| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| SOI MOS晶体管 | 李莹;毕津顺;罗家俊;韩郑生; | 201210155387.9 | 2012-05-18 |
| 腔室加热装置 | 席峰;李楠;李勇滔;张庆钊;夏洋; | 201210014888.5 | 2012-01-17 |
| 一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 | 饶志鹏;夏洋;万军;李超波;陈波;刘键;江莹冰;石莎莉;李勇滔; | 201210007603.5 | 2012-01-11 |
| 亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法 | 李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;史丽娜;朱效立; | PCT/CN2011/079850 | 2011-09-20 |
| 一种反应等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法 | 王文东;闫坤坤;黄春;刘邦武;夏洋; | 201210002114.0 | 2012-01-05 |
| 一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法 | 王文东;闫坤坤;黄春;夏洋; | 201210001927.8 | 2012-01-05 |
| 张应力 LPCVD SiO2膜的制造方法 | 尚海平;焦斌斌;刘瑞文;陈大鹏;李志刚;卢狄克; | 201110448748.4 | 2011-12-28 |
| 低温高覆盖性侧墙制造方法 | 王桂磊; | 201110433694.4 | 2011-12-21 |
| MOSFET制造方法 | 付作振;殷华湘; | 201110419341.9 | 2011-12-15 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯; | 201110409652.7 | 2011-12-09 |
| SRAM单元及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎; | PCT/CN2011/082700 | 2011-11-23 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎; | PCT/CN2011/082424 | 2011-11-18 |
| 半导体器件结构及其制作方法 | 钟汇才;罗军;梁擎擎;朱慧珑; | PCT/CN2011/079040 | 2011-08-29 |
| 半导体器件结构及其制作方法 | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲; | PCT/CN2011/078221 | 2011-08-10 |
| 衬底结构、半导体器件及其制造方法 | 钟汇才;梁擎擎; | PCT/CN2011/071224 | 2011-03-04 |
科研产出