| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 带硅支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列 | 焦斌斌，陈大鹏，欧毅，叶甜春; | 200920311669.7 | 2009-09-28 |
| 微尖端线列器件 | 焦斌斌, 陈大鹏, 欧毅, 叶甜春; | 200510011987.8 | 2005-06-23 |
| 温室型非制冷红外焦平面阵列 | 董立军; | 200810223350.9 | 2008-09-26 |
| 一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法 | 吴茹菲, 张海英, 尹军舰; | 200710178771.X | 2007-12-05 |
| 单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构 | 徐静波, 张海英, 叶甜春; | 200710178311.7 | 2007-11-28 |
| 基于PIN二极管的单刀单掷微波开关电路的制作方法 | 杨浩; | 200710063699.6 | 2007-02-07 |
| 适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法 | 黎明, 徐静波, 付晓君; | 200710303895.6 | 2007-12-26 |
| 在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法 | 付晓君, 张海英, 徐静波, 黎明; | 200810103227.3 | 2008-04-02 |
| 实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法 | 黎明, 张海英, 徐静波, 付晓君; | 200810102206.X | 2008-03-19 |
| 用于OFDM UWB的5.5至7.2GHz四频带频率综合器 | 张健, 张海英; | 200710303887.1 | 2007-12-26 |
| 制作单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管的方法 | 徐静波, 张海英, 叶甜春; | 200710178320.6 | 2007-11-28 |
| 制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法 | 徐静波, 张海英, 叶甜春; | 200710178310.2 | 2007-11-28 |
| 增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法 | 徐静波，张海英，黎明，付晓君; | 200810227461.7 | 2008-11-25 |
| 或非门逻辑电路及其行成方法 | 徐静波，张海英; | 200810227463.6 | 2008-11-25 |
| 非门逻辑电路及形成方法 | 徐静波，张海英; | 200810227459.X | 2008-11-25 |
科研产出