，尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/071264 | 2011-02-24 |
| 半导体结构及其形成方法 | 朱慧珑，骆志炯,尹海洲,梁擎擎; | PCT/CN2011/071253 | 2011-02-24 |
科研产出