| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 | 徐静波, 张海英, 叶甜春; | 200710178321.0 | 2007-11-28 |
| 一种GaAs PIN二极管等效电路 | 吴茹菲; | 200710121501.5 | 2007-09-07 |
| 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法 | 曾传滨，海潮和，李晶，李多力，韩郑生; | 200810104225.6 | 2008-04-16 |
| 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 | 刘梦新，韩郑生，赵超荣，刘刚; | 200710179354.7 | 2007-12-12 |
| 一种双输入路径的超宽带低噪声放大器 | 王晗，叶青; | 200710179862.5 | 2007-12-19 |
| 单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法 | 黎明，张海英，徐静波，付晓君; | 200810103226.9 | 2008-04-02 |
| 一种对正交频分复用通信系统信号信噪比进行估计的方法 | 邱昕，陈杰，张浩，亓中瑞; | 200710099546.7 | 2007-05-24 |
| 一种小数/整数分频器 | 郭桂良，阎跃鹏; | 200710179858.9 | 2007-12-19 |
| 动态调整最大迭代次数的低密度奇偶校验码迭代译码方法 | 李刚，黑勇，周玉梅，仇玉林; | 200710177791.5 | 2007-11-21 |
| 用于OFDM UWB 的六频带频率综合器 | 李志强，张海英; | 200710304251.9 | 2007-12-26 |
| 实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法 | 黎明，张海英，付晓君，徐静波; | 200810103254.0 | 2008-04-02 |
| 实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法 | 黎明，张海英，付晓君，徐静波; | 200810103255.5 | 2008-04-02 |
| 在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法 | 黎明，张海英，付晓君，徐静波; | 200810103256.X | 2008-04-02 |
| 一种采用超临界水去除光刻胶的系统 | 王磊, 景玉鹏; | 201020125723.1 | 2010-03-05 |
| 一种太阳能电池刻边机反应室结构 | 刘训春，周宗义，李兵，王佳，张育胜，张永利; | 200710303893.7 | 2007-12-26 |
科研产出